CZK | EUR | USD
Oblíbený

SQJ872EP-T1_GE3 N-kanál 150V 24,5A (Tc) 55W (Tc) Montáž na povrch PowerPAK® SO-8
Cena a dodání
13 899 Skladem
Ihned k odeslání
 

Množství
Všechny ceny jsou v USD.
Cenový rozdíl Jednotková cena Rozšířená cena
1 1.39000 $1.39
10 1.24200 $12.42
25 1.17920 $29.48
100 0.96850 $96.85
500 0.80006 $400.03
1,000 0.63162 $631.62

Odeslat žádost o cenovou nabídku na vyšší, než zobrazená množství.

Alternativní balení
  • Páska a cívka (TR)  : SQJ872EP-T1_GE3TR-ND
  • Minimální množství: 3 000
  • DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ: 12 000 - Ihned
  • Jednotková cena: $0,58951
  • Digi-Reel®  : SQJ872EP-T1_GE3DKR-ND
  • Minimální množství: 1
  • DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ: 13 899 - Ihned
  • Jednotková cena: Cívka Digi-Reel®

SQJ872EP-T1_GE3

Katalogový list
Objednací číslo Digi-Key SQJ872EP-T1_GE3CT-ND
Kopírovat  
Výrobce

Vishay Siliconix

Kopírovat  
Objednací číslo výrobce SQJ872EP-T1_GE3
Kopírovat  
Popis MOSFET N-CH 150V 24.5A PPAK SO-8
Kopírovat  
Podrobný popis

N-kanál 150V 24,5A (Tc) 55W (Tc) Montáž na povrch PowerPAK® SO-8

Kopírovat  
Referenční číslo zákazníka
Dokumenty a média
Katalogové listy SQJ872EP
Vlastnosti produktu
TYP Popis VYBRAT VŠE
Kategorie
Výrobce Vishay Siliconix
Řada Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Balení Řezaná páska (CT) 
Stav součásti Aktivní
Typ tranzistoru FET N-kanál
Technologie MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 150V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 24,5A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 7,5V, 10V
Rds zap (max) při Id, Vgs 35,5mOhm při 10A, 10V
Vgs(th) (max) při Id 3,5V při 250µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 22nC @ 10V
Vgs (max) ±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 1045pF @ 25V
Funkce tranzistoru FET -
Rozptylový výkon (Max) 55W (Tc)
Provozní teplota -55°C ~ 175°C (TJ)
Způsob montáže Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra PowerPAK® SO-8
Pouzdro 8-PowerTDFN
Objednací číslo základny SQJ872
 
Klasifikace ochrany životního prostředí a exportu
Stav RoHS Splňuje směrnici ROHS3
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL) 1 (Neomezeně)
Může vás též zajímat

SQ2325ES-T1_GE3

MOSFET P-CH 150V 840MA TO236

Vishay Siliconix

$0,65000 Podrobnosti

SQJA20EP-T1_GE3

MOSFET N-CH 200V 22.5A PPAK SO-8

Vishay Siliconix

$1,40000 Podrobnosti

SIR873DP-T1-GE3

MOSFET P-CH 150V 37A PPAK SO-8

Vishay Siliconix

$1,71000 Podrobnosti

FDMS86252

MOSFET N-CH 150V 4.6A/16A 8PQFN

ON Semiconductor

$2,05000 Podrobnosti

BSZ900N15NS3GATMA1

MOSFET N-CH 150V 13A 8TSDSON

Infineon Technologies

$1,24000 Podrobnosti

VS-30ETH06-M3

DIODE FRED 600V 30A TO220AC

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

$1,65000 Podrobnosti
Další zdroje
Standardní balení 1
Další názvy SQJ872EP-T1_GE3CT