Pole FET, MOSFET

Výsledky : 5 744
Výrobce
Advanced Linear Devices Inc.Alpha & Omega Semiconductor Inc.Analog Devices Inc./Maxim IntegratedAnalog Power Inc.Central Semiconductor CorpComchip TechnologyDiodes IncorporatedDiotec SemiconductorEMO Inc.EPCEPC Space, LLCFairchild Semiconductor
Řada
-*AlphaDFN™AlphaMOSAlphaSGT™CC, CoolSiC™CAB425M12XM3CoolMOS™CoolSiC™CoolSiC™+DeepGATE™, STripFET™ H6
Balení
Digi-Reel®Hromadné baleníKrabiceNosičPásekPáska a cívka (TR)TrubiceŘezaná páska (CT)
Stav produktu
AktivníDatum posledního nákupuNení určeno pro nové konstrukceUkončeno ve společnosti Digi-KeyZastaralé
Technologie
-GaNFET (Galium nitrid)Karbid křemíku (SiC)MOSFET (oxid kovu)SiCFET (karbid křemíku)
Konfigurace
2 N a 2 P-kanál2 N a 2 P-kanál přizpůsobený pár2 N kanál (Dual Buck Chopper)2 N kanál (fázové rameno)2 N-kanál2 N-kanál (Cascoded)2 N-kanál (duální)2 N-kanál (duální) asymetrický2 N-kanál (duální) přizpůsobený pár2 N-kanál (duální) společný odtok2 N-kanál (duální) společný zdroj2 N-kanál (duální), P-kanál
Funkce tranzistoru FET
-Hradlo logické úrovněHradlo logické úrovně, 0,9V pohonHradlo logické úrovně, 1,2V pohonHradlo logické úrovně, 1,5V pohonHradlo logické úrovně, 1,8V pohonHradlo logické úrovně, 10V pohonHradlo logické úrovně, 2,5V pohonHradlo logické úrovně, 4,5V pohonHradlo logické úrovně, 4V pohonHradlo logické úrovně, 5V pohonKarbid křemíku (SiC)Režim spotřeby
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)
5,5V8V10V10,6V12V12V, 20V14V15V16V20V20V, 12V20V, 8V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C
12mA, 3mA40mA40mA, 16mA50mA (Ta)80mA100mA100mA (Ta)100mA, 200mA100mA, 5,5A115mA115mA (Ta)115mA (Ta), 130mA (Ta)
Rds zap (max) při Id, Vgs
0,46mOhm při 160A, 12V0,762mOhm při 160A, 12V0,765mOhm při 160A, 12V, 0,580mOhm při 160A, 12V0,765mOhm při 160A, 12V, 0,710mOhm při 160A, 12V0,8mOhm při 1200A, 10V0,88mOhm při 160A, 14V, 0,71mOhm při 160A, 14V0,88mOhm při 50A, 10V0,95mOhm při 30A, 10V0,95mOhm při 8A, 4,5V0,99mOhm při 80A, 10V, 1,35mOhm při 80A, 10V1,039mOhm při 160A, 12V, 762µOhm při 160A, 12V1,15mOhm při 100A, 10V
Vgs(th) (max) při Id
10mV při 10µA10mV při 1µA10mV při 20µA20mV při 10µA20mV při 1µA20mV při 20µA180mV při 1µA200mV při 2,8A, 200mV při 1,9A220mV při 1µA360mV při 1µA380mV při 1µA400mV při 250µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs
0,4pC při 4,5V, 7,3nC při 4,5V0,45pC při 4,5V50pC při 4,5V0,16nC při 5V, 0,044nC při 5V0,22nC při 5V, 0,044nC při 5V0,26nC při 2,5V0,28nC při 4,5V0,28nC při 4,5V, 0,3nC při 4,5V0,3nC při 4,5V0,3nC při 4,5V, 0,28nC při 4,5V0,304nC při 4,5V0,31nC při 4,5V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds
2,5pF při 5V3pF při 5V5pF při 3V6pF při 3V6,2pF při 10V6,6pF při 10V7pF při 10V7pF při 3V7,1pF při 10V7,4pF při 10V7,5pF při 10V8,5pF při 3V
