CZK | EUR | USD
Oblíbený

BSZ040N04LSGATMA1 N-kanál 40V 18A (Ta), 40A (Tc) 2,1W (Ta), 69W (Tc) Montáž na povrch PG-TSDSON-8
Cena a dodání
37 970 Skladem
Ihned k odeslání
 

Množství
Všechny ceny jsou v USD.
Cenový rozdíl Jednotková cena Rozšířená cena
1 1.15000 $1.15
10 1.03200 $10.32
25 0.98000 $24.50
100 0.80490 $80.49
500 0.66490 $332.45
1,000 0.53252 $532.52

Odeslat žádost o cenovou nabídku na vyšší, než zobrazená množství.

Alternativní balení
  • Páska a cívka (TR)  : BSZ040N04LSGATMA1TR-ND
  • Minimální množství: 5 000
  • DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ: 35 000 - Ihned
  • Jednotková cena: $0,53252
  • Digi-Reel®  : BSZ040N04LSGATMA1DKR-ND
  • Minimální množství: 1
  • DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ: 37 970 - Ihned
  • Jednotková cena: Cívka Digi-Reel®

BSZ040N04LSGATMA1

Katalogový list
Objednací číslo Digi-Key BSZ040N04LSGATMA1CT-ND
Kopírovat  
Výrobce

Infineon Technologies

Kopírovat  
Objednací číslo výrobce BSZ040N04LSGATMA1
Kopírovat  
Popis MOSFET N-CH 40V 18A/40A 8TSDSON
Kopírovat  
Standardní dodací lhůta výrobce 39 týdnů
Podrobný popis

N-kanál 40V 18A (Ta), 40A (Tc) 2,1W (Ta), 69W (Tc) Montáž na povrch PG-TSDSON-8

Kopírovat  
Referenční číslo zákazníka
Dokumenty a média
Katalogové listy BSZ040N04LS G
Ostatní související dokumenty Part Number Guide
Doporučený produkt Data Processing Systems
Oznámení o změnách produktu - konstrukce/původ OptiMOS Assembly Site Add 2/Jan/2018
Oznámení o změnách produktu - balení Mult Dev Pkg Box Chg 3/Jan/2018
Mult Dev Reel Design Chg 2/Dec/2019
Oznámení o změnách produktu - jiné Multiple Changes 09/Jul/2014
Modely EDA / CAD BSZ040N04LSGATMA1 by Ultra Librarian
Simulační modely MOSFET OptiMOS™ 40V N-Channel Spice Model
Vlastnosti produktu
TYP Popis VYBRAT VŠE
Kategorie
Výrobce Infineon Technologies
Řada OptiMOS™
Balení Řezaná páska (CT) 
Stav součásti Aktivní
Typ tranzistoru FET N-kanál
Technologie MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 40V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 18A (Ta), 40A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 4,5V, 10V
Rds zap (max) při Id, Vgs 4mOhm při 20A, 10V
Vgs(th) (max) při Id 2V při 36µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 64nC @ 10V
Vgs (max) ±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 5100pF @ 20V
Funkce tranzistoru FET -
Rozptylový výkon (Max) 2,1W (Ta), 69W (Tc)
Provozní teplota -55°C ~ 150°C (TJ)
Způsob montáže Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra PG-TSDSON-8
Pouzdro 8-PowerTDFN
Objednací číslo základny BSZ040
 
Klasifikace ochrany životního prostředí a exportu
Stav RoHS Splňuje směrnici ROHS3
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL) 1 (Neomezeně)
Může vás též zajímat

BSC050N04LSGATMA1

MOSFET N-CH 40V 18A/85A TDSON

Infineon Technologies

$0,93000 Podrobnosti

0191930109

CONN RING CIRC 10-12AWG #10

Molex

$0,45000 Podrobnosti

LTC3786IMSE#PBF

IC REG CTRLR MULT TOP 16MSOP

Analog Devices Inc.

$7,34000 Podrobnosti

0190030055

CONN QC RCPT 14-16AWG 0.187

Molex

$0,59000 Podrobnosti

BAS140WE6327HTSA1

DIODE SCHOTTKY 40V 120MA SOD323

Infineon Technologies

$0,55000 Podrobnosti

AS393MTR-G1

IC COMP OPEN COLLECTOR 8SOIC

Diodes Incorporated

$0,49000 Podrobnosti
Další zdroje
Standardní balení 1
Další názvy BSZ040N04LSGATMA1CT
BSZ040N04LSGINCT
BSZ040N04LSGINCT-ND