Name: GE12090CDA3
Brand: GE Aerospace
SKU: 4014-GE12090CDA3-ND
Price: 108126.447 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

GE12090CDA3
Číslo produktu DigiKey	4014-GE12090CDA3-ND
Výrobce	GE Aerospace
Číslo produktu výrobce	GE12090CDA3
Popis	MOSFET 2N-CH 1200V 875A MODULE
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	Pole MOSFET 1200V (1,2kV) 875A 2350W Montáž na šasi Modul
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Pole FET, MOSFET
Výrobce	GE Aerospace
Řada	*
Balení	Hromadné balení
Stav součásti	Aktivní
Technologie	Karbid křemíku (SiC)
Konfigurace	2 N-kanál (polomůstkový)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	1200V (1,2kV)
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	875A
Rds zap (max) při Id, Vgs	2,19mOhm při 950A, 20V
Vgs(th) (max) při Id	4,5V při 320mA
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	58,6nF při 600V
Výkon - max	2350W
Provozní teplota	-55°C ~ 175°C (TJ)
Kvalifikace	AEC-Q101
Způsob montáže	Montáž na šasi
Pouzdro	Modul
Dodávaná velikost pouzdra	Modul