FW297-TL-2W onsemi | Diskrétní polovodičové produkty

FW297-TL-2W je zastaralá a již se nevyrábí.

Dostupné náhrady:

Direct

Vishay Siliconix

Skladem : 245

Jednotková cena : 37,29000 Kč

MFR Recommended

Rohm Semiconductor

Skladem : 10 014

Jednotková cena : 48,33000 Kč

Similar

Diodes Incorporated

Skladem : 0

Jednotková cena : 7,93565 Kč

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

FW297-TL-2W
Číslo produktu DigiKey	FW297-TL-2WOSTR-ND - Páska a cívka (TR)
Výrobce	onsemi
Číslo produktu výrobce	FW297-TL-2W
Popis	MOSFET 2N-CH 60V 4.5A 8SOIC
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	Pole MOSFET 60V 4,5A 1,8W Montáž na povrch 8-SOIC
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	FW297-TL-2W Modely

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Pole FET, MOSFET
Výrobce	onsemi
Řada	-
Balení	Páska a cívka (TR)
Stav součásti	Zastaralé
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Konfigurace	2 N-kanál (duální)
Funkce tranzistoru FET	Hradlo logické úrovně, 4V pohon
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	60V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	4,5A
Rds zap (max) při Id, Vgs	58mOhm při 4,5A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	2,6V při 1mA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	14nC při 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	750pF při 20V
Výkon - max	1,8W
Provozní teplota	150°C (TJ)
Způsob montáže	Montáž na povrch
Pouzdro	8-SOIC (0,154", 3,90mm šířka)
Dodávaná velikost pouzdra	8-SOIC
Základní číslo produktu	FW297