Transistory JFET

Zobrazuje se

z 915

Objednací č. Mfr	DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ	Cena	Řada	Balení	Stav produktu	Typ tranzistoru FET	Průrazné napětí (V(BR)GSS)	Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	Odtokový proud (Idss) při Vds (Vgs=0)	Odtokový proud (Id) - max	Závěrné napětí (VGS vyp.) při Id	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	Odpor - RDS (zap)	Výkon - max	Provozní teplota	Způsob montáže	Pouzdro	Dodávaná velikost pouzdra

2SK880-Y(TE85L,F) JFET N-CH 50V 0.1W USM Toshiba Semiconductor and Storage	5 348 Skladem	1 : 14,58000 Kč Řezaná páska (CT) 3 000 : 5,13082 Kč Páska a cívka (TR)	-	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Aktivní	N-kanál	50 V	-	1.2 mA @ 10 V	-	1.5 V @ 100 nA	13pF při 10V	-	100 mW	125°C (TJ)	Montáž na povrch	SC-70, SOT-323	USM
CPH3910-TL-E JFET N-CH 25V 50MA 3CPH onsemi	14 916 Skladem	1 : 16,69000 Kč Řezaná páska (CT) 3 000 : 6,42348 Kč Páska a cívka (TR)	-	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Aktivní	N-kanál	25 V	25 V	20 mA @ 5 V	50 mA	1.8 V @ 100 µA	6pF při 5V	-	400 mW	150°C (TJ)	Montáž na povrch	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	3-CPH
J109 JFET N-CH 25V 625MW TO92 onsemi	4 956 Skladem	1 : 12,93000 Kč Hromadné balení	-	Hromadné balení	Aktivní	N-kanál	25 V	-	40 mA @ 15 V	-	2 V @ 10 nA	-	12 Ohms	625 mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	Průchozí otvor	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)	TO-92-3
2N4393 PBFREE JFET N-CH 40V 1.8W TO-18 Central Semiconductor Corp	2 728 Skladem	1 : 75,23000 Kč Hromadné balení	-	Hromadné balení	Aktivní	N-kanál	40 V	-	5 mA @ 20 V	-	500 mV @ 1 nA	14pF při 20V	100 Ohms	1.8 W	-65°C ~ 175°C (TJ)	Průchozí otvor	TO-206AA, TO-18-3 kovová nádoba	TO-18
MMBF4391LT1G JFET N-CH 30V 0.225W SOT23-3 onsemi	5 885 Skladem	1 : 9,40000 Kč Řezaná páska (CT) 3 000 : 2,64981 Kč Páska a cívka (TR)	-	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Aktivní	N-kanál	30 V	30 V	50 mA @ 15 V	-	4 V @ 10 nA	14pF při 15V	30 Ohms	225 mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montáž na povrch	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	SOT-23-3 (TO-236)
MMBF5103 JFET N-CH 40V 0.35W SOT-23 onsemi	0 Skladem	1 : 9,87000 Kč Řezaná páska (CT) 3 000 : 2,82049 Kč Páska a cívka (TR)	-	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Aktivní	N-kanál	40 V	-	10 mA @ 15 V	-	1.2 V @ 1 nA	16pF při 15V	-	350 mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montáž na povrch	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	SOT-23-3
J111-D74Z JFET N-CH 35V 625MW TO92-3 onsemi	20 863 Skladem 16 000 Factory	1 : 10,34000 Kč Řezaná páska (CT) 2 000 : 2,92723 Kč Páska a krabice (TB)	-	Řezaná páska (CT) Páska a krabice (TB)	Aktivní	N-kanál	35 V	-	20 mA @ 15 V	-	3 V @ 1 µA	-	30 Ohms	625 mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	Průchozí otvor	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA), tvarované vodiče	TO-92-3
