Transistory JFET

Výsledky : 786
Výrobce
Central Semiconductor CorpFairchild SemiconductorFreescale SemiconductorHarris CorporationInfineon TechnologiesLinear Integrated Systems, Inc.Microchip TechnologyMicrosemi CorporationNXP USA Inc.onsemiPanasonic Electronic ComponentsRenesas Electronics America IncRohm Semiconductor
Vymazat
Řada
-*Automotive, AEC-Q101J201LS5911LSK170ALSK170BLSK170CLSK189LSK389Military, MIL-PRF-19500Military, MIL-PRF-19500/295Military, MIL-PRF-19500/375
Vymazat
Balení
Digi-Reel®Hromadné baleníKrabiceNosičPásekPáska a cívka (TR)Páska a krabice (TB)SáčekTrubiceŘezaná páska (CT)
Vymazat
Stav součásti
AktivníNení určeno pro nové konstrukceUkončeno ve společnosti Digi-KeyZastaralé
Vymazat
Typ tranzistoru FET
2 N-kanál (duální)2 N-kanál-N-kanálP-kanál
Vymazat
Průrazné napětí (V(BR)GSS)
6.5 V15 V20 V22 V25 V30 V35 V40 V50 V60 V650 V1200 V1700 V
Vymazat
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)
0.6 V15 V20 V25 V30 V35 V40 V50 V55 V650 V1200 V1700 V
Vymazat
Odtokový proud (Idss) při Vds (Vgs=0)
1.4 µA @ 10 V1.5 µA @ 1200 V2.2 µA @ 1700 V3.3 µA @ 1200 V5 µA @ 1200 V30 µA @ 10 V50 µA @ 10 V50 µA @ 20 V60 µA @ 10 V80 µA @ 10 V100 µA @ 2 V
Vymazat
Odtokový proud (Id) - max
100 pA250 pA1 mA2 mA5 mA6.5 mA10 mA20 mA30 mA50 mA6.8 A26 A32 A
Vymazat
Závěrné napětí (VGS vyp.) při Id
0 V @ 10 µA100 mV @ 1 µA100 mV @ 10 µA180 mV @ 1 µA200 mV @ 1 µA200 mV @ 100 nA200 mV @ 100 µA300 mV @ 10 nA300 mV @ 100 nA300 mV @ 100 µA400 mV @ 100 nA
Vymazat
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds
0,7pF při 10V0,8pF při 15V1pF při 10V1,7pF při 10V2,2pF při 15V3pF při 10V3,1pF při 2V3,5pF při 2V3,5pF při 5V4pF při 10V4pF při 15V4,1pF při 5V4,5pF při 15V
Vymazat
Odpor - RDS (zap)
33 mOhms45 mOhms55 mOhms70 mOhms90 mOhms95 mOhms100 mOhms500 mOhms3 Ohms5 Ohms6 Ohms
Vymazat
Výkon - max
30 mW100 mW125 mW150 mW190 mW200 mW225 mW250 mW300 mW310 mW325 mW
Vymazat
Provozní teplota
-65°C ~ 135°C (TJ)-65°C ~ 150°C (TJ)-65°C ~ 175°C (TJ)-65°C ~ 200°C (TJ)-55°C ~ 135°C (TJ)-55°C ~ 150°C (TJ)-55°C ~ 175°C (TJ)-55°C ~ 200°C (TJ)-50°C ~ 150°C (TJ)-40°C ~ 125°C (TA)-40°C ~ 125°C (TJ)-40°C ~ 85°C (TA)-20°C ~ 80°C (TA)
Vymazat
Způsob montáže
-Montáž na povrchPrůchozí otvor
Vymazat
Pouzdro
3-SMD, Bez přívodů3-SMD, Plochý vodič3-SSIP3-XFDFN4-SMD, Bez přívodů5-SMD, Ploché vodiče5-TSSOP, SC-70-5, SOT-3536-TSSOP, SC-88, SOT-3638-SOIC (0,154", 3,90mm šířka)-RazidloSC-70, SOT-323SC-72
Vymazat
Dodávaná velikost pouzdra
3-CP3-CPH3-MCPH3-MPAK3-SPA3-UB (3,09x2,45)3-USFP3-VTFP4-SMD5-MCPH6-CPH6-TSSOP8-SOIC
Vymazat
Skladové možnosti
Média
Možnosti ochrany životního prostředí
PRODUKT SLUŽBY MARKETPLACE
Počet výsledků na stránku
25
Page 1/32
Porovnat
Objednací č. Mfr
Cena
Skladem
Dodavatel
Mfr
Min. množství
Objednací č. DK
Řada
Balení
Stav součásti
Typ tranzistoru FET
Průrazné napětí (V(BR)GSS)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)