Výkon - max
490µW500µW (Ta)10mW20mW120mW125mW125mW (Ta)140mW150mW150mW (Ta)180mW200mW
Provozní teplota
-65°C ~ 150°C (TJ)-55°C ~ 125°C-55°C ~ 150°C-55°C ~ 150°C (TA)-55°C ~ 150°C (Tc)-55°C ~ 150°C (TJ)-55°C ~ 155°C (TJ)-55°C ~ 175°C-55°C ~ 175°C (TA)-55°C ~ 175°C (TJ)-50°C ~ 150°C (TJ)-40°C ~ 125°C
Třída
-Automobilový průmyslVojenství
Kvalifikace
-AEC-Q100AEC-Q101MIL-PRF-19500/597MIL-PRF-19500/599
Způsob montáže
-Montáž na povrchMontáž na povrch, Smáčitelný bokMontáž na šasiPrůchozí otvor
Pouzdro
4-SMD, Bez přívodů4-UFBGA, WLBGA4-UFBGA, WLCSP4-UFLGA4-VDFN4-VFDFN podložka pro odvod tepla4-XBGA, 4-FCBGA4-XDFN4-XFBGA4-XFBGA, DSBGA4-XFBGA, FCBGA4-XFBGA, WLBGA
Dodávaná velikost pouzdra
4-AlphaDFN (0,97x0,97)4-AlphaDFN (1,2 x 1,2)4-AlphaDFN (1,9x1,3)4-BGA (1x1)4-CSP (0,8x0,8)4-CSP (1,11x1,11)4-CSP (1,1x1,1)4-CSP (1,29x1,29)4-CSP (1,74x1,74)4-DFN (1,5x1,5)4-DFN (1,7x1,7)4-EFCP (1,01x1,01)
Skladové možnosti
Možnosti ochrany životního prostředí
Média
PRODUKT SLUŽBY MARKETPLACE
5 744Výsledky
Zobrazuje se
z 5 744
Objednací č. Mfr
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
Cena
Řada
Balení
Stav produktu
Technologie
Konfigurace
Funkce tranzistoru FET
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C
Rds zap (max) při Id, Vgs
Vgs(th) (max) při Id
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds
Výkon - max
Provozní teplota
Třída
Kvalifikace
Způsob montáže
Pouzdro
Dodávaná velikost pouzdra
338 452
Skladem
1 : 3,15000 Kč
Řezaná páska (CT)
3 000 : 0,81055 Kč
Páska a cívka (TR)
-
Páska a cívka (TR)
Řezaná páska (CT)
Digi-Reel®
Aktivní
MOSFET (oxid kovu)
2 N-kanál (duální)
-
60V
300mA
1,5Ohm při 100mA, 10V
2,1V při 250µA
0,6nC při 4,5V
40pF při 10V
285mW
150°C (TJ)
-
-
Montáž na povrch
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
US6
SOT 363
2N7002DW-7-F
MOSFET 2N-CH 60V 0.23A SOT363
Diodes Incorporated
114 078
Skladem
1 : 4,73000 Kč
Řezaná páska (CT)
3 000 : 1,27197 Kč
Páska a cívka (TR)
-
Páska a cívka (TR)
Řezaná páska (CT)
Digi-Reel®
Aktivní
MOSFET (oxid kovu)
2 N-kanál (duální)
-
60V
230mA
7,5Ohm při 50mA, 5V
2V při 250µA
-
50pF při 25V
310mW
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montáž na povrch
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
SOT-363
62 649
Skladem
1 : 4,96000 Kč
Řezaná páska (CT)
4 000 : 1,26962 Kč
Páska a cívka (TR)
-
Páska a cívka (TR)
Řezaná páska (CT)
Digi-Reel®
Aktivní
MOSFET (oxid kovu)
N a P-kanál
Hradlo logické úrovně, 1,5V pohon
20V
800mA (Ta)
235mOhm při 800mA, 4,5V, 390mOhm při 800mA, 4,5V
1V při 1mA
1nC při 10V
55pF při 10V, 100pF při 10V
150mW (Ta)
150°C
-
-
Montáž na povrch
SOT-563, SOT-666
ES6
PMBT2222AYS-QX
2N7002PS,115
MOSFET 2N-CH 60V 0.32A 6TSSOP
Nexperia USA Inc.
