CZK | EUR | USD
Oblíbený

FQD2N100TM N-kanál 1000V 1,6A (Tc) 2,5W (Ta), 50W (Tc) Montáž na povrch D-Pak
Cena a dodání
5 109 Skladem
Ihned k odeslání
 

Množství
Všechny ceny jsou v USD.
Cenový rozdíl Jednotková cena Rozšířená cena
1 1.09000 $1.09
10 0.97500 $9.75
25 0.92560 $23.14
100 0.76030 $76.03
500 0.62804 $314.02
1,000 0.52588 $525.88

Odeslat žádost o cenovou nabídku na vyšší, než zobrazená množství.

Alternativní balení
  • Páska a cívka (TR)  : FQD2N100TMTR-ND
  • Minimální množství: 2 500
  • DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ: 5 000 - Ihned
  • Jednotková cena: $0,52588
  • Digi-Reel®  : FQD2N100TMDKR-ND
  • Minimální množství: 1
  • DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ: 5 109 - Ihned
  • Jednotková cena: Cívka Digi-Reel®

FQD2N100TM

Katalogový list
Objednací číslo Digi-Key FQD2N100TMCT-ND
Kopírovat  
Výrobce

ON Semiconductor

Kopírovat  
Objednací číslo výrobce FQD2N100TM
Kopírovat  
Popis MOSFET N-CH 1000V 1.6A DPAK
Kopírovat  
Standardní dodací lhůta výrobce 33 týdnů
Podrobný popis

N-kanál 1000V 1,6A (Tc) 2,5W (Ta), 50W (Tc) Montáž na povrch D-Pak

Kopírovat  
Referenční číslo zákazníka
Dokumenty a média
Katalogové listy FQD2N100, FQU2N100
Informace týkající se ochrany životního prostředí Material Declaration FQD2N100TM
Oznámení o změnách produktu - design/technické údaje Description Chg 01/Apr/2016
Logo 17/Aug/2017
Oznámení o změnách produktu - konstrukce/původ Mult Dev 13/Aug/2020
Oznámení o změnách produktu - balení Tape and Box/Reel Barcode Update 07/Aug/2014
Mult Devices 24/Oct/2017
Vlastnosti produktu
TYP Popis VYBRAT VŠE
Kategorie
Výrobce ON Semiconductor
Řada QFET®
Balení Řezaná páska (CT) 
Stav součásti Aktivní
Typ tranzistoru FET N-kanál
Technologie MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 1000V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 1,6A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 10V
Rds zap (max) při Id, Vgs 9Ohm při 800mA, 10V
Vgs(th) (max) při Id 5V při 250µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 15,5nC @ 10V
Vgs (max) ±30V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 520pF @ 25V
Funkce tranzistoru FET -
Rozptylový výkon (Max) 2,5W (Ta), 50W (Tc)
Provozní teplota -55°C ~ 150°C (TJ)
Způsob montáže Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra D-Pak
Pouzdro TO-252-3, DPak (2 přívody + jazýček), SC-63
Objednací číslo základny FQD2N100
 
Klasifikace ochrany životního prostředí a exportu
Stav RoHS Splňuje směrnici ROHS3
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL) 1 (Neomezeně)
Může vás též zajímat

L78M24ABDT-TR

IC REG LINEAR 24V 500MA DPAK

STMicroelectronics

$0,63000 Podrobnosti

AQV259AZ

SSR RELAY SPST-NO 30MA 0-1000V

Panasonic Electric Works

$6,36000 Podrobnosti

24AA16T-I/MC

IC EEPROM 16KBIT I2C 400KHZ 8DFN

Microchip Technology

$0,38000 Podrobnosti

UCC28704DBVR-1

IC FLYBACK CTLR CVCC PSR SOT23-6

Texas Instruments

$1,05000 Podrobnosti

ISO7721FDWVR

DGTL ISO 5000VRMS 2CH GP 8SOIC

Texas Instruments

$3,10000 Podrobnosti

US1M-E3/61T

DIODE GEN PURP 1KV 1A DO214AC

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

$0,49000 Podrobnosti
Další zdroje
Standardní balení 1
Další názvy FQD2N100TMCT