Jednoduché tranzistory FET, MOSFET

Výsledky : 42 039
Výrobce
Alpha & Omega Semiconductor Inc.Analog Power Inc.ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITEDCambridge GaN DevicesCentral Semiconductor CorpCoherent CorpComchip TechnologyDiodes IncorporatedDiotec SemiconductorEPCEPC Space, LLCEVVO
Řada
-*2N7002KAlphaMOSAlphaSGT2™AlphaSGT™aMOS5™aMOS™AP4NA2R2HCAutomotive, AEC-Q101Automotive, AEC-Q101, STripFET™ F7Automotive, AEC-Q101, UltraFET™
Balení
Digi-Reel®Hromadné baleníKrabiceNosičPásekPáska a cívka (TR)Páska a krabice (TB)SáčekTrubiceŘezaná páska (CT)
Stav produktu
AktivníDatum posledního nákupuNení určeno pro nové konstrukceUkončeno ve společnosti Digi-KeyZastaralé
Typ tranzistoru FET
-N-kanálP-kanál
Technologie
-GaNFET (Galium nitrid)GaNFET (kaskodový gallium-nitridový FET)MOSFET (oxid kovu)SiC (tranzistor s přechodem z karbidu křemíku)SiCFET (karbid křemíku)SiCFET (kaskodový SiCJFET)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)
-30 V5 V5.5 V6 V8 V9 V10 V12 V14 V15 V16 V16.5 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C
150µA (Ta)520µA (Ta)5mA (Ta)10mA (Ta)13mA (Tj)21mA (Ta)30mA30mA (Ta)30mA (Tc)30mA (Tj)34mA (Ta)35mA (Ta)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)
0V0V, 10V0V, 18V0,35V0,9V, 2,5V0,9V, 4,5 V1,2V, 10V1,2V, 2,5V1,2V, 3V1,2V, 4,5V1,2V, 4V1,2V, 5V
Rds zap (max) při Id, Vgs
0,29mOhm při 50A, 10V0,3mOhm při 200A, 10V0,35mOhm při 50A, 10V0,36mOhm při 100A, 10V0,39mOhm při 100A, 10V0,4mOhm při 150A, 10V0,4mOhm při 30A, 10V0,4mOhm při 50A, 10V0,42mOhm při 50A, 10V0,44mOhm při 88A, 10V0,45mOhm při 30A, 10V0,45mOhm při 30A, 7V
Vgs(th) (max) při Id
300mV při 250µA400mV při 1mA (min.)400mV při 250µA400mV při 250µA (min.)450mV při 100µA (min.)450mV při 1mA (min.)450mV při 250µA (min.)450mV při 2mA (min.)500mV při 250µA (min.)570mV při 1mA (typ.)600mV při 1,2mA (min.)600mV při 1mA (min.)
