Jednoduché tranzistory FET, MOSFET

Zobrazuje se

z 3

Objednací č. Mfr	DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ	Cena	Řada	Balení	Stav produktu	Typ tranzistoru FET	Technologie	Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	Rds zap (max) při Id, Vgs	Vgs(th) (max) při Id	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	Vgs (max)	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	Funkce tranzistoru FET	Rozptylový výkon (Max)	Provozní teplota	Třída	Kvalifikace	Způsob montáže	Dodávaná velikost pouzdra	Pouzdro
T2N7002AK,LM MOSFET N-CH 60V 200MA SOT23 Toshiba Semiconductor and Storage	168 696 Skladem	1 : 2,84000 Kč Řezaná páska (CT) 3 000 : 0,48964 Kč Páska a cívka (TR)	U-MOSVII-H	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Aktivní	N-kanál	MOSFET (oxid kovu)	60 V	200mA (Ta)	4,5V, 10V	3,9Ohm při 100mA, 10V	2,1V při 250µA	0.35 nC @ 4.5 V	±20V	17 pF @ 10 V	-	320mW (Ta)	150°C (TJ)	-	-	Montáž na povrch	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
IPN60R2K1CEATMA1 MOSFET N-CH 600V 3.7A SOT223 Infineon Technologies	8 494 Skladem	1 : 15,49000 Kč Řezaná páska (CT) 3 000 : 3,69456 Kč Páska a cívka (TR)	CoolMOS™ CE	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Aktivní	N-kanál	MOSFET (oxid kovu)	600 V	3,7A (Tc)	10V	2,1Ohm při 800mA, 10V	3,5V při 60µA	6.7 nC @ 10 V	±20V	140 pF @ 100 V	-	5W (Tc)	-40°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montáž na povrch	PG-SOT223-3	TO-261-4, TO-261AA
DI040P04PT MOSFET POWERQFN 3X3 P -40V -40A Diotec Semiconductor	4 818 Skladem	1 : 28,37000 Kč Řezaná páska (CT) 5 000 : 6,85763 Kč Páska a cívka (TR)	-	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Aktivní	P-kanál	MOSFET (oxid kovu)	40 V	40A (Tc)	4,5V, 10V	15mOhm při 10A, 10V	2,5V při 250µA	59 nC @ 10 V	±20V	3538 pF @ 20 V	-	22,7W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montáž na povrch	8-QFN (3x3)	8-PowerWDFN

Zobrazuje se

z 3

Diskrétní tranzistory řízené elektrickým polem (FET) se široce používají při přeměně energie, řízení motorů, polovodičovém osvětlení a v dalších aplikacích, kde je výhodná jejich charakteristická schopnost zapínání a vypínání na vysokých frekvencích při současném přenosu značně vysokých proudů. Používají se takřka všestranně u aplikací vyžadujících jmenovité napětí několik stovek voltů nebo méně, nad kterým se jiné typy součástek, jako jsou tranzistory IGBT, stávají konkurenceschopnějšími.