Cena a dodání
17 663 Skladem
Ihned k odeslání
 

Množství

Přidat do seznamu

Všechny ceny jsou v USD.
Cena za množství Jednotková cena Rozšířená cena
1 2.97000 $2.97
10 2.67000 $26.70
100 2.18790 $218.79
500 1.86252 $931.26
1 000 1.57080 $1,570.80

Odeslat žádost o cenovou nabídku na vyšší, než zobrazená množství.

Jednotková cena
$2.97000

Bez DPH

$3.59370

Včetně DPH

Alternativní balení
  • Páska a cívka (TR)  : 917-1118-2-ND
  • Minimální množství: 2 500
  • DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ: 17 500 - Ihned
  • Jednotková cena: $1.53000
  • Digi-Reel®  : 917-1118-6-ND
  • Minimální množství: 1
  • DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ: 17 663 - Ihned
  • Jednotková cena: Cívka Digi-Reel®
Objednací číslo Digi-Key 917-1118-1-ND
Kopírovat  
Výrobce

EPC

Kopírovat  
Objednací číslo výrobce EPC8002
Kopírovat  
Popis GANFET N-CH 65V 2A DIE
Kopírovat  
Standardní dodací lhůta výrobce 12 týdnů
Podrobný popis

N-kanál 65V 2A (Ta) Montáž na povrch Razidlo

Kopírovat  
Referenční číslo zákazníka
Dokumenty a média
Katalogové listy EPC8002
eGaN® FET Brief
Moduly produktových školení eGaN® FET Reliability
Informace týkající se ochrany životního prostředí EPC RoHS3 Cert
EPC REACH211 Cert
Knihovna referenčních návrhů EPC9022: 1.6A, 0 ~ 28V, Half H-Bridge
Oznámení o změnách produktu - konstrukce/původ Assembly Site 25/Jun/2021
Katalogový list HTML eGaN® FET Brief
EPC8002
Vlastnosti produktu
TYP Popis VYBRAT VŠE
Kategorie
Výrobce EPC
Řada eGaN®
Balení Řezaná páska (CT) 
Stav součásti Aktivní
Typ tranzistoru FET N-kanál
Technologie GaNFET (Galium nitrid)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 65V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 2A (Ta)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 5V
Rds zap (max) při Id, Vgs 530mOhm při 500mA, 5V
Vgs(th) (max) při Id 2,5V při 250µA
Vgs (max) +6V, -4V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 21pF @ 32,5V
Funkce tranzistoru FET -
Rozptylový výkon (Max) -
Provozní teplota -40°C ~ 150°C (TJ)
Způsob montáže Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra Razidlo
Pouzdro Razidlo
 
Klasifikace ochrany životního prostředí a exportu
Stav RoHS Splňuje směrnici ROHS3
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL) 1 (Neomezeně)
Související produkty

LMG1205YFXR

IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 12DSBGA

Texas Instruments

$3.68000 Podrobnosti

LMG1205YFXT

IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 12DSBGA

Texas Instruments

$4.24000 Podrobnosti

LMG1205YFXR

IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 12DSBGA

Texas Instruments

Cívka Digi-Reel® Podrobnosti

LMG1205YFXR

IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 12DSBGA

Texas Instruments

$2.29425 Podrobnosti

LMG1205YFXT

IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 12DSBGA

Texas Instruments

Cívka Digi-Reel® Podrobnosti

LMG1205YFXT

IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 12DSBGA

Texas Instruments

$2.95720 Podrobnosti
Může vás též zajímat

LMG1020YFFR

IC GATE DRVR LOW-SIDE 6DSBGA

Texas Instruments

$5.09000 Podrobnosti

EPC8004

GANFET N-CH 40V 2.7A DIE

EPC

$3.18000 Podrobnosti

EPC2007C

GANFET N-CH 100V 6A DIE OUTLINE

EPC

$2.14000 Podrobnosti

EPC2038

GANFET N-CH 100V 500MA DIE

EPC

$1.16000 Podrobnosti

EPC21603ENGRT

IC LASER DRVR 40V 10A LVDS 6BMPD

EPC

$3.15000 Podrobnosti

EPC2037

GANFET N-CH 100V 1.7A DIE

EPC

$1.34000 Podrobnosti
Další zdroje
Standardní balení 1
Další názvy 917-1118-1