Odtokový proud (Idss) při Vds (Vgs=0)
Odtokový proud (Id) - max
Závěrné napětí (VGS vyp.) při Id
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds
Odpor - RDS (zap)
Výkon - max
Provozní teplota
Způsob montáže
Pouzdro
Dodávaná velikost pouzdra
SC-70, SOT-323 PKG
2SK880-Y(TE85L,F)
JFET N-CH 50V 0.1W USM
13,70000 Kč
26 885 - Okamžitý
Toshiba Semiconductor and StorageToshiba Semiconductor and Storage
1
2SK880-Y(TE85LF)TR-ND
2SK880-Y(TE85LF)CT-ND
2SK880-Y(TE85LF)DKR-ND
-
Páska a cívka (TR)
Řezaná páska (CT)
Digi-Reel®
AktivníN-kanál50 V-1.2 mA @ 10 V-1.5 V @ 100 nA13pF při 10V-100 mW125°C (TJ)Montáž na povrchSC-70, SOT-323USM
SOT-23 SERIES
CMPF4393 TR PBFREE
JFET N-CH 40V 50MA SOT23
24,09000 Kč
8 174 - Okamžitý
Central Semiconductor CorpCentral Semiconductor Corp
1
1514-CMPF4393TRPBFREETR-ND
1514-CMPF4393TRPBFREECT-ND
1514-CMPF4393TRPBFREEDKR-ND
-
Páska a cívka (TR)
Řezaná páska (CT)
Digi-Reel®
AktivníN-kanál40 V40 V5 mA @ 20 V-500 mV @ 1 nA14pF při 20V100 Ohms350 mW-65°C ~ 150°C (TJ)Montáž na povrchTO-236-3, SC-59, SOT-23-3SOT-23
TO-206AA TO-18-3
2N4392 PBFREE
JFET N-CH 40V 1.8W TO-18
69,39000 Kč
13 213 - Okamžitý
Central Semiconductor CorpCentral Semiconductor Corp
1
1514-2N4392PBFREE-ND
-
Hromadné balení
AktivníN-kanál40 V-25 mA @ 20 V-2 V @ 1 nA14pF při 20V60 Ohms1.8 W-65°C ~ 175°C (TJ)Průchozí otvorTO-206AA, TO-18-3 kovová nádobaTO-18
TO-92-3 Formed Leads
J111-D26Z
JFET N-CH 35V 625MW TO92
9,28000 Kč
7 125 - Okamžitý
10 000 - Výrobce
onsemionsemi
1
J111-D26ZTR-ND
J111-D26ZCT-ND
-
Páska a cívka (TR)
Řezaná páska (CT)
AktivníN-kanál35 V-20 mA @ 15 V-3 V @ 1 µA-30 Ohms625 mW-55°C ~ 150°C (TJ)Průchozí otvorTO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA), tvarované vodičeTO-92-3
TO-92-3 Formed Leads
J113-D74Z
JFET N-CH 35V 625MW TO92
9,50000 Kč
18 207 - Okamžitý
onsemionsemi
1
J113-D74ZCT-ND
J113-D74ZTB-ND
-
Řezaná páska (CT)
Páska a krabice (TB)
AktivníN-kanál35 V-2 mA @ 15 V-500 mV @ 1 µA-100 Ohms625 mW-55°C ~ 150°C (TJ)Průchozí otvorTO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA), tvarované vodičeTO-92-3
SOT-23-3,TO-236-3,Micro3,SSD3,SST3
MMBFU310LT1G
JFET N-CH 25V 0.225W SOT23-3
10,17000 Kč
4 265 - Okamžitý
onsemionsemi
1
MMBFU310LT1GOSTR-ND
MMBFU310LT1GOSCT-ND
MMBFU310LT1GOSDKR-ND
-
Páska a cívka (TR)
Řezaná páska (CT)
Digi-Reel®
AktivníN-kanál25 V25 V24 mA @ 10 V-2.5 V @ 1 nA5pF při 10V (VGS)-225 mW-55°C ~ 150°C (TJ)Montáž na povrchTO-236-3, SC-59, SOT-23-3SOT-23-3 (TO-236)
SOT-23-3
2SK208-Y(TE85L,F)
JFET N-CH 50V S-MINI
11,49000 Kč
5 348 - Okamžitý
Toshiba Semiconductor and StorageToshiba Semiconductor and Storage
1
2SK208-Y(TE85LF)TR-ND
2SK208-Y(TE85LF)CT-ND
2SK208-Y(TE85LF)DKR-ND
-
Páska a cívka (TR)
Řezaná páska (CT)
Digi-Reel®
AktivníN-kanál50 V-1.2 mA @ 10 V6.5 mA400 mV @ 100 nA8,2pF při 10V-100 mW125°C (TJ)Montáž na povrchTO-236-3, SC-59, SOT-23-3S-Mini