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs
0.0007 nC @ 4.5 V0.044 nC @ 5 V0.064 nC @ 5 V0.12 nC @ 5 V0.15 nC @ 10 V0.18 nC @ 10 V0.21 nC @ 10 V0.22 nC @ 4.5 V0.23 nC @ 4.5 V0.233 nC @ 10 V0.28 nC @ 4.5 V0.281 nC @ 10 V
Vgs (max)
-20V-12V-10V-10V, +20V-8V-8V, +19V-8V, 0V-6,5V-6V-5V+0,6V, -12V+2V, -15V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds
3.5 pF @ 15 V4.5 pF @ 5 V5.2 pF @ 6 V5.5 pF @ 3 V6 pF @ 3 V6 pF @ 25 V6.2 pF @ 10 V6.5 pF @ 10 V6.5 pF @ 25 V6.6 pF @ 10 V7 pF @ 3 V7 pF @ 10 V
Funkce tranzistoru FET
-Detekce prouduDioda pro snímání teplotyRežim spotřebySchottkyho dioda (samostatná)Schottkyho dioda (těleso)
Rozptylový výkon (Max)
400µW400µW (Ta)500µW (Ta)100mW100mW (Ta)120mW (Ta)121mW (Ta)125mW (Ta)125mW (Ta), 3W (Tc)150mW150mW (Ta)150mW (Tc)
Provozní teplota
-65°C ~ 150°C (TJ)-65°C ~ 175°C (TJ)-60°C ~ 175°C (TJ)-55°C ~ 100°C-55°C ~ 110°C (TA)-55°C ~ 125°C-55°C ~ 125°C (TA)-55°C ~ 125°C (TJ)-55°C ~ 135°C (TJ)-55°C ~ 150°C-55°C ~ 150°C (TA)-55°C ~ 150°C (TJ)
Třída
-Automobilový průmyslVojenství
Kvalifikace
-AEC-Q100AEC-Q101MIL-PRF-19500/542MIL-PRF-19500/543MIL-PRF-19500/555MIL-PRF-19500/556MIL-PRF-19500/557MIL-PRF-19500/562MIL-PRF-19500/564MIL-PRF-19500/570MIL-PRF-19500/592MIL-PRF-19500/595MIL-PRF-19500/601
Způsob montáže
-Montáž na povrchMontáž na povrch, Smáčitelný bokMontáž na šasiPrůchozí otvor
Dodávaná velikost pouzdra
2-HWSON (5x4)3-CP3-CPH3-DFN (0,6x1)3-DFN (1,0 x 0,60)3-DFN (1x0,6)3-FCDGA (3,2x2,2)3-LGA (0,73x0,64)3-LGA (4,1x8)3-MCPH3-MPAK3-PICOSTAR
Pouzdro
2-DFN podložka pro odvod tepla3-DFN podložka pro odvod tepla3-FLGA3-PowerDFN3-PowerSMD, Ploché vodiče3-PowerTDFN3-PowerUDFN3-PowerVDFN3-SIP3-SMD, Bez přívodů3-SMD, Nestandardní3-SMD, Ploché vodiče
Skladové možnosti
Možnosti ochrany životního prostředí
Média
PRODUKT SLUŽBY MARKETPLACE
42 039Výsledky
Zobrazuje se
z 42 039
Objednací č. Mfr
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
Cena
Řada
Balení
Stav produktu
Typ tranzistoru FET
Technologie
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)
Rds zap (max) při Id, Vgs
Vgs(th) (max) při Id
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs
Vgs (max)
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds
Funkce tranzistoru FET
Rozptylový výkon (Max)
Provozní teplota
Třída
Kvalifikace
Způsob montáže
Dodávaná velikost pouzdra
Pouzdro
210 131
Skladem
1 : 2,25000 Kč
Řezaná páska (CT)
3 000 : 0,54800 Kč
Páska a cívka (TR)
Páska a cívka (TR)
Řezaná páska (CT)
Digi-Reel®
Aktivní
N-kanál
MOSFET (oxid kovu)
60 V
400mA (Ta)
4,5V, 10V
1,5Ohm při 100mA, 10V
2,1V při 250µA
0.6 nC @ 4.5 V
±20V
40 pF @ 10 V
-
320mW (Ta)
150°C (TJ)
-
-
Montáž na povrch
SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT 23
2N7002-TP
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23
Micro Commercial Co
107 014
Skladem
1 : 2,25000 Kč
Řezaná páska (CT)
3 000 : 0,55439 Kč
Páska a cívka (TR)
-
Páska a cívka (TR)
Řezaná páska (CT)
Digi-Reel®
Aktivní
N-kanál
MOSFET (oxid kovu)
60 V
115mA (Ta)
5V, 10V
7,5Ohm při 500mA, 10V
2,5V při 250µA
-
±20V
50 pF @ 25 V
-
200mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montáž na povrch
SOT-23
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
