Name: G2R1000MT17J-TR
Brand: GeneSiC Semiconductor
SKU: 1242-G2R1000MT17J-TR-ND
Price: 162.3215 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

G2R1000MT17J-TR
Číslo produktu DigiKey	1242-G2R1000MT17J-TR-ND - Páska a cívka (TR) 1242-G2R1000MT17J-TRCT-ND - Řezaná páska (CT) 1242-G2R1000MT17J-TRDKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	GeneSiC Semiconductor
Číslo produktu výrobce	G2R1000MT17J-TR
Popis	1700V 1000M TO-263-7 G2R SIC MOS
Standardní dodací lhůta výrobce	20 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 1700 V 5A (Tc) 44W (Tc) Montáž na povrch TO-263-7
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	GeneSiC Semiconductor
Řada	G2R™, LoRing™
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	SiCFET (karbid křemíku)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	1700 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	5A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	20V
Rds zap (max) při Id, Vgs	1,2Ohm při 2A, 20V
Vgs(th) (max) při Id	4V při 2mA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	11 nC @ 20 V
Vgs (max)	+20V, -5V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	139 pF @ 1000 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	44W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 175°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	TO-263-7
Pouzdro	TO-263-8, D2PAK (7 přívody + výstupek), TO-263CA