1 978
Skladem
1 : 4,96000 Kč
Řezaná páska (CT)
3 000 : 1,25026 Kč
Páska a cívka (TR)
-
Páska a cívka (TR)
Řezaná páska (CT)
Digi-Reel®
Není určeno pro nové konstrukce
MOSFET (oxid kovu)
2 N-kanál (duální)
Hradlo logické úrovně
60V
320mA
1,6Ohm při 500mA, 10V
2,4V při 250µA
0,8nC při 4,5V
50pF při 10V
420mW
150°C (TJ)
Automobilový průmysl
AEC-Q100
Montáž na povrch
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
6-TSSOP
190 573
Skladem
1 : 5,18000 Kč
Řezaná páska (CT)
3 000 : 1,35338 Kč
Páska a cívka (TR)
-
Páska a cívka (TR)
Řezaná páska (CT)
Digi-Reel®
Aktivní
MOSFET (oxid kovu)
2 N-kanál (duální)
Hradlo logické úrovně, 1,5V pohon
20V
250mA (Ta)
2,2Ohm při 100mA, 4,5V
1V při 1mA
-
12pF při 10V
300mW
150°C
-
-
Montáž na povrch
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
US6
6-XFDFN
PMDXB600UNEZ
MOSFET 2N-CH 20V 0.6A 6DFN
Nexperia USA Inc.
37 245
Skladem
1 : 5,18000 Kč
Řezaná páska (CT)
5 000 : 1,27051 Kč
Páska a cívka (TR)
1 : 6,08000 Kč
Řezaná páska (CT)
Páska a cívka (TR)
Řezaná páska (CT)
Řezaná páska (CT)
Digi-Reel®
Digi-Reel®
Aktivní
MOSFET (oxid kovu)
2 N-kanál (duální)
Hradlo logické úrovně
20V
600mA
620mOhm při 600mA, 4,5V
950mV při 250µA
0,7nC při 4,5V
21,3pF při 10V
265mW
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montáž na povrch
6-XFDFN podložka pro odvod tepla
DFN1010B-6
PG-SOT363-PO
2N7002DWH6327XTSA1
MOSFET 2N-CH 60V 0.3A SOT363
Infineon Technologies
4 848
Skladem
1 : 5,41000 Kč
Řezaná páska (CT)
3 000 : 1,45837 Kč
Páska a cívka (TR)
Páska a cívka (TR)
Řezaná páska (CT)
Digi-Reel®
Aktivní
MOSFET (oxid kovu)
2 N-kanál (duální)
Hradlo logické úrovně
60V
300mA
3Ohm při 500mA, 10V
2,5V při 250µA
0,6nC při 10V
20pF při 25V
500mW
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montáž na povrch
6-VSSOP, SC-88, SOT-363
PG-SOT363-PO
140 621
Skladem
1 : 5,63000 Kč
Řezaná páska (CT)
4 000 : 1,42508 Kč
Páska a cívka (TR)
-
Páska a cívka (TR)
Řezaná páska (CT)
Digi-Reel®
Aktivní
MOSFET (oxid kovu)
2 N-kanál (duální)
Hradlo logické úrovně
30V
100mA
4Ohm při 10mA, 4V
1,5V při 100µA
-
8,5pF při 3V
150mW
150°C (TJ)
-
-
Montáž na povrch
SOT-563, SOT-666
ES6
PMBT2222AYS-QX
BSS138PS,115
MOSFET 2N-CH 60V 0.32A 6TSSOP
Nexperia USA Inc.
