Parametrický ekvivalent
Parametrický ekvivalent
Parametrický ekvivalent

DMTH6010LPDWQ-13 | |
|---|---|
Číslo produktu DigiKey | 31-DMTH6010LPDWQ-13TR-ND - Páska a cívka (TR) |
Výrobce | |
Číslo produktu výrobce | DMTH6010LPDWQ-13 |
Popis | MOSFET 2N-CH 60V 13.1A PWRDI50 |
Standardní dodací lhůta výrobce | 12 týdnů |
Referenční číslo zákazníka | |
Podrobný popis | Pole MOSFET 60V 13,1A (Ta), 47,6A (Tc) 2,8W (Ta), 37,5W (Tc) Montáž na povrch PowerDI5060-8 (typ UXD) |
Katalogový list | Katalogový list |
Typ | Popis | Vybrat vše |
|---|---|---|
Kategorie | ||
Výrobce | Diodes Incorporated | |
Řada | - | |
Balení | Páska a cívka (TR) | |
Stav součásti | Aktivní | |
Technologie | MOSFET (oxid kovu) | |
Konfigurace | 2 N-kanál (duální) | |
Funkce tranzistoru FET | - | |
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) | 60V | |
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C | 13,1A (Ta), 47,6A (Tc) | |
Rds zap (max) při Id, Vgs | 11mOhm při 20A, 10V | |
Vgs(th) (max) při Id | 3V při 250µA | |
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs | 40,2nC při 10V | |
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds | 2615pF při 30V | |
Výkon - max | 2,8W (Ta), 37,5W (Tc) | |
Provozní teplota | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
Třída | Automobilový průmysl | |
Kvalifikace | AEC-Q101 | |
Způsob montáže | Montáž na povrch | |
Pouzdro | 8-PowerTDFN | |
Dodávaná velikost pouzdra | PowerDI5060-8 (typ UXD) |
| Množství | Jednotková cena | Celk. cena |
|---|---|---|
| 2 500 | 9,38645 Kč | 23 466,12 Kč |
| 5 000 | 8,72341 Kč | 43 617,05 Kč |
| 7 500 | 8,66732 Kč | 65 004,90 Kč |
| Jednotková cena bez DPH: | 9,38645 Kč |
|---|---|
| Jednotková cena s DPH: | 11,35760 Kč |