TO-236AB
2N7002NXAKR
MOSFET N-CH 60V 190MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
102 215
Skladem
1 : 2,25000 Kč
Řezaná páska (CT)
3 000 : 0,54455 Kč
Páska a cívka (TR)
-
Páska a cívka (TR)
Řezaná páska (CT)
Digi-Reel®
Aktivní
N-kanál
MOSFET (oxid kovu)
60 V
190mA (Ta), 300mA (Tc)
5V, 10V
4,5Ohm při 100mA, 10V
2,1V při 250µA
0.43 nC @ 4.5 V
±20V
20 pF @ 10 V
-
265mW (Ta), 1,33W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montáž na povrch
TO-236AB
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
2N7002-7-F
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
Diodes Incorporated
342 896
Skladem
1 : 2,48000 Kč
Řezaná páska (CT)
3 000 : 0,64451 Kč
Páska a cívka (TR)
-
Páska a cívka (TR)
Řezaná páska (CT)
Digi-Reel®
Aktivní
N-kanál
MOSFET (oxid kovu)
60 V
115mA (Ta)
5V, 10V
7,5Ohm při 50mA, 5V
2,5V při 250µA
-
±20V
50 pF @ 25 V
-
370mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montáž na povrch
SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
BSS138-7-F
MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3
Diodes Incorporated
183 068
Skladem
18 477 000
Továrna
1 : 2,70000 Kč
Řezaná páska (CT)
3 000 : 0,73042 Kč
Páska a cívka (TR)
-
Páska a cívka (TR)
Řezaná páska (CT)
Digi-Reel®
Aktivní
N-kanál
MOSFET (oxid kovu)
50 V
200mA (Ta)
10V
3,5Ohm při 220mA, 10V
1,5V při 250µA
-
±20V
50 pF @ 10 V
-
300mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montáž na povrch
SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
EMT3F
RE1C002UNTCL
MOSFET N-CH 20V 200MA EMT3F
Rohm Semiconductor
1 127 225
Skladem
1 : 2,93000 Kč
Řezaná páska (CT)
3 000 : 0,66403 Kč
Páska a cívka (TR)
-
Páska a cívka (TR)
Řezaná páska (CT)
Digi-Reel®
Aktivní
N-kanál
MOSFET (oxid kovu)
20 V
200mA (Ta)
1,2V, 2,5V
1,2Ohm při 100mA, 2,5V
1V při 1mA
-
±8V
25 pF @ 10 V
-
150mW (Ta)
150°C (TJ)
-
-
Montáž na povrch
EMT3F (SOT-416FL)
SC-89, SOT-490
SOT-23-3
2N7002K-7
MOSFET N-CH 60V 380MA SOT23-3
Diodes Incorporated
406 627
Skladem
54 651 000
Továrna
1 : 2,93000 Kč
Řezaná páska (CT)
3 000 : 0,74882 Kč
Páska a cívka (TR)
-
Páska a cívka (TR)
Řezaná páska (CT)
Digi-Reel®
Aktivní
N-kanál
MOSFET (oxid kovu)
60 V
380mA (Ta)
5V, 10V
2Ohm při 500mA, 10V
2,5V při 1mA
0.3 nC @ 4.5 V
±20V
50 pF @ 25 V
-
370mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montáž na povrch
SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT 23-3
2N7002KT1G
MOSFET N-CH 60V 320MA SOT23-3
onsemi
119 054
Skladem
1 : 2,93000 Kč
Řezaná páska (CT)
3 000 : 0,74882 Kč
Páska a cívka (TR)
-
Páska a cívka (TR)
Řezaná páska (CT)
Digi-Reel®
Aktivní
N-kanál
MOSFET (oxid kovu)
60 V
320mA (Ta)
4,5V, 10V
1,6Ohm při 500mA, 10V
2,3V při 250µA
0.7 nC @ 4.5 V
±20V
24.5 pF @ 20 V
-
300mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montáž na povrch
SOT-23-3 (TO-236)
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
TO-236AB
2N7002P,235
MOSFET N-CH 60V 360MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
1 221 552
Skladem
1 : 3,15000 Kč
Řezaná páska (CT)
10 000 : 0,57357 Kč
Páska a cívka (TR)
-
Páska a cívka (TR)
Řezaná páska (CT)
Digi-Reel®
Není určeno pro nové konstrukce
N-kanál
MOSFET (oxid kovu)
60 V
360mA (Ta)
10V
