Transistory FET, MOSFET - pole

Výsledky : 5 096
Výrobce
Advanced Linear Devices Inc.Alpha & Omega Semiconductor Inc.Analog Devices Inc.Analog Devices Inc./Maxim IntegratedCentral Semiconductor CorpComchip TechnologyDComponentsDiodes IncorporatedEPCFairchild SemiconductorGeneral ElectricGeneSiC SemiconductorGoford Semiconductor
Vymazat
Řada
-*AlphaMOSAutomotive, AEC-Q101Automotive, AEC-Q101, HEXFET®Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®Automotive, AEC-Q101, SIPMOS®Automotive, AEC-Q101, STripFET™Automotive, AEC-Q101, STripFET™ F6Automotive, AEC-Q101, STripFET™ F7Automotive, AEC-Q101, STripFET™ IIAutomotive, AEC-Q101, STripFET™ III
Vymazat
Balení
-Digi-Reel®Hromadné baleníKrabiceNosičPáska a cívka (TR)TrubiceŘezaná páska (CT)
Vymazat
Stav součásti
AktivníDatum posledního nákupuNení určeno pro nové konstrukceUkončeno ve společnosti Digi-KeyZastaralé
Vymazat
Typ tranzistoru FET
2 N a 2 P-kanál (H-můstek)2 N a 2 P-kanál přizpůsobený pár2 N a 2 P-kanál2 N kanál (Dual Buck Chopper)2 N kanál (fázové rameno)2 N-kanál (Cascoded)2 N-kanál (duální) asymetrický2 N-kanál (duální) přizpůsobený pár2 N-kanál (duální) společný odtok2 N-kanál (duální) společný zdroj2 N-kanál (duální)2 N-kanál (duální), Schottky2 N-kanál (polomůstkový)
Vymazat
Funkce tranzistoru FET
-GaNFET (Galium nitrid)Hradlo logické úrovněHradlo logické úrovně, 0,9V pohonHradlo logické úrovně, 1,2V pohonHradlo logické úrovně, 1,5V pohonHradlo logické úrovně, 1,8V pohonHradlo logické úrovně, 10V pohonHradlo logické úrovně, 2,5V pohonHradlo logické úrovně, 4,5V pohonHradlo logické úrovně, 4V pohonHradlo logické úrovně, 5V pohonKarbid křemíku (SiC)
Vymazat
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)
5,5V8V10V10,6V12V12V, 20V15V16V20V20V, 12V20V, 8V22V24V
Vymazat
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C
12mA, 3mA30mA40mA40mA, 16mA50mA (Ta)50mA80mA100mA (Ta)100mA100mA, 200mA100mA, 5,5A115mA (Ta)115mA (Ta), 130mA (Ta)
Vymazat
Rds zap (max) při Id, Vgs
0,8mOhm při 1200A, 10V0,95m Ohm při 30A, 10V0,95mOhm při 8A, 4,5V1mOhm při 38A, 10V1,25mOhm při 35A, 10V1,3mOhm při 100A, 10V1,5mOhm při 33A, 10V1,6mOhm při 10A, 4,5V1,6mOhm při 40A, 10V1,66mOhm při 80A, 10V1,73mOhm při 760A, 15V1,8mOhm při 30A, 10V, 5mOhm při 17,5A, 10V1,8mOhm při 5A, 4,5V
Vymazat
Vgs(th) (max) při Id
10mV při 10µA10mV při 1µA10mV při 20µA20mV při 10µA20mV při 1µA20mV při 20µA180mV při 1µA220mV při 1µA360mV při 1µA380mV při 1µA400mV při 250µA (min.)420mV při 1µA450mV při 100µA (min.)
