CZK | EUR | USD
Oblíbený

IRFR1205TRPBF N-kanál 55V 44A (Tc) 107W (Tc) Montáž na povrch D-Pak
Cena a dodání
4 848 Skladem
Ihned k odeslání
 

Množství
Všechny ceny jsou v USD.
Cenový rozdíl Jednotková cena Rozšířená cena
1 1.13000 $1.13
10 1.00700 $10.07
25 0.95600 $23.90
100 0.78530 $78.53
500 0.64872 $324.36
1,000 0.51958 $519.58

Odeslat žádost o cenovou nabídku na vyšší, než zobrazená množství.

Alternativní balení
  • Páska a cívka (TR)  : IRFR1205PBFTR-ND
  • Minimální množství: 2 000
  • DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ: 4 000 - Ihned
  • Jednotková cena: $0,51958
  • Digi-Reel®  : IRFR1205PBFDKR-ND
  • Minimální množství: 1
  • DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ: 4 848 - Ihned
  • Jednotková cena: Cívka Digi-Reel®
  • Páska a cívka (TR)  : IRFR1205TRLPBF-ND
  • Minimální množství: 3 000  Není skladem 
  • DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ: 0
  • Jednotková cena: $0,51957

IRFR1205TRPBF

Katalogový list
Objednací číslo Digi-Key IRFR1205PBFCT-ND
Kopírovat  
Výrobce

Infineon Technologies

Kopírovat  
Objednací číslo výrobce IRFR1205TRPBF
Kopírovat  
Popis MOSFET N-CH 55V 44A DPAK
Kopírovat  
Standardní dodací lhůta výrobce 39 týdnů
Podrobný popis

N-kanál 55V 44A (Tc) 107W (Tc) Montáž na povrch D-Pak

Kopírovat  
Referenční číslo zákazníka
Dokumenty a média
Katalogové listy IRFR/U1205PbF
Ostatní související dokumenty IR Part Numbering System
Moduly produktových školení High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers)
Konstrukční zdroje IRFR1205 Saber Model
Doporučený produkt Data Processing Systems
Oznámení o změnách produktu - design/technické údaje Mult Dev No Format/Barcode Label 15/Jan/2019
Mult Dev Label Chgs Aug/2020
Oznámení o změnách produktu - konstrukce/původ Mult Dev Wafer Site Chg 14/May/2020
Oznámení o změnách produktu - balení Package Drawing Update 19/Aug/2015
Mult Device Standard Label Chg 29/Sep/2017
Katalogový list HTML IRFR/U1205PbF
Modely EDA / CAD IRFR1205TRPBF by Ultra Librarian
Simulační modely IRFR1205 Spice Model
Vlastnosti produktu
TYP Popis VYBRAT VŠE
Kategorie
Výrobce Infineon Technologies
Řada HEXFET®
Balení Řezaná páska (CT) 
Stav součásti Aktivní
Typ tranzistoru FET N-kanál
Technologie MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 55V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 44A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 10V
Rds zap (max) při Id, Vgs 27mOhm při 26A, 10V
Vgs(th) (max) při Id 4V při 250µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 65nC @ 10V
Vgs (max) ±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 1300pF @ 25V
Funkce tranzistoru FET -
Rozptylový výkon (Max) 107W (Tc)
Provozní teplota -55°C ~ 175°C (TJ)
Způsob montáže Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra D-Pak
Pouzdro TO-252-3, DPak (2 přívody + jazýček), SC-63
Objednací číslo základny IRFR1205
 
Klasifikace ochrany životního prostředí a exportu
Stav RoHS Splňuje směrnici ROHS3
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL) 1 (Neomezeně)
Může vás též zajímat

0039301042

CONN HEADER R/A 4POS 4.2MM

Molex

$2,31000 Podrobnosti

0039301022

CONN HEADER R/A 2POS

Molex

$1,40000 Podrobnosti

IPD30N10S3L34ATMA1

MOSFET N-CH 100V 30A TO252-3

Infineon Technologies

$1,10000 Podrobnosti

IRFR5305TRPBF

MOSFET P-CH 55V 31A DPAK

Infineon Technologies

$1,23000 Podrobnosti

IRF7303TRPBF

MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 8-SOIC

Infineon Technologies

$1,01000 Podrobnosti

IRFR1205TRLPBF

MOSFET N-CH 55V 44A DPAK

Infineon Technologies

$0,51957 Podrobnosti
Další zdroje
Standardní balení 1
Další názvy *IRFR1205TRPBF
IRFR1205PBFCT