1,6Ohm při 500mA, 10V
2,4V při 250µA
0.8 nC @ 4.5 V
±20V
50 pF @ 10 V
-
350mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
Automobilový průmysl
AEC-Q101
Montáž na povrch
TO-236AB
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
TO-236AB
BSS84AK,215
MOSFET P-CH 50V 180MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
616 367
Skladem
1 : 3,15000 Kč
Řezaná páska (CT)
3 000 : 0,64165 Kč
Páska a cívka (TR)
Páska a cívka (TR)
Řezaná páska (CT)
Digi-Reel®
Aktivní
P-kanál
MOSFET (oxid kovu)
50 V
180mA (Ta)
10V
7,5Ohm při 100A, 10V
2,1V při 250µA
0.35 nC @ 5 V
±20V
36 pF @ 25 V
-
350mW (Ta), 1,14W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
Automobilový průmysl
AEC-Q101
Montáž na povrch
TO-236AB
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
BSS84-7-F
MOSFET P-CH 50V 130MA SOT23-3
Diodes Incorporated
408 878
Skladem
54 579 000
Továrna
1 : 3,15000 Kč
Řezaná páska (CT)
3 000 : 0,82490 Kč
Páska a cívka (TR)
-
Páska a cívka (TR)
Řezaná páska (CT)
Digi-Reel®
Aktivní
P-kanál
MOSFET (oxid kovu)
50 V
130mA (Ta)
5V
10Ohm při 100mA, 5V
2V při 1mA
-
±20V
45 pF @ 25 V
-
300mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montáž na povrch
SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
DMN63D8L-7
MOSFET N-CH 30V 350MA SOT23
Diodes Incorporated
392 307
Skladem
1 068 000
Továrna
1 : 3,15000 Kč
Řezaná páska (CT)
3 000 : 0,80695 Kč
Páska a cívka (TR)
-
Páska a cívka (TR)
Řezaná páska (CT)
Digi-Reel®
Aktivní
N-kanál
MOSFET (oxid kovu)
30 V
350mA (Ta)
2,5V, 10V
2,8Ohm při 250mA, 10V
1,5V při 250µA
0.9 nC @ 10 V
±20V
23.2 pF @ 25 V
-
350mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montáž na povrch
SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT 23-3
2N7002ET1G
MOSFET N-CH 60V 260MA SOT23-3
onsemi
344 578
Skladem
1 : 3,15000 Kč
Řezaná páska (CT)
3 000 : 0,79974 Kč
Páska a cívka (TR)
-
Páska a cívka (TR)
Řezaná páska (CT)
Digi-Reel®
Aktivní
N-kanál
MOSFET (oxid kovu)
60 V
260mA (Ta)
4,5V, 10V
2,5Ohm při 240mA, 10V
2,5V při 250µA
0.81 nC @ 5 V
±20V
26.7 pF @ 25 V
-
300mW (Tj)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montáž na povrch
SOT-23-3 (TO-236)
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
TO-236AB
2N7002P,215
MOSFET N-CH 60V 360MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
284 872
Skladem
1 : 3,15000 Kč
Řezaná páska (CT)
3 000 : 0,85006 Kč
Páska a cívka (TR)
-
Páska a cívka (TR)
Řezaná páska (CT)
Digi-Reel®
Není určeno pro nové konstrukce
N-kanál
MOSFET (oxid kovu)
60 V
360mA (Ta)
10V
1,6Ohm při 500mA, 10V
2,4V při 250µA
0.8 nC @ 4.5 V
±20V
50 pF @ 10 V
-
350mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
Automobilový průmysl
AEC-Q101
Montáž na povrch
TO-236AB
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
59 400
Skladem
1 : 3,15000 Kč
Řezaná páska (CT)
10 000 : 0,68304 Kč
Páska a cívka (TR)
Páska a cívka (TR)
Řezaná páska (CT)
Digi-Reel®
Aktivní
N-kanál
MOSFET (oxid kovu)
60 V
400mA (Ta)
4,5V, 10V
1,5Ohm při 100mA, 10V
2,1V při 250µA
0.6 nC @ 4.5 V
±20V
40 pF @ 10 V
-
500mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montáž na povrch
CST3
SC-101, SOT-883
SC-101 SOT-883
NX7002BKMYL
MOSFET N-CH 60V 350MA DFN1006-3
Nexperia USA Inc.