318 342
Skladem
1 : 5,86000 Kč
Řezaná páska (CT)
3 000 : 1,54098 Kč
Páska a cívka (TR)
Páska a cívka (TR)
Řezaná páska (CT)
Digi-Reel®
Aktivní
MOSFET (oxid kovu)
2 N-kanál (duální)
Hradlo logické úrovně
60V
320mA
1,6Ohm při 300mA, 10V
1,5V při 250µA
0,8nC při 4,5V
50pF při 10V
420mW
150°C (TJ)
Automobilový průmysl
AEC-Q101
Montáž na povrch
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
6-TSSOP
SOT 363
DMG1016UDW-7
MOSFET N/P-CH 20V SOT363
Diodes Incorporated
48 979
Skladem
1 290 000
Továrna
1 : 6,08000 Kč
Řezaná páska (CT)
3 000 : 1,60789 Kč
Páska a cívka (TR)
-
Páska a cívka (TR)
Řezaná páska (CT)
Digi-Reel®
Aktivní
MOSFET (oxid kovu)
N a P-kanál
Hradlo logické úrovně
20V
1,07A, 845mA
450mOhm při 600mA, 4,5V
1V při 250µA
0,74nC při 4,5V
60,67pF při 10V
330mW
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montáž na povrch
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
SOT-363
UMT6
UM6K33NTN
MOSFET 2N-CH 50V 0.2A UMT6
Rohm Semiconductor
742 952
Skladem
1 : 6,53000 Kč
Řezaná páska (CT)
3 000 : 1,40317 Kč
Páska a cívka (TR)
-
Páska a cívka (TR)
Řezaná páska (CT)
Digi-Reel®
Aktivní
MOSFET (oxid kovu)
2 N-kanál (duální)
Hradlo logické úrovně, 1,2V pohon
50V
200mA
2,2Ohm při 200mA, 4,5V
1V při 1mA
-
25pF při 10V
120mW
150°C (TJ)
-
-
Montáž na povrch
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
UMT6
UMT6
UM6K34NTCN
MOSFET 2N-CH 50V 0.2A UMT6
Rohm Semiconductor
335 882
Skladem
1 : 6,53000 Kč
Řezaná páska (CT)
3 000 : 1,78588 Kč
Páska a cívka (TR)
-
Páska a cívka (TR)
Řezaná páska (CT)
Digi-Reel®
Aktivní
MOSFET (oxid kovu)
2 N-kanál (duální)
Hradlo logické úrovně, 0,9V pohon
50V
200mA
2,2Ohm při 200mA, 4,5V
800mV při 1mA
-
26pF při 10V
120mW
150°C (TJ)
-
-
Montáž na povrch
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
UMT6
EMT6_EMT6 PKg
EM6K34T2CR
MOSFET 2N-CH 50V 0.2A EMT6
Rohm Semiconductor
163 795
Skladem
1 : 6,53000 Kč
Řezaná páska (CT)
8 000 : 1,57614 Kč
Páska a cívka (TR)
-
Páska a cívka (TR)
Řezaná páska (CT)
Digi-Reel®
Aktivní
MOSFET (oxid kovu)
2 N-kanál (duální)
Hradlo logické úrovně, 0,9V pohon
50V
200mA
2,2Ohm při 200mA, 4,5V
800mV při 1mA
-
26pF při 10V
120mW
150°C (TJ)
-
-
Montáž na povrch
SOT-563, SOT-666
EMT6
TSOT-26
DMG6602SVT-7
MOSFET N/P-CH 30V 3.4A TSOT26
Diodes Incorporated
99 345
Skladem
3 012 000
Továrna
1 : 6,53000 Kč
Řezaná páska (CT)
3 000 : 1,75081 Kč
Páska a cívka (TR)
-
Páska a cívka (TR)
Řezaná páska (CT)
Digi-Reel®
Není určeno pro nové konstrukce
MOSFET (oxid kovu)
N a P-kanál
Hradlo logické úrovně, 4,5V pohon
30V
3,4A, 2,8A
60mOhm při 3,1A, 10V
2,3V při 250µA
13nC při 10V
400pF při 15V
840mW
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montáž na povrch
SOT-23-6 tenký, TSOT-23-6
TSOT-26
TSOT-26
DMG6601LVT-7
MOSFET N/P-CH 30V 3.8A TSOT26
Diodes Incorporated