J112-D26Z JFET N-CH 35V 625MW TO92-3 onsemi	12 848 Skladem	1 : 10,58000 Kč Řezaná páska (CT) 2 000 : 3,03385 Kč Páska a cívka (TR)	-	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT)	Aktivní	N-kanál	35 V	-	5 mA @ 15 V	-	1 V @ 1 µA	-	50 Ohms	625 mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	Průchozí otvor	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA), tvarované vodiče	TO-92-3
2SK879-Y(TE85L,F) JFET N-CH 0.1W USM Toshiba Semiconductor and Storage	7 100 Skladem	1 : 10,34000 Kč Řezaná páska (CT) 3 000 : 3,64765 Kč Páska a cívka (TR)	-	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Aktivní	N-kanál	-	-	1.2 mA @ 10 V	-	400 mV @ 100 nA	8,2pF při 10V	-	100 mW	125°C (TJ)	Montáž na povrch	SC-70, SOT-323	USM
2SK879-GR(TE85L,F) JFET N-CH 0.1W USM Toshiba Semiconductor and Storage	3 258 Skladem	1 : 10,34000 Kč Řezaná páska (CT) 3 000 : 3,64765 Kč Páska a cívka (TR)	-	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Aktivní	N-kanál	-	-	2.6 mA @ 10 V	-	400 mV @ 100 nA	8,2pF při 10V	-	100 mW	125°C (TJ)	Montáž na povrch	SC-70, SOT-323	USM
J113-D74Z JFET N-CH 35V 625MW TO92 onsemi	15 274 Skladem	1 : 10,34000 Kč Řezaná páska (CT) 2 000 : 3,64770 Kč Páska a krabice (TB)	-	Řezaná páska (CT) Páska a krabice (TB)	Aktivní	N-kanál	35 V	-	2 mA @ 15 V	-	500 mV @ 1 µA	-	100 Ohms	625 mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	Průchozí otvor	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA), tvarované vodiče	TO-92-3
MMBFJ270 JFET P-CH 30V 0.225W SOT23 onsemi	0 Skladem	1 : 11,05000 Kč Řezaná páska (CT) 3 000 : 3,93628 Kč Páska a cívka (TR)	-	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Aktivní	P-kanál	30 V	-	2 mA @ 15 V	-	500 mV @ 1 nA	-	-	225 mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montáž na povrch	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	SOT-23-3
J175-D26Z JFET P-CH 30V 0.35W TO92-3 onsemi	9 411 Skladem 144 000 Factory	1 : 13,40000 Kč Řezaná páska (CT) 2 000 : 4,73398 Kč Páska a cívka (TR)	-	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT)	Aktivní	P-kanál	30 V	-	7 mA @ 15 V	-	3 V @ 10 nA	-	125 Ohms	350 mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	Průchozí otvor	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA), tvarované vodiče	TO-92-3
NSVJ3910SB3T1G IC JFET N-CH 25V 50MA 3CPH onsemi	14 681 Skladem	1 : 15,05000 Kč Řezaná páska (CT) 3 000 : 5,84976 Kč Páska a cívka (TR)	Automotive, AEC-Q101	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Aktivní	N-kanál	25 V	25 V	20 mA @ 5 V	50 mA	600 mV @ 100 µA	6pF při 5V	-	400 mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montáž na povrch	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	3-CPH
J111 JFET N-CH 35V 625MW TO92-3 onsemi	30 990 Skladem	1 : 10,11000 Kč Hromadné balení	-	Hromadné balení	Aktivní	N-kanál	35 V	-	20 mA @ 15 V	-	3 V @ 1 µA	-	30 Ohms	625 mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	Průchozí otvor	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)	TO-92-3
J113 JFET N-CH 35V 625MW TO92-3 onsemi	6 639 Skladem	1 : 10,34000 Kč Hromadné balení	-	Hromadné balení	Aktivní	N-kanál	35 V	-	2 mA @ 15 V	-	500 mV @ 1 µA	-	100 Ohms	625 mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	Průchozí otvor	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)	TO-92-3
