Cena a dodání
115 830 Skladem
Ihned k odeslání
 

Množství

Přidat do seznamu

Všechny ceny jsou v USD.
Cena za množství Jednotková cena Rozšířená cena
1 4.69000 $4.69
10 4.21500 $42.15
100 3.45340 $345.34
500 2.93986 $1,469.93
1 000 2.47940 $2,479.40

Odeslat žádost o cenovou nabídku na vyšší, než zobrazená množství.

Jednotková cena
$4.69000

Bez DPH

$5.67490

Včetně DPH

Alternativní balení
  • Páska a cívka (TR)  : 917-1079-2-ND
  • Minimální množství: 2 500
  • DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ: 115 830 - Ihned
  • Jednotková cena: $2.41500
  • Digi-Reel®  : 917-1079-6-ND
  • Minimální množství: 1
  • DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ: 115 830 - Ihned
  • Jednotková cena: Cívka Digi-Reel®
Objednací číslo Digi-Key 917-1079-1-ND
Kopírovat  
Výrobce

EPC

Kopírovat  
Objednací číslo výrobce EPC2001C
Kopírovat  
Popis GANFET N-CH 100V 36A DIE OUTLINE
Kopírovat  
Standardní dodací lhůta výrobce 12 týdnů
Podrobný popis

N-kanál 100V 36A (Ta) Montáž na povrch Šablona (11-pájecí tyč)

Kopírovat  
Referenční číslo zákazníka
Dokumenty a média
Katalogové listy EPC2001C
Moduly produktových školení eGaN® FET Reliability
Informace týkající se ochrany životního prostředí EPC RoHS3 Cert
EPC REACH211 Cert
Doporučený produkt EPC Low Voltage eGaN® FETs
Knihovna referenčních návrhů EPC9126HC: 150A, 0 ~ 80V, Pulsed Laser Diode Driver
Oznámení o změnách produktu - design/technické údaje Mfg Process Update 29/Mar/2016
Oznámení o změnách produktu - konstrukce/původ Assembly Site 25/Jun/2021
Katalogový list HTML EPC2001C
Vlastnosti produktu
TYP Popis VYBRAT VŠE
Kategorie
Výrobce EPC
Řada eGaN®
Balení Řezaná páska (CT) 
Stav součásti Aktivní
Typ tranzistoru FET N-kanál
Technologie GaNFET (Galium nitrid)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 100V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 36A (Ta)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 5V
Rds zap (max) při Id, Vgs 7mOhm při 25A, 5V
Vgs(th) (max) při Id 2,5V při 5mA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 9nC @ 5V
Vgs (max) +6V, -4V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 900pF @ 50V
Funkce tranzistoru FET -
Rozptylový výkon (Max) -
Provozní teplota -40°C ~ 150°C (TJ)
Způsob montáže Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra Šablona (11-pájecí tyč)
Pouzdro Razidlo
Objednací číslo základny EPC2001
 
Klasifikace ochrany životního prostředí a exportu
Stav RoHS Splňuje směrnici ROHS3
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL) 1 (Neomezeně)
Pro použití s

EPC9126HC

LIDAR DEMO BOARD 100V EPC2001C

EPC

$231.25000 Podrobnosti

EPC9013

BOARD DEV FOR EPC2001 100V EGAN

EPC

$143.75000 Podrobnosti

EPC9002C

BOARD DEV FOR EPC2001C 100V

EPC

$90.00000 Podrobnosti
Související produkty Zobrazit další

LMG1020YFFR

IC GATE DRVR LOW-SIDE 6DSBGA

Texas Instruments

$5.09000 Podrobnosti

LMG1020YFFT

IC GATE DRVR LOW-SIDE 6DSBGA

Texas Instruments

$5.85000 Podrobnosti

LMG1205YFXR

IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 12DSBGA

Texas Instruments

$3.68000 Podrobnosti

LM5113TME/NOPB

IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 12DSBGA

Texas Instruments

$5.51000 Podrobnosti

LMG1205YFXT

IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 12DSBGA

Texas Instruments

$4.24000 Podrobnosti

LM5113QDPRRQ1

IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 10WSON

Texas Instruments

$5.00000 Podrobnosti
Může vás též zajímat

EPC2212

GANFET N-CH 100V 18A DIE

EPC

$2.99000 Podrobnosti

LMG1210RVRR

IC GATE DRVR GAN MOSFET

Texas Instruments

$6.22000 Podrobnosti

LMG1020YFFR

IC GATE DRVR LOW-SIDE 6DSBGA

Texas Instruments

$5.09000 Podrobnosti

EPC2022

GANFET N-CH 100V 90A DIE

EPC

$8.06000 Podrobnosti

LMG1020YFFT

IC GATE DRVR LOW-SIDE 6DSBGA

Texas Instruments

$5.85000 Podrobnosti

NC7WZ16L6X

IC BUF NON-INVERT 5.5V 6MICROPAK

onsemi

$0.45000 Podrobnosti
Další zdroje
Standardní balení 1
Další názvy 917-1079-1