6 168
Skladem
2 514 000
Továrna
1 : 6,53000 Kč
Řezaná páska (CT)
3 000 : 1,77236 Kč
Páska a cívka (TR)
-
Páska a cívka (TR)
Řezaná páska (CT)
Digi-Reel®
Aktivní
MOSFET (oxid kovu)
N a P-kanál
Hradlo logické úrovně
30V
3,8A, 2,5A
55mOhm při 3,4A, 10V
1,5V při 250µA
12,3nC při 10V
422pF při 15V
850mW
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montáž na povrch
SOT-23-6 tenký, TSOT-23-6
TSOT-26
PG-SOT363-PO
BSD840NH6327XTSA1
MOSFET 2N-CH 20V 0.88A SOT363
Infineon Technologies
130 063
Skladem
1 : 7,21000 Kč
Řezaná páska (CT)
3 000 : 1,93705 Kč
Páska a cívka (TR)
Páska a cívka (TR)
Řezaná páska (CT)
Digi-Reel®
Aktivní
MOSFET (oxid kovu)
2 N-kanál (duální)
Hradlo logické úrovně
20V
880mA
400mOhm při 880mA, 2,5V
750mV při 1,6µA
0,26nC při 2,5V
78pF při 10V
500mW
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montáž na povrch
6-VSSOP, SC-88, SOT-363
PG-SOT363-PO
PMBT2222AYS-QX
PMGD290XN,115
MOSFET 2N-CH 20V 0.86A 6TSSOP
Nexperia USA Inc.
68 880
Skladem
1 : 7,21000 Kč
Řezaná páska (CT)
3 000 : 1,95943 Kč
Páska a cívka (TR)
Páska a cívka (TR)
Řezaná páska (CT)
Digi-Reel®
Není určeno pro nové konstrukce
MOSFET (oxid kovu)
2 N-kanál (duální)
Hradlo logické úrovně
20V
860mA
350mOhm při 200mA, 4,5V
1,5V při 250µA
0,72nC při 4,5V
34pF při 20V
410mW
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montáž na povrch
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
6-TSSOP
PEMD4-QX
2N7002BKV,115
MOSFET 2N-CH 60V 0.34A SOT666
Nexperia USA Inc.
34 758
Skladem
1 : 7,21000 Kč
Řezaná páska (CT)
4 000 : 1,89962 Kč
Páska a cívka (TR)
Páska a cívka (TR)
Řezaná páska (CT)
Digi-Reel®
Není určeno pro nové konstrukce
MOSFET (oxid kovu)
2 N-kanál (duální)
Hradlo logické úrovně
60V
340mA
1,6Ohm při 500mA, 10V
2,1V při 250µA
0,6nC při 4,5V
50pF při 10V
350mW
150°C (TJ)
Automobilový průmysl
AEC-Q101
Montáž na povrch
SOT-563, SOT-666
SOT-666
SOT-563
NTZD3154NT1G
MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT563
onsemi
454 082
Skladem
1 : 7,43000 Kč
Řezaná páska (CT)
4 000 : 1,95707 Kč
Páska a cívka (TR)
-
Páska a cívka (TR)
Řezaná páska (CT)
Digi-Reel®
Aktivní
MOSFET (oxid kovu)
2 N-kanál (duální)
-
20V
540mA
550mOhm při 540mA, 4,5V
1V při 250µA
2,5nC při 4,5V
150pF při 16V
250mW
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montáž na povrch
SOT-563, SOT-666
SOT-563
SOT 363
2N7002DW
MOSFET 2N-CH 60V 0.115A SC88
onsemi
94 193
Skladem
1 : 7,43000 Kč
Řezaná páska (CT)
3 000 : 2,04542 Kč
Páska a cívka (TR)
-
Páska a cívka (TR)
Řezaná páska (CT)
Digi-Reel®
Aktivní
MOSFET (oxid kovu)
2 N-kanál (duální)
Hradlo logické úrovně
60V
115mA
7,5Ohm při 50mA, 5V
2V při 250µA
-
50pF při 25V
200mW
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montáž na povrch
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
SC-88 (SC-70-6)
SOT-363
