Name: BSG0811NDATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSG0811NDATMA1TR-ND
Price: 73.6043 CZK
Availability: InStock

Potřebujete pomoc?

Zpětná vazba

O společnosti DigiKey Marketplace Prodávat na DigiKey.com Kariéra Mapa stránek Digitální řešení Tiskové centrum

Nápověda a podpora Stav objednávky Ceny a∘možnosti dopravy Vrácení zboží a∘potíže s∘objednávkou

(+420) 225 296 620 eu.support@digikey.com

BSG0811NDATMA1
Číslo produktu DigiKey	BSG0811NDATMA1TR-ND - Páska a cívka (TR) BSG0811NDATMA1CT-ND - Řezaná páska (CT) BSG0811NDATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Infineon Technologies
Číslo produktu výrobce	BSG0811NDATMA1
Popis	MOSFET 2N-CH 25V 19A/41A TISON8
Standardní dodací lhůta výrobce	18 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	Pole MOSFET 25V 19A, 41A 2,5W Montáž na povrch PG-TISON-8
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	BSG0811NDATMA1 Modely

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Pole FET, MOSFET
Výrobce	Infineon Technologies
Řada	OptiMOS™
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Konfigurace	2 N-kanál (duální) asymetrický
Funkce tranzistoru FET	Hradlo logické úrovně, 4,5V pohon
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	25V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	19A, 41A
Rds zap (max) při Id, Vgs	3mOhm při 20A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	2V při 250µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	8,4nC při 4,5V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	1100pF při 12V
Výkon - max	2,5W
Provozní teplota	-55°C ~ 150°C (TJ)
Způsob montáže	Montáž na povrch
Pouzdro	8-PowerTDFN
Dodávaná velikost pouzdra	PG-TISON-8
Základní číslo produktu	BSG0811

Jednotková cena bez DPH:	60,83000 Kč
Jednotková cena s DPH:	73,60430 Kč

BSG0811NDATMA1