
F413MXTR12C1M2H11BPSA1 | |
---|---|
Číslo produktu DigiKey | 448-F413MXTR12C1M2H11BPSA1-ND |
Výrobce | |
Číslo produktu výrobce | F413MXTR12C1M2H11BPSA1 |
Popis | F413MXTR12C1M2H11BPSA1 |
Standardní dodací lhůta výrobce | 12 týdnů |
Referenční číslo zákazníka | |
Podrobný popis | Pole MOSFET 1200V (1,2kV) 60A 20mW Montáž na šasi |
Katalogový list | Katalogový list |
Typ | Popis | Vybrat vše |
---|---|---|
Kategorie | ||
Výrobce | Infineon Technologies | |
Řada | ||
Balení | Nosič | |
Stav součásti | Aktivní | |
Technologie | Karbid křemíku (SiC) | |
Konfigurace | 4N-kanál | |
Funkce tranzistoru FET | - | |
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) | 1200V (1,2kV) | |
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C | 60A | |
Rds zap (max) při Id, Vgs | 12,5mOhm při 50A, 18V | |
Vgs(th) (max) při Id | 5,15V při 22mA | |
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs | 158nC při 18V | |
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds | 4800pF při 800V | |
Výkon - max | 20mW | |
Provozní teplota | -40°C ~ 175°C (TJ) | |
Třída | - | |
Kvalifikace | - | |
Způsob montáže | Montáž na šasi | |
Pouzdro | Modul | |
Dodávaná velikost pouzdra | - |
Množství | Jednotková cena | Celk. cena |
---|---|---|
1 | 2 582,30000 Kč | 2 582,30 Kč |
24 | 2 224,12333 Kč | 53 378,96 Kč |
Jednotková cena bez DPH: | 2 582,30000 Kč |
---|---|
Jednotková cena s DPH: | 3 124,58300 Kč |