Parametrický ekvivalent

DMTH8030LPDW-13 | |
|---|---|
Číslo produktu DigiKey | 31-DMTH8030LPDW-13TR-ND - Páska a cívka (TR) |
Výrobce | |
Číslo produktu výrobce | DMTH8030LPDW-13 |
Popis | MOSFET 2N-CH 80V 28.5A PWRDI50 |
Standardní dodací lhůta výrobce | 12 týdnů |
Referenční číslo zákazníka | |
Podrobný popis | Pole MOSFET 80V 28,5A (Tc) 3,1W (Ta), 41W (Tc) Montáž na povrch PowerDI5060-8 (typ UXD) |
Katalogový list | Katalogový list |
Typ | Popis | Vybrat vše |
|---|---|---|
Kategorie | ||
Výrobce | Diodes Incorporated | |
Řada | - | |
Balení | Páska a cívka (TR) | |
Stav součásti | Aktivní | |
Technologie | MOSFET (oxid kovu) | |
Konfigurace | 2 N-kanál (duální) | |
Funkce tranzistoru FET | - | |
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) | 80V | |
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C | 28,5A (Tc) | |
Rds zap (max) při Id, Vgs | 26mOhm při 10A, 10V | |
Vgs(th) (max) při Id | 2,5V při 250µA | |
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs | 10,4nC při 10V | |
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds | 631pF při 40V | |
Výkon - max | 3,1W (Ta), 41W (Tc) | |
Provozní teplota | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
Způsob montáže | Montáž na povrch | |
Pouzdro | 8-PowerTDFN | |
Dodávaná velikost pouzdra | PowerDI5060-8 (typ UXD) | |
Základní číslo produktu |
| Množství | Jednotková cena | Celk. cena |
|---|---|---|
| 2 500 | 7,53657 Kč | 18 841,42 Kč |
| 5 000 | 6,97824 Kč | 34 891,20 Kč |
| 7 500 | 6,69382 Kč | 50 203,65 Kč |
| 12 500 | 6,68865 Kč | 83 608,12 Kč |
| Jednotková cena bez DPH: | 7,53657 Kč |
|---|---|
| Jednotková cena s DPH: | 9,11925 Kč |