Vymazat
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs
0,1pC při 4,5V, 0,7pC při 4,5V0,4pC při 4,5V, 7,3nC při 4,5V0,45pC při 4,5V0,16nC při 5V, 0,044nC při 5V0,22nC při 5V, 0,044nC při 5V0,26nC při 2,5V0,3nC při 4,5V0,304nC při 4,5V0,31nC při 4,5V0,32nC při 4,5V0,34nC při 4,5V0,35nC při 4,5V0,35nC při 5V
Vymazat
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds
2,5pF při 5V3pF při 5V5pF při 3V6pF při 3V6,2pF při 10V6,6pF při 10V7pF při 10V7pF při 3V7,1pF při 10V7,4pF při 10V7,5pF při 10V8,5pF při 3V9pF při 15V
Vymazat
Výkon - max
10mW (Tc)10mW20mW (Tc)20mW50mW120mW125mW (Ta)125mW140mW150mW (Ta)150mW180mW200mW (Ta)
Vymazat
Provozní teplota
-65°C ~ 150°C (TJ)-55°C ~ 125°C-55°C ~ 150°C (TA)-55°C ~ 150°C (TJ)-55°C ~ 150°C-55°C ~ 155°C (TJ)-55°C ~ 175°C (TA)-55°C ~ 175°C (TJ)-55°C ~ 175°C-50°C ~ 150°C (TJ)-40°C ~ 150°C (TJ)-40°C ~ 175°C (TJ)
Vymazat
Způsob montáže
-Montáž na povrchMontáž na povrch, Smáčitelný bokMontáž na šasiPrůchozí otvor
Vymazat
Pouzdro
4-SMD, Bez přívodů4-UFBGA, WLBGA4-UFBGA, WLCSP4-VDFN4-VFDFN podložka pro odvod tepla4-XBGA, 4-FCBGA4-XDFN4-XFBGA4-XFBGA, FCBGA4-XFBGA, WLBGA4-XFBGA, WLCSP4-XFLGA4-XFLGA, CSP
Vymazat
Dodávaná velikost pouzdra
4-AlphaDFN (0,97x0,97)4-AlphaDFN (1,2 x 1,2)4-BGA (1x1)4-DFN (1,5x1,5)4-DFN (1,7x1,7)4-EFCP (1,01x1,01)4-EFLIP-LGA (1,11x1,11)4-EFLIP-LGA (1,4x1,4)4-EFLIP-LGA (1,62x1,62)4-FlipChip4-Picostar (1,31x1,31)4-QFN (2x2)4-WLCSP (1,26x1,26)
Vymazat
Skladové možnosti
Média
Možnosti ochrany životního prostředí
PRODUKT SLUŽBY MARKETPLACE
Počet výsledků na stránku
25
Page 1/204
Porovnat
Objednací č. Mfr
Cena
Skladem
Dodavatel
Mfr
Min. množství
Objednací č. DK
Řada
Balení
Stav součásti
Typ tranzistoru FET
Funkce tranzistoru FET
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C
Rds zap (max) při Id, Vgs
Vgs(th) (max) při Id
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds
Výkon - max
Provozní teplota
Způsob montáže
Pouzdro
Dodávaná velikost pouzdra
eGaN Series
EPC2106
GANFET TRANS SYM 100V BUMPED DIE
40,22000 Kč
38 000 - Okamžitý
EPCEPC
1
917-1110-2-ND
917-1110-1-ND
917-1110-6-ND
eGaN®
Páska a cívka (TR)
Řezaná páska (CT)
Digi-Reel®
Aktivní2 N-kanál (polomůstkový)GaNFET (Galium nitrid)100V1,7A70mOhm při 2A, 5V2,5V při 600µA0,73nC při 5V75pF při 50V--40°C ~ 150°C (TJ)Montáž na povrchRazidloRazidlo
eGaN Series
EPC2110
GANFET 2NCH 120V 3.4A DIE
52,38000 Kč
21 385 - Okamžitý
EPCEPC
1
917-1152-2-ND
917-1152-1-ND
917-1152-6-ND
eGaN®
Páska a cívka (TR)
Řezaná páska (CT)
Digi-Reel®
Aktivní2 N-kanál (duální) společný zdrojGaNFET (Galium nitrid)120V3,4A60mOhm při 4A, 5V2,5V při 700µA0,8nC při 5V80pF při 60V--40°C ~ 150°C (TJ)-RazidloRazidlo
eGaN Series
EPC2104
