Name: AIMBG75R020M1HXTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-AIMBG75R020M1HXTMA1TR-ND
Price: 422.4231 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

AIMBG75R020M1HXTMA1
Číslo produktu DigiKey	448-AIMBG75R020M1HXTMA1TR-ND - Páska a cívka (TR) 448-AIMBG75R020M1HXTMA1CT-ND - Řezaná páska (CT) 448-AIMBG75R020M1HXTMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Infineon Technologies
Číslo produktu výrobce	AIMBG75R020M1HXTMA1
Popis	SICFET N-CH 750V 81A TO-263
Standardní dodací lhůta výrobce	23 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 750 V 81A (Tc) 326W (Tc) Montáž na povrch PG-TO263-7
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	AIMBG75R020M1HXTMA1 Modely

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Infineon Technologies
Řada	CoolSiC™
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	SiCFET (karbid křemíku)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	750 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	81A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	15V, 20V
Rds zap (max) při Id, Vgs	18mOhm při 34,1A, 20V
Vgs(th) (max) při Id	5,6V při 12,2mA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	70 nC @ 18 V
Vgs (max)	+23V, -5V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	2326 pF @ 500 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	326W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 175°C (TJ)
Třída	Automobilový průmysl
Kvalifikace	AEC-Q101
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	PG-TO263-7
Pouzdro	TO-263-8, D2PAK (7 přívody + výstupek), TO-263CA
Základní číslo produktu	AIMBG75