NTJD4401NT1G
MOSFET 2N-CH 20V 0.63A SC88
onsemi
28 678
Skladem
1 : 7,43000 Kč
Řezaná páska (CT)
3 000 : 2,04054 Kč
Páska a cívka (TR)
-
Páska a cívka (TR)
Řezaná páska (CT)
Digi-Reel®
Aktivní
MOSFET (oxid kovu)
2 N-kanál (duální)
Hradlo logické úrovně
20V
630mA
375mOhm při 630mA, 4,5V
1,5V při 250µA
3nC při 4,5V
46pF při 20V
270mW
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montáž na povrch
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
SC-88/SC70-6/SOT-363
20 395
Skladem
1 : 7,43000 Kč
Řezaná páska (CT)
4 000 : 1,93341 Kč
Páska a cívka (TR)
-
Páska a cívka (TR)
Řezaná páska (CT)
Digi-Reel®
Aktivní
MOSFET (oxid kovu)
N a P-kanál
Hradlo logické úrovně, 1,5V pohon
20V
800mA (Ta), 720mA (Ta)
240mOhm při 500mA, 4,5V, 300mOhm při 400mA, 4,5V
1V při 1mA
2nC při 4,5V, 1,76nC při 4,5V
90pF při 10V, 110pF při 10V
150mW (Ta)
150°C
-
-
Montáž na povrch
SOT-563, SOT-666
ES6
PG-SOT363-PO
BSD235NH6327XTSA1
MOSFET 2N-CH 20V 0.95A SOT363
Infineon Technologies
35 474
Skladem
1 : 7,66000 Kč
Řezaná páska (CT)
3 000 : 2,09326 Kč
Páska a cívka (TR)
Páska a cívka (TR)
Řezaná páska (CT)
Digi-Reel®
Aktivní
MOSFET (oxid kovu)
2 N-kanál (duální)
Hradlo logické úrovně
20V
950mA
350mOhm při 950mA, 4,5V
1,2V při 1,6µA
0,32nC při 4,5V
63pF při 10V
500mW
-55°C ~ 150°C (TJ)
Automobilový průmysl
AEC-Q101
Montáž na povrch
6-VSSOP, SC-88, SOT-363
PG-SOT363-PO
34 436
Skladem
1 : 7,66000 Kč
Řezaná páska (CT)
3 000 : 2,06638 Kč
Páska a cívka (TR)
-
Páska a cívka (TR)
Řezaná páska (CT)
Digi-Reel®
Není určeno pro nové konstrukce
MOSFET (oxid kovu)
N a P-kanál
Hradlo logické úrovně
30V
400mA, 200mA
700mOhm při 200MA, 10V
1,8V při 100µA
-
20pF při 5V
300mW
150°C (TJ)
-
-
Montáž na povrch
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
US6
PEMD4-QX
PMDT290UNE,115
MOSFET 2N-CH 20V 0.8A SOT666
Nexperia USA Inc.
76 474
Skladem
1 : 7,89000 Kč
Řezaná páska (CT)
4 000 : 2,09169 Kč
Páska a cívka (TR)
Páska a cívka (TR)
Řezaná páska (CT)
Digi-Reel®
Není určeno pro nové konstrukce
MOSFET (oxid kovu)
2 N-kanál (duální)
Hradlo logické úrovně
20V
800mA
380mOhm při 500mA, 4,5V
950mV při 250µA
0,68nC při 4,5V
83pF při 10V
500mW
-55°C ~ 150°C (TJ)
Automobilový průmysl
AEC-Q101
Montáž na povrch
SOT-563, SOT-666
SOT-666
Zobrazuje se
z 5 744

Pole FET, MOSFET

Tranzistory řízené polem (FET) jsou elektronické součástky, které k řízení toku proudu používají elektrické pole. Přivedením napětí na svorku hradla se mění vodivost mezi odtokovou a zdrojovou svorkou. Tranzistory FET jsou známé také jako unipolární tranzistory, protože pracují s jedním typem nosiče. Znamená to, že tranzistory FET používají během provozu jako nosiče náboje elektrony nebo díry, nikoli však obojí. Tranzistory řízené polem obvykle vykazují velmi nízkou vstupní impedanci na nízkých kmitočtech.