CZK | EUR | USD
Oblíbený

Cena a dodání
68 369 Skladem
Ihned k odeslání
 

Množství
Všechny ceny jsou v USD.
Cenový rozdíl Jednotková cena Rozšířená cena
1 1.16000 $1.16
10 1.03800 $10.38
25 0.98560 $24.64
100 0.80960 $80.96
500 0.66880 $334.40
1,000 0.53440 $534.40

Odeslat žádost o cenovou nabídku na vyšší, než zobrazená množství.

Alternativní balení
  • Páska a cívka (TR)  : 296-24522-2-ND
  • Minimální množství: 2 500
  • DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ: 67 500 - Ihned
  • Jednotková cena: $0,53440
  • Digi-Reel®  : 296-24522-6-ND
  • Minimální množství: 1
  • DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ: 68 369 - Ihned
  • Jednotková cena: Cívka Digi-Reel®

CSD16323Q3

Katalogový list
Objednací číslo Digi-Key 296-24522-1-ND
Kopírovat  
Výrobce

Texas Instruments

Kopírovat  
Objednací číslo výrobce CSD16323Q3
Kopírovat  
Popis MOSFET N-CH 25V 21A/60A 8VSON
Kopírovat  
Standardní dodací lhůta výrobce 35 týdnů
Podrobný popis

N-kanál 25V 21A (Ta), 60A (Tc) 3W (Ta) Montáž na povrch 8-VSON-CLIP (3,3x3,3)

Kopírovat  
Referenční číslo zákazníka
Dokumenty a média
Katalogové listy CSD16323Q3
Moduly produktových školení NexFET MOSFET Technology
Doporučený produkt Create your power design now with TI’s WEBENCH® Designer
Power Management
Oznámení o změnách produktu - design/technické údaje Qualification Revision A 01/Jul/2014
Oznámení o změnách produktu - konstrukce/původ Assembly/Test Site Revision C 09/Feb/2015
Produktová stránka výrobce CSD16323Q3 Specifications
Modely EDA / CAD CSD16323Q3 by SnapEDA
CSD16323Q3 by Ultra Librarian
Vlastnosti produktu
TYP Popis VYBRAT VŠE
Kategorie
Výrobce Texas Instruments
Řada NexFET™
Balení Řezaná páska (CT) 
Stav součásti Aktivní
Typ tranzistoru FET N-kanál
Technologie MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 25V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 21A (Ta), 60A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 3V, 8V
Rds zap (max) při Id, Vgs 4,5mOhm při 24A, 8V
Vgs(th) (max) při Id 1,4V při 250µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 8,4nC @ 4,5V
Vgs (max) +10V, -8V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 1300pF @ 12,5V
Funkce tranzistoru FET -
Rozptylový výkon (Max) 3W (Ta)
Provozní teplota -55°C ~ 150°C (TJ)
Způsob montáže Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra 8-VSON-CLIP (3,3x3,3)
Pouzdro 8-PowerTDFN
Objednací číslo základny CSD16323
 
Klasifikace ochrany životního prostředí a exportu
Stav RoHS Splňuje směrnici ROHS3
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL) 1 (Neomezeně)
Může vás též zajímat

BLM15PX221SN1D

FERRITE BEAD 220 OHM 0402 1LN

Murata Electronics

$0,10000 Podrobnosti

BAT41KFILM

DIODE SCHOTTKY 100V 200MA SOD523

STMicroelectronics

$0,51000 Podrobnosti

CSD17575Q3

MOSFET N-CH 30V 60A 8VSON

Texas Instruments

$1,12000 Podrobnosti

KRBT QDLP61.3A-5B5C-CF

LED RGB 12SMD R/A

OSRAM Opto Semiconductors Inc.

$1,12000 Podrobnosti

SN74LVC1G02DCKR

IC GATE NOR 1CH 2-INP SC70-5

Texas Instruments

$0,29000 Podrobnosti

SN74LVC1G18DCKR

IC DEMULTIPLEXER 1 X 1:2 SC70-6

Texas Instruments

$0,41000 Podrobnosti
Další zdroje
Standardní balení 1
Další názvy 296-24522-1