Name: DMN3016LDN-7
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 31-DMN3016LDN-7TR-ND
Price: 21.175 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

DMN3016LDN-7
Číslo produktu DigiKey	31-DMN3016LDN-7TR-ND - Páska a cívka (TR) 31-DMN3016LDN-7CT-ND - Řezaná páska (CT) 31-DMN3016LDN-7DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Diodes Incorporated
Číslo produktu výrobce	DMN3016LDN-7
Popis	MOSFET 2N-CH 30V 7.3A 8VDFN
Standardní dodací lhůta výrobce	12 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	Pole MOSFET 30V 7,3A 1,1W Montáž na povrch V-DFN3030-8 (typ J)
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Pole FET, MOSFET
Výrobce	Diodes Incorporated
Řada	-
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Konfigurace	2 N-kanál (duální)
Funkce tranzistoru FET	Hradlo logické úrovně
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	30V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	7,3A
Rds zap (max) při Id, Vgs	20mOhm při 11A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	2V při 250µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	25,1nC při 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	1415pF při 15V
Výkon - max	1,1W
Provozní teplota	-55°C ~ 150°C (TJ)
Způsob montáže	Montáž na povrch
Pouzdro	8-PowerWDFN
Dodávaná velikost pouzdra	V-DFN3030-8 (typ J)
Základní číslo produktu	DMN3016