23 638
Skladem
1 : 3,15000 Kč
Řezaná páska (CT)
10 000 : 0,71666 Kč
Páska a cívka (TR)
Páska a cívka (TR)
Řezaná páska (CT)
Digi-Reel®
Aktivní
N-kanál
MOSFET (oxid kovu)
60 V
350mA (Ta)
5V, 10V
2,8Ohm při 200mA, 10V
2,1V při 250µA
1 nC @ 10 V
±20V
23.6 pF @ 10 V
-
350mW (Ta), 3,1W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montáž na povrch
SOT-883
SC-101, SOT-883
TO-236AB
BSS138P,215
MOSFET N-CH 60V 360MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
791 780
Skladem
1 : 3,38000 Kč
Řezaná páska (CT)
3 000 : 0,86478 Kč
Páska a cívka (TR)
Páska a cívka (TR)
Řezaná páska (CT)
Digi-Reel®
Aktivní
N-kanál
MOSFET (oxid kovu)
60 V
360mA (Ta)
10V
1,6Ohm při 300mA, 10V
1,5V při 250µA
0.8 nC @ 4.5 V
±20V
50 pF @ 10 V
-
350mW (Ta), 1,14W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TA)
Automobilový průmysl
AEC-Q101
Montáž na povrch
TO-236AB
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
UMT3F
RU1J002YNTCL
MOSFET N-CH 50V 200MA UMT3F
Rohm Semiconductor
492 573
Skladem
1 : 3,38000 Kč
Řezaná páska (CT)
3 000 : 0,87251 Kč
Páska a cívka (TR)
-
Páska a cívka (TR)
Řezaná páska (CT)
Digi-Reel®
Aktivní
N-kanál
MOSFET (oxid kovu)
50 V
200mA (Ta)
0,9V, 4,5 V
2,2Ohm při 200mA, 4,5V
800mV při 1mA
-
±8V
26 pF @ 10 V
-
150mW (Ta)
150°C (TJ)
-
-
Montáž na povrch
UMT3F
SC-85
SOT 23-3
2N7002LT1G
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
onsemi
409 466
Skladem
1 : 3,38000 Kč
Řezaná páska (CT)
3 000 : 0,88896 Kč
Páska a cívka (TR)
-
Páska a cívka (TR)
Řezaná páska (CT)
Digi-Reel®
Aktivní
N-kanál
MOSFET (oxid kovu)
60 V
115mA (Tc)
5V, 10V
7,5Ohm při 500mA, 10V
2,5V při 250µA
-
±20V
50 pF @ 25 V
-
225mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montáž na povrch
SOT-23-3 (TO-236)
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
PG-SOT23
2N7002H6327XTSA2
MOSFET N-CH 60V 300MA SOT23-3
Infineon Technologies
189 122
Skladem
1 : 3,38000 Kč
Řezaná páska (CT)
3 000 : 0,86057 Kč
Páska a cívka (TR)
Páska a cívka (TR)
Řezaná páska (CT)
Digi-Reel®
Aktivní
N-kanál
MOSFET (oxid kovu)
60 V
300mA (Ta)
4,5V, 10V
3Ohm při 500mA, 10V
2,5V při 250µA
0.6 nC @ 10 V
±20V
20 pF @ 25 V
-
500mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montáž na povrch
PG-SOT23
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
BSS123-7-F
MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
Diodes Incorporated
105 440
Skladem
1 : 3,38000 Kč
Řezaná páska (CT)
3 000 : 0,88182 Kč
Páska a cívka (TR)
-
Páska a cívka (TR)
Řezaná páska (CT)
Digi-Reel®
Aktivní
N-kanál
