CZK | EUR | USD
Oblíbený

FDS86106 N-kanál 100V 3,4A (Ta) 5W (Ta) Montáž na povrch 8-SOIC
Cena a dodání
10 223 Skladem
Ihned k odeslání
 

Množství
Všechny ceny jsou v USD.
Cenový rozdíl Jednotková cena Rozšířená cena
1 1.03000 $1.03
10 0.92500 $9.25
25 0.87760 $21.94
100 0.72100 $72.10
500 0.59564 $297.82
1,000 0.49875 $498.75

Odeslat žádost o cenovou nabídku na vyšší, než zobrazená množství.

Alternativní balení
  • Páska a cívka (TR)  : FDS86106TR-ND
  • Minimální množství: 2 500
  • DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ: 10 000 - Ihned
  • Jednotková cena: $0,49875
  • Digi-Reel®  : FDS86106DKR-ND
  • Minimální množství: 1
  • DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ: 10 223 - Ihned
  • Jednotková cena: Cívka Digi-Reel®
Objednací číslo Digi-Key FDS86106CT-ND
Kopírovat  
Výrobce

ON Semiconductor

Kopírovat  
Objednací číslo výrobce FDS86106
Kopírovat  
Popis MOSFET N-CH 100V 3.4A 8SOIC
Kopírovat  
Standardní dodací lhůta výrobce 33 týdnů
Podrobný popis

N-kanál 100V 3,4A (Ta) 5W (Ta) Montáž na povrch 8-SOIC

Kopírovat  
Referenční číslo zákazníka
Dokumenty a média
Katalogové listy FDS86106
Informace týkající se ochrany životního prostředí Material Declaration FDS86106
Oznámení o změnách produktu - design/technické údaje Logo 17/Aug/2017
Oznámení o změnách produktu - konstrukce/původ Qualify 2nd supplier 13/Aug/2020
Oznámení o změnách produktu - balení Mult Devices 24/Oct/2017
Mult MSL1 Pkg Rev 20/Dec/2018
Vlastnosti produktu
TYP Popis VYBRAT VŠE
Kategorie
Výrobce ON Semiconductor
Řada PowerTrench®
Balení Řezaná páska (CT) 
Stav součásti Aktivní
Typ tranzistoru FET N-kanál
Technologie MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 100V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 3,4A (Ta)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 6V, 10V
Rds zap (max) při Id, Vgs 105mOhm při 3,4A, 10V
Vgs(th) (max) při Id 4V při 250µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 4nC @ 10V
Vgs (max) ±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 208pF @ 50V
Funkce tranzistoru FET -
Rozptylový výkon (Max) 5W (Ta)
Provozní teplota -55°C ~ 150°C (TJ)
Způsob montáže Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra 8-SOIC
Pouzdro 8-SOIC (0,154", 3,90mm šířka)
Objednací číslo základny FDS86
 
Klasifikace ochrany životního prostředí a exportu
Stav RoHS Splňuje směrnici ROHS3
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL) 1 (Neomezeně)
Může vás též zajímat

PTVS18VP1UP,115

TVS DIODE 18V 29.2V CFP5

Nexperia USA Inc.

$0,35000 Podrobnosti

FQD2N100TM

MOSFET N-CH 1000V 1.6A DPAK

ON Semiconductor

$1,09000 Podrobnosti

UC3845BD1R2G

IC REG CTRLR BOOST/FLYBACK 8SOIC

ON Semiconductor

$0,65000 Podrobnosti

EL5166ISZ

IC OPAMP CFA 1 CIRCUIT 8SOIC

Renesas Electronics America Inc

$4,02000 Podrobnosti

QS5Y2FSTR

PNP+NPN DRIVER TRANSISTOR. DEVI

Rohm Semiconductor

$0,57000 Podrobnosti

SIR692DP-T1-RE3

MOSFET N-CH 250V 24.2A PPAK SO-8

Vishay Siliconix

$1,87000 Podrobnosti
Další zdroje
Standardní balení 1
Další názvy FDS86106CT