J112 JFET N-CH 35V 625MW TO92 onsemi	8 808 Skladem	1 : 11,28000 Kč Hromadné balení	-	Hromadné balení	Aktivní	N-kanál	35 V	-	5 mA @ 15 V	-	1 V @ 1 µA	-	50 Ohms	625 mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	Průchozí otvor	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)	TO-92-3
JFE150DCKR ULTRA-LOW NOISE, LOW GATE CURREN Texas Instruments	7 801 Skladem 9 000 Factory	1 : 68,41000 Kč Řezaná páska (CT) 3 000 : 38,26253 Kč Páska a cívka (TR)	-	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Aktivní	N-kanál	40 V	40 V	24 mA @ 10 V	50 mA	-	24pF při 5V	-	-	-40°C ~ 125°C (TA)	Montáž na povrch	5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353	SC-70-5
2N4392 PBFREE JFET N-CH 40V 1.8W TO-18 Central Semiconductor Corp	12 718 Skladem	1 : 73,82000 Kč Hromadné balení	-	Hromadné balení	Aktivní	N-kanál	40 V	-	25 mA @ 20 V	-	2 V @ 1 nA	14pF při 20V	60 Ohms	1.8 W	-65°C ~ 175°C (TJ)	Průchozí otvor	TO-206AA, TO-18-3 kovová nádoba	TO-18
2N4858A JFET N-CH 40V 0.36W TO-18 Central Semiconductor Corp	2 186 Skladem	1 : 128,36000 Kč Hromadné balení	-	Hromadné balení	Aktivní	N-kanál	40 V	-	8 mA @ 15 V	-	800 mV @ 0.5 nA	10pF při 10V (VGS)	60 Ohms	360 mW	-65°C ~ 200°C (TJ)	Průchozí otvor	TO-206AA, TO-18-3 kovová nádoba	TO-18
UF3N170400B7S JFET 1700V SIC UnitedSiC	4 255 Skladem	1 : 222,87000 Kč Řezaná páska (CT) 800 : 145,10608 Kč Páska a cívka (TR)	-	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Aktivní	N-kanál	1.7 V	1.7 V	2.2 µA @ 1.7 V	6.8 A	-	225pF při 100V	500 mOhms	68 W	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montáž na povrch	TO-263-8, D²Pak (7 přívodů + jazýček), TO-263CA	D2PAK-7
UJ3N065080K3S 650V 80 MOHM SIC JFET, G3, N-ON, UnitedSiC	3 533 Skladem	1 : 205,48000 Kč Trubice	-	Trubice	Aktivní	N-kanál	650 V	650 V	-	32 A	-	630pF při 100V	95 mOhms	190 W	-55°C ~ 175°C (TJ)	Průchozí otvor	TO-247-3	TO-247-3
UJ3N120070K3S 1200V 70 MOHM SIC JFET, G3, N-ON UnitedSiC	4 378 Skladem	1 : 374,75000 Kč Trubice	-	Trubice	Aktivní	N-kanál	1200 V	1200 V	-	33.5 A	-	985pF při 100V	90 mOhms	254 W	-55°C ~ 175°C (TJ)	Průchozí otvor	TO-247-3	TO-247-3
UJ3N065025K3S 650V 25 MOHM SIC JFET, G3, N-ON, UnitedSiC	849 Skladem	1 : 481,25000 Kč Trubice	-	Trubice	Aktivní	N-kanál	650 V	650 V	-	85 A	-	2 360pF při 100V	33 mOhms	441 W	-55°C ~ 175°C (TJ)	Průchozí otvor	TO-247-3	TO-247-3
UJ3N120035K3S 1200V 35 MOHM SIC JFET, G3, N-ON UnitedSiC	1 592 Skladem	1 : 688,84000 Kč Trubice	-	Trubice	Aktivní	N-kanál	1200 V	1200 V	-	63 A	-	2 145pF při 100V	45 mOhms	429 W	-55°C ~ 175°C (TJ)	Průchozí otvor	TO-247-3	TO-247-3

Zobrazuje se

z 915

Junction gate field-effect transistors (JFET) are devices used as electronically-controlled switches, amplifiers, or voltage-controlled resistors. A potential difference of the proper polarity applied between the gate and source terminals increases resistance to current flow, which means less current would flow in the channel between the source and drain terminals. JFETs do not need a biasing current due to a charge flowing through a semiconducting channel between source and drain terminals.

Transistory JFET

Transistory JFET

Informace

Nápověda

Kontaktujte nás

Sledujte nás