MOSFET (oxid kovu)
100 V
170mA (Ta)
10V
6Ohm při 170mA, 10V
2V při 1mA
-
±20V
60 pF @ 25 V
-
300mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montáž na povrch
SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
37 644
Skladem
1 : 3,38000 Kč
Řezaná páska (CT)
8 000 : 0,79860 Kč
Páska a cívka (TR)
Páska a cívka (TR)
Řezaná páska (CT)
Digi-Reel®
Aktivní
N-kanál
MOSFET (oxid kovu)
30 V
100mA (Ta)
2,5V, 4V
3,6Ohm při 10mA, 4V
1,5V při 100µA
-
±20V
13.5 pF @ 3 V
-
150mW (Ta)
150°C (TJ)
-
-
Montáž na povrch
VESM
SOT-723
SOT-323
BSS138PW,115
MOSFET N-CH 60V 320MA SOT323
Nexperia USA Inc.
850 254
Skladem
1 : 3,60000 Kč
Řezaná páska (CT)
3 000 : 0,95625 Kč
Páska a cívka (TR)
Páska a cívka (TR)
Řezaná páska (CT)
Digi-Reel®
Aktivní
N-kanál
MOSFET (oxid kovu)
60 V
320mA (Ta)
10V
1,6Ohm při 300mA, 10V
1,5V při 250µA
0.8 nC @ 4.5 V
±20V
50 pF @ 10 V
-
260mW (Ta), 830mW (Tc)
-55°C ~ 150°C (TA)
Automobilový průmysl
AEC-Q101
Montáž na povrch
SOT-323
SC-70, SOT-323
TL431BFDT-QR
2N7002BK,215
MOSFET N-CH 60V 350MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
768 597
Skladem
1 : 3,60000 Kč
Řezaná páska (CT)
3 000 : 0,91967 Kč
Páska a cívka (TR)
Páska a cívka (TR)
Řezaná páska (CT)
Digi-Reel®
Aktivní
N-kanál
MOSFET (oxid kovu)
60 V
350mA (Ta)
10V
1,6Ohm při 500mA, 10V
2,1V při 250µA
0.6 nC @ 4.5 V
±20V
50 pF @ 10 V
-
370mW (Ta)
150°C (TJ)
Automobilový průmysl
AEC-Q101
Montáž na povrch
TO-236AB
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
2N7002K-T1-GE3
MOSFET N-CH 60V 300MA TO236
Vishay Siliconix
745 805
Skladem
1 : 3,60000 Kč
Řezaná páska (CT)
3 000 : 0,76497 Kč
Páska a cívka (TR)
Páska a cívka (TR)
Řezaná páska (CT)
Digi-Reel®
Aktivní
N-kanál
MOSFET (oxid kovu)
60 V
300mA (Ta)
4,5V, 10V
2Ohm při 500mA, 10V
2,5V při 250µA
0.6 nC @ 4.5 V
±20V
30 pF @ 25 V
-
350mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montáž na povrch
SOT-23-3 (TO-236)
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Zobrazuje se
z 42 039

Jednoduché tranzistory FET, MOSFET

Diskrétní tranzistory řízené elektrickým polem (FET) se široce používají při přeměně energie, řízení motorů, polovodičovém osvětlení a v dalších aplikacích, kde je výhodná jejich charakteristická schopnost zapínání a vypínání na vysokých frekvencích při současném přenosu značně vysokých proudů. Používají se takřka všestranně u aplikací vyžadujících jmenovité napětí několik stovek voltů nebo méně, nad kterým se jiné typy součástek, jako jsou tranzistory IGBT, stávají konkurenceschopnějšími.