SC-70, SOT-323 PKG
2SK879-Y(TE85L,F)
JFET N-CH 0.1W USM
9,72000 Kč
8 269 - Okamžitý
Toshiba Semiconductor and StorageToshiba Semiconductor and Storage
1
2SK879-Y(TE85LF)TR-ND
2SK879-Y(TE85LF)CT-ND
2SK879-Y(TE85LF)DKR-ND
-
Páska a cívka (TR)
Řezaná páska (CT)
Digi-Reel®
AktivníN-kanál--1.2 mA @ 10 V-400 mV @ 100 nA8,2pF při 10V-100 mW125°C (TJ)Montáž na povrchSC-70, SOT-323USM
SC-70, SOT-323 PKG
2SK879-GR(TE85L,F)
JFET N-CH 0.1W USM
9,72000 Kč
4 978 - Okamžitý
Toshiba Semiconductor and StorageToshiba Semiconductor and Storage
1
2SK879-GR(TE85LF)TR-ND
2SK879-GR(TE85LF)CT-ND
2SK879-GR(TE85LF)DKR-ND
-
Páska a cívka (TR)
Řezaná páska (CT)
Digi-Reel®
AktivníN-kanál--2.6 mA @ 10 V-400 mV @ 100 nA8,2pF při 10V-100 mW125°C (TJ)Montáž na povrchSC-70, SOT-323USM
SC-70, SOT-323 PKG
2SK880GRTE85LF
JFET N-CH 50V 0.1W USM
13,70000 Kč
3 053 - Okamžitý
Toshiba Semiconductor and StorageToshiba Semiconductor and Storage
1
2SK880GRTE85LFTR-ND
2SK880GRTE85LFCT-ND
2SK880GRTE85LFDKR-ND
-
Páska a cívka (TR)
Řezaná páska (CT)
Digi-Reel®
AktivníN-kanál50 V-2.6 mA @ 10 V-1.5 V @ 100 nA13pF při 10V-100 mW125°C (TJ)Montáž na povrchSC-70, SOT-323SC-70
SC-70, SOT-323 PKG
2SK880-BL(TE85L,F)
JFET N-CH 50V 0.1W USM
13,70000 Kč
3 715 - Okamžitý
Toshiba Semiconductor and StorageToshiba Semiconductor and Storage
1
2SK880-BL(TE85LF)TR-ND
2SK880-BL(TE85LF)CT-ND
2SK880-BL(TE85LF)DKR-ND
-
Páska a cívka (TR)
Řezaná páska (CT)
Digi-Reel®
AktivníN-kanál50 V-6 mA @ 10 V-1.5 V @ 100 nA13pF při 10V-100 mW125°C (TJ)Montáž na povrchSC-70, SOT-323SC-70
SOT-23-3
NSVJ3910SB3T1G
IC JFET N-CH 25V 50MA 3CPH
13,70000 Kč
8 862 - Okamžitý
onsemionsemi
1
NSVJ3910SB3T1GOSTR-ND
NSVJ3910SB3T1GOSCT-ND
NSVJ3910SB3T1GOSDKR-ND
Automotive, AEC-Q101
Páska a cívka (TR)
Řezaná páska (CT)
Digi-Reel®
AktivníN-kanál25 V25 V20 mA @ 5 V50 mA600 mV @ 100 µA6pF při 5V-400 mW-55°C ~ 150°C (TJ)Montáž na povrchTO-236-3, SC-59, SOT-23-33-CPH
SC-74A, SOT-753
2SK2145-BL(TE85L,F
JFET N-CH 50V SMV
15,69000 Kč
4 370 - Okamžitý
Toshiba Semiconductor and StorageToshiba Semiconductor and Storage
1
2SK2145-BL(TE85LFTR-ND
2SK2145-BL(TE85LFCT-ND
2SK2145-BL(TE85LFDKR-ND
-
Páska a cívka (TR)
Řezaná páska (CT)
Digi-Reel®
Aktivní2 N-kanál (duální)--6 mA @ 10 V-200 mV @ 100 nA13pF při 10V-300 mW125°C (TJ)Montáž na povrchSC-74A, SOT-753SMV
TO-92-3(StandardBody),TO-226_straightlead
J113
JFET N-CH 35V 625MW TO92-3
9,50000 Kč
1 949 - Okamžitý
onsemionsemi
1
J113FS-ND
-
Hromadné balení
AktivníN-kanál35 V-2 mA @ 15 V-500 mV @ 1 µA-100 Ohms625 mW-55°C ~ 150°C (TJ)Průchozí otvorTO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)TO-92-3
TO-92-3(StandardBody),TO-226_straightlead
J112
JFET N-CH 35V 625MW TO92
10,39000 Kč
7 021 - Okamžitý
onsemionsemi
1
J112FS-ND
-
Hromadné balení
