Name: DMT6018LDR-7
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 31-DMT6018LDR-7TR-ND
Price: 17.1336 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

DMT6018LDR-7
Číslo produktu DigiKey	31-DMT6018LDR-7TR-ND - Páska a cívka (TR) 31-DMT6018LDR-7CT-ND - Řezaná páska (CT) 31-DMT6018LDR-7DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Diodes Incorporated
Číslo produktu výrobce	DMT6018LDR-7
Popis	MOSFET 2N-CH 60V 8.8A 8VDFN
Standardní dodací lhůta výrobce	16 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	Pole MOSFET 60V 8,8A (Ta) 1,9W Montáž na povrch V-DFN3030-8
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Pole FET, MOSFET
Výrobce	Diodes Incorporated
Řada	-
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Konfigurace	2 N-kanál (duální)
Funkce tranzistoru FET	-
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	60V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	8,8A (Ta)
Rds zap (max) při Id, Vgs	17mOhm při 8,2A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	3V při 250µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	13,9nC při 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	869pF při 30V
Výkon - max	1,9W
Provozní teplota	-55°C ~ 150°C (TJ)
Způsob montáže	Montáž na povrch
Pouzdro	8-PowerVDFN
Dodávaná velikost pouzdra	V-DFN3030-8
Základní číslo produktu	DMT6018