Cena a dodání
5 957 Skladem
Ihned k odeslání
 

Množství

Přidat do seznamu

Všechny ceny jsou v USD.
Cena za množství Jednotková cena Rozšířená cena
1 2.76000 $2.76
10 2.47800 $24.78
100 1.99160 $199.16
500 1.63624 $818.12
1 000 1.35575 $1,355.75

Odeslat žádost o cenovou nabídku na vyšší, než zobrazená množství.

Jednotková cena
$2.76000

Bez DPH

$3.33960

Včetně DPH

Alternativní balení
  • Páska a cívka (TR)  : 917-1084-2-ND
  • Minimální množství: 2 500
  • DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ: 5 000 - Ihned
  • Jednotková cena: $1.27500
  • Digi-Reel®  : 917-1084-6-ND
  • Minimální množství: 1
  • DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ: 5 957 - Ihned
  • Jednotková cena: Cívka Digi-Reel®
Objednací číslo Digi-Key 917-1084-1-ND
Kopírovat  
Výrobce

EPC

Kopírovat  
Objednací číslo výrobce EPC2012C
Kopírovat  
Popis GANFET N-CH 200V 5A DIE OUTLINE
Kopírovat  
Standardní dodací lhůta výrobce 10 týdnů
Podrobný popis

N-kanál 200V 5A (Ta) Montáž na povrch Šablona (4-pájecí tyč)

Kopírovat  
Referenční číslo zákazníka
Dokumenty a média
Katalogové listy EPC2012C
Moduly produktových školení eGaN® FET Reliability
Informace týkající se ochrany životního prostředí EPC RoHS3 Cert
EPC REACH211 Cert
Doporučený produkt EPC Low Voltage eGaN® FETs
EPC9052/53/54 Development Boards
Wireless Power Solutions
Knihovna referenčních návrhů EPC9052: 1A, 0 ~ 40V, 15 MHz, Class E Amplifier
Oznámení o změnách produktu - konstrukce/původ Assembly Site 25/Jun/2021
Katalogový list HTML EPC2012C
Modely EDA / CAD EPC2012C by SnapEDA
Vlastnosti produktu
TYP Popis VYBRAT VŠE
Kategorie
Výrobce EPC
Řada eGaN®
Balení Řezaná páska (CT) 
Stav součásti Aktivní
Typ tranzistoru FET N-kanál
Technologie GaNFET (Galium nitrid)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 200V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 5A (Ta)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 5V
Rds zap (max) při Id, Vgs 100mOhm při 3A, 5V
Vgs(th) (max) při Id 2,5V při 1mA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 1,3nC @ 5V
Vgs (max) +6V, -4V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 140pF @ 100V
Funkce tranzistoru FET -
Rozptylový výkon (Max) -
Provozní teplota -40°C ~ 150°C (TJ)
Způsob montáže Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra Šablona (4-pájecí tyč)
Pouzdro Razidlo
Objednací číslo základny EPC2012
 
Klasifikace ochrany životního prostředí a exportu
Stav RoHS Splňuje směrnici ROHS3
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL) 1 (Neomezeně)
Pro použití s

EPC9052

BOARD DEV EPC2012C EGAN FET

EPC

$143.75000 Podrobnosti

EPC9004C

BOARD DEV FOR EPC2012C 200V EGAN

EPC

$90.00000 Podrobnosti
Může vás též zajímat

EPC2019

GANFET N-CH 200V 8.5A DIE

EPC

$3.67000 Podrobnosti

EPC2037

GANFET N-CH 100V 1.7A DIE

EPC

$1.34000 Podrobnosti

EPC2007C

GANFET N-CH 100V 6A DIE OUTLINE

EPC

$2.14000 Podrobnosti

LMG1020YFFR

IC GATE DRVR LOW-SIDE 6DSBGA

Texas Instruments

$5.09000 Podrobnosti

LMG1020YFFT

IC GATE DRVR LOW-SIDE 6DSBGA

Texas Instruments

$6.10000 Podrobnosti

EPC2108

GANFET 3 N-CH 60V/100V 9BGA

EPC

$1.91000 Podrobnosti
Další zdroje
Standardní balení 1
Další názvy 917-1084-1