CZK | EUR | USD
Oblíbený

BSC196N10NSGATMA1 N-kanál 100V 8,5A (Ta), 45A (Tc) 78W (Tc) Montáž na povrch PG-TDSON-8-1
Cena a dodání
396 Skladem
Ihned k odeslání
 

Množství
Všechny ceny jsou v USD.
Cenový rozdíl Jednotková cena Rozšířená cena
1 1.10000 $1.10
10 0.98600 $9.86
25 0.93600 $23.40
100 0.76890 $76.89
500 0.63518 $317.59
1,000 0.50872 $508.72

Odeslat žádost o cenovou nabídku na vyšší, než zobrazená množství.

Alternativní balení
  • Páska a cívka (TR)  : BSC196N10NSGATMA1TR-ND
  • Minimální množství: 5 000
  • DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ: 0
  • Jednotková cena: $0,50872
  • Digi-Reel®  : BSC196N10NSGATMA1DKR-ND
  • Minimální množství: 1
  • DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ: 396 - Ihned
  • Jednotková cena: Cívka Digi-Reel®

BSC196N10NSGATMA1

Katalogový list
Objednací číslo Digi-Key BSC196N10NSGATMA1CT-ND
Kopírovat  
Výrobce

Infineon Technologies

Kopírovat  
Objednací číslo výrobce BSC196N10NSGATMA1
Kopírovat  
Popis MOSFET N-CH 100V 8.5A/45A TDSON
Kopírovat  
Standardní dodací lhůta výrobce 39 týdnů
Podrobný popis

N-kanál 100V 8,5A (Ta), 45A (Tc) 78W (Tc) Montáž na povrch PG-TDSON-8-1

Kopírovat  
Referenční číslo zákazníka
Dokumenty a média
Katalogové listy BSC196N10NS G
Ostatní související dokumenty Part Number Guide
Doporučený produkt Data Processing Systems
Oznámení o změnách produktu - konstrukce/původ Assembly Site Update 26/Jul/2016
Oznámení o změnách produktu - balení Mult Dev Pkg Box Chg 3/Jan/2018
Mult Dev Reel Design Chg 2/Dec/2019
Oznámení o změnách produktu - jiné Multiple Changes 09/Jul/2014
Katalogový list HTML BSC196N10NS G
Simulační modely OptiMOS™ Power MOSFET 100V N-Channel Spice Model
Vlastnosti produktu
TYP Popis VYBRAT VŠE
Kategorie
Výrobce Infineon Technologies
Řada OptiMOS™
Balení Řezaná páska (CT) 
Stav součásti Aktivní
Typ tranzistoru FET N-kanál
Technologie MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 100V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 8,5A (Ta), 45A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 10V
Rds zap (max) při Id, Vgs 19,6mOhm při 45A, 10V
Vgs(th) (max) při Id 4V při 42µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 34nC @ 10V
Vgs (max) ±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 2300pF @ 50V
Funkce tranzistoru FET -
Rozptylový výkon (Max) 78W (Tc)
Provozní teplota -55°C ~ 150°C (TJ)
Způsob montáže Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra PG-TDSON-8-1
Pouzdro 8-PowerTDFN
Objednací číslo základny BSC196
 
Klasifikace ochrany životního prostředí a exportu
Stav RoHS Splňuje směrnici ROHS3
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL) 1 (Neomezeně)
Může vás též zajímat

BSC252N10NSFGATMA1

MOSFET N-CH 100V 7.2A/40A TDSON

Infineon Technologies

$1,20000 Podrobnosti

BSC100N06LS3GATMA1

MOSFET N-CH 60V 12A/50A TDSON

Infineon Technologies

$1,05000 Podrobnosti

BSC340N08NS3GATMA1

MOSFET N-CH 80V 7A/23A TDSON-8-5

Infineon Technologies

$0,88000 Podrobnosti

BSZ340N08NS3GATMA1

MOSFET N-CH 80V 6A/23A 8TSDSON

Infineon Technologies

$0,71000 Podrobnosti

BSC123N08NS3GATMA1

MOSFET N-CH 80V 11A/55A TDSON

Infineon Technologies

$1,40000 Podrobnosti

BSC160N10NS3GATMA1

MOSFET N-CH 100V 8.8A/42A TDSON

Infineon Technologies

$1,36000 Podrobnosti
Další zdroje
Standardní balení 1
Další názvy BSC196N10NS GCT
BSC196N10NS GCT-ND
BSC196N10NSGATMA1CT