CZK | EUR | USD

IRFB4310PBF N-kanál 100V 130A (Tc) 300W (Tc) Průchozí otvor TO-220AB
Cena a dodání
4 247 Skladem
Ihned k odeslání
 

Množství

Přidat do seznamu

Všechny ceny jsou v USD.
Cenový rozdíl Jednotková cena Rozšířená cena
1 3.11000 $3.11
10 2.79200 $27.92
25 2.63920 $65.98
100 2.28740 $228.74
500 1.94718 $973.59
1,000 1.78500 $1,785.00

Odeslat žádost o cenovou nabídku na vyšší, než zobrazená množství.

IRFB4310PBF

Katalogový list
Objednací číslo Digi-Key IRFB4310PBF-ND
Kopírovat  
Výrobce

Infineon Technologies

Kopírovat  
Objednací číslo výrobce IRFB4310PBF
Kopírovat  
Popis MOSFET N-CH 100V 130A TO220AB
Kopírovat  
Podrobný popis

N-kanál 100V 130A (Tc) 300W (Tc) Průchozí otvor TO-220AB

Kopírovat  
Referenční číslo zákazníka
Dokumenty a média
Katalogové listy IRFB4310PbF, IRFS(L)4310PbF
Ostatní související dokumenty IR Part Numbering System
Moduly produktových školení High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers)
Doporučený produkt Data Processing Systems
Oznámení o změnách produktu - design/technické údaje Mult Dev Label Chgs Aug/2020
Mult Dev Lead Finish 28/May/2021
Oznámení o změnách produktu - konstrukce/původ Mult Dev Wafer Site Chg 18/Dec/2020
Oznámení o změnách produktu - balení Barcode Label Update 24/Feb/2017
Mult Device Standard Label Chg 29/Sep/2017
Katalogový list HTML IRFB4310PbF, IRFS(L)4310PbF
Simulační modely IRFB4310PBF Saber Model
Vlastnosti produktu
TYP Popis VYBRAT VŠE
Kategorie
Výrobce Infineon Technologies
Řada HEXFET®
Balení Trubice 
Stav součásti Aktivní
Typ tranzistoru FET N-kanál
Technologie MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 100V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 130A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 10V
Rds zap (max) při Id, Vgs 7mOhm při 75A, 10V
Vgs(th) (max) při Id 4V při 250µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 250nC @ 10V
Vgs (max) ±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 7670pF @ 50V
Funkce tranzistoru FET -
Rozptylový výkon (Max) 300W (Tc)
Provozní teplota -55°C ~ 175°C (TJ)
Způsob montáže Průchozí otvor
Dodávaná velikost pouzdra TO-220AB
Pouzdro TO-220-3
Objednací číslo základny IRFB4310
 
Klasifikace ochrany životního prostředí a exportu
Stav RoHS Splňuje směrnici ROHS3
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL) 1 (Neomezeně)
Často společně zakoupené produkty
Může vás též zajímat

IRFB4310ZPBF

MOSFET N-CH 100V 120A TO220AB

Infineon Technologies

$2,91000 Podrobnosti

IRFP4368PBF

MOSFET N-CH 75V 195A TO247AC

Infineon Technologies

$6,58000 Podrobnosti

IRFB7430PBF

MOSFET N CH 40V 195A TO220

Infineon Technologies

$3,09000 Podrobnosti

IRF9Z24NPBF

MOSFET P-CH 55V 12A TO220AB

Infineon Technologies

$0,75000 Podrobnosti

IRF9Z34NPBF

MOSFET P-CH 55V 19A TO220AB

Infineon Technologies

$1,00000 Podrobnosti

IRF9540NPBF

MOSFET P-CH 100V 23A TO220AB

Infineon Technologies

$1,23000 Podrobnosti
Další zdroje
Standardní balení 50
Další názvy *IRFB4310PBF
SP001566592