AktivníN-kanál35 V-5 mA @ 15 V-1 V @ 1 µA-50 Ohms625 mW-55°C ~ 150°C (TJ)Průchozí otvorTO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)TO-92-3
TO-92-3(StandardBody),TO-226_straightlead
J109
JFET N-CH 25V 625MW TO92
10,61000 Kč
4 104 - Okamžitý
onsemionsemi
1
J109FS-ND
-
Hromadné balení
AktivníN-kanál25 V-40 mA @ 15 V-2 V @ 10 nA-12 Ohms625 mW-55°C ~ 150°C (TJ)Průchozí otvorTO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)TO-92-3
TO-92-3(StandardBody),TO-226_straightlead
J111
JFET N-CH 35V 625MW TO92-3
11,05000 Kč
38 468 - Okamžitý
50 000 - Výrobce
onsemionsemi
1
J111FS-ND
-
Hromadné balení
AktivníN-kanál35 V-20 mA @ 15 V-3 V @ 1 µA-30 Ohms625 mW-55°C ~ 150°C (TJ)Průchozí otvorTO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)TO-92-3
TO-206AA TO-18-3
2N4858A
JFET N-CH 40V 0.36W TO-18
105,86000 Kč
2 000 - Okamžitý
Central Semiconductor CorpCentral Semiconductor Corp
1
2N4858A-ND
-
Hromadné balení
AktivníN-kanál40 V-8 mA @ 15 V-800 mV @ 0.5 nA10pF při 10V (VGS)60 Ohms360 mW-65°C ~ 200°C (TJ)Průchozí otvorTO-206AA, TO-18-3 kovová nádobaTO-18
UJ3N065025K3S
UJ3N065025K3S
650V 25 MOHM SIC JFET, G3, N-ON,
393,16000 Kč
362 - Okamžitý
UnitedSiCUnitedSiC
1
2312-UJ3N065025K3S-ND
-
Trubice
AktivníN-kanál650 V650 V-85 A-2 360pF při 100V33 mOhms441 W-55°C ~ 175°C (TJ)Průchozí otvorTO-247-3TO-247-3
N CHANNEL SILICON JFET CONDENSER
TF222B-B4-TL-E-ON
N CHANNEL SILICON JFET CONDENSER
0,44200 Kč
6 256 000 - Okamžitý
Rochester Electronics, LLConsemi
15 000
2156-TF222B-B4-TL-E-ON-ND
*
Hromadné balení
Aktivní-------------
TRANSISTOR
FJZ594JCTF
TRANSISTOR
0,44200 Kč
1 314 000 - Okamžitý
Rochester Electronics, LLCFairchild Semiconductor
15 000
Non-Stock
2156-FJZ594JCTF-ND
-
Hromadné balení
ZastaraléN-kanál20 V-150 µA @ 5 V1 mA600 mV @ 1 µA3,5pF při 5V-100 mW150°C (TJ)Montáž na povrchSOT-623FSOT-623F
TRANSISTOR
FJZ594JBTF
TRANSISTOR
0,44200 Kč
687 000 - Okamžitý
Rochester Electronics, LLCFairchild Semiconductor
15 000
Non-Stock
2156-FJZ594JBTF-ND
-
Hromadné balení
ZastaraléN-kanál20 V-150 µA @ 5 V1 mA600 mV @ 1 µA3,5pF při 5V-100 mW150°C (TJ)Montáž na povrchSOT-623FSOT-623F
N CHANNEL SILICON JFET CONDENSER
TF222B-B4-TL-E
N CHANNEL SILICON JFET CONDENSER
0,44200 Kč
64 000 - Okamžitý
Rochester Electronics, LLCSanyo
15 000
2156-TF222B-B4-TL-E-ND
*
Hromadné balení
Aktivní-------------
DCG010-TL-E
FJX597JHTF
SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
0,44200 Kč
56 000 - Okamžitý
Rochester Electronics, LLCFairchild Semiconductor
15 000
Non-Stock
2156-FJX597JHTF-ND
-
Hromadné balení
ZastaraléN-kanál20 V-150 µA @ 5 V1 mA600 mV @ 1 µA3,5pF při 5V-100 mW150°C (TJ)Montáž na povrchSC-70, SOT-323SC-70-3 (SOT323)
N CHANNEL SILICON JFET FOR ELECT
TF218THC-5-TL-H
N CHANNEL SILICON JFET FOR ELECT
0,88400 Kč
144 000 - Okamžitý
Rochester Electronics, LLConsemi
7 212
2156-TF218THC-5-TL-H-ND
*
Hromadné balení
Aktivní-------------
Počet výsledků na stránku
25
Page 1/32