GAN TRANS SYMMETRICAL HALF BRIDG
158,46000 Kč
1 158 - Okamžitý
EPCEPC
1
917-1184-2-ND
917-1184-1-ND
917-1184-6-ND
eGaN®
Páska a cívka (TR)
Řezaná páska (CT)
Digi-Reel®
Aktivní2 N-kanál (polomůstkový)GaNFET (Galium nitrid)100V23A6,3mOhm při 20A, 5V2,5V při 5,5mA7nC při 5V800pF při 50V--40°C ~ 150°C (TJ)Montáž na povrchRazidloRazidlo
eGaN Series
EPC2102
GAN TRANS SYMMETRICAL HALF BRIDG
177,02000 Kč
1 848 - Okamžitý
EPCEPC
1
917-1182-2-ND
917-1182-1-ND
917-1182-6-ND
eGaN®
Páska a cívka (TR)
Řezaná páska (CT)
Digi-Reel®
Aktivní2 N-kanál (polomůstkový)GaNFET (Galium nitrid)60V23A4,4mOhm při 20A, 5V2,5V při 7mA6,8nC při 5V830pF při 30V--40°C ~ 150°C (TJ)Montáž na povrchRazidloRazidlo
BSM300D12P2E001
BSM300D12P2E001
MOSFET 2N-CH 1200V 300A
15 700,95000 Kč
28 - Okamžitý
Rohm SemiconductorRohm Semiconductor
1
BSM300D12P2E001-ND
-
Nosič
Aktivní2 N-kanál (polomůstkový)Karbid křemíku (SiC)1200V (1,2kV)300A (Tc)-4V při 68mA-35000pF při 10V1875W-40°C ~ 150°C (TJ)Montáž na šasiModulModul
SOT-353
DMN32D2LDF-7
MOSFET 2N-CH 30V 0.4A SOT353
9,06000 Kč
1 276 - Okamžitý
Diodes IncorporatedDiodes Incorporated
1
DMN32D2LDF-7DITR-ND
DMN32D2LDF-7DICT-ND
DMN32D2LDF-7DIDKR-ND
-
Páska a cívka (TR)
Řezaná páska (CT)
Digi-Reel®
Aktivní2 N-kanál (duální) společný zdrojHradlo logické úrovně30V400mA1,2Ohm při 100mA, 4V1,2V při 250µA-39pF při 3V280mW-55°C ~ 150°C (TJ)Montáž na povrch5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353SOT-353
SOT363
BSS138BKS,115
MOSFET 2N-CH 60V 0.32A 6TSSOP
11,05000 Kč
0 - Okamžitý
Nexperia USA Inc.Nexperia USA Inc.
1
1727-6478-2-ND
1727-6478-1-ND
1727-6478-6-ND
Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
Páska a cívka (TR)
Řezaná páska (CT)
Digi-Reel®
Aktivní2 N-kanál (duální)Hradlo logické úrovně60V320mA1,6Ohm při 320mA, 10V1,6V při 250µA0,7nC při 4,5V56pF při 10V445mW-55°C ~ 150°C (TJ)Montáž na povrch6-TSSOP, SC-88, SOT-3636-TSSOP
SOT363
NX3008PBKS,115
MOSFET 2P-CH 30V 0.2A 6TSSOP
11,49000 Kč
4 182 - Okamžitý
Nexperia USA Inc.Nexperia USA Inc.
1
1727-1282-2-ND
1727-1282-1-ND
1727-1282-6-ND
Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
Páska a cívka (TR)
Řezaná páska (CT)
Digi-Reel®
Aktivní2 P-kanál (duální)Hradlo logické úrovně30V200mA4,1Ohm při 200mA, 4,5V1,1V při 250µA0,75nC při 4,5V46pF při 15V445mW-55°C ~ 150°C (TJ)Montáž na povrch6-TSSOP, SC-88, SOT-3636-TSSOP
SOT363
PMGD290XN,115
MOSFET 2N-CH 20V 0.86A 6TSSOP
10,17000 Kč
41 775 - Okamžitý
Nexperia USA Inc.Nexperia USA Inc.
1
1727-3126-2-ND
1727-3126-1-ND
1727-3126-6-ND
TrenchMOS™
Páska a cívka (TR)
Řezaná páska (CT)
Digi-Reel®
Aktivní2 N-kanál (duální)Hradlo logické úrovně20V860mA350mOhm při 200mA, 4,5V1,5V při 250µA0,72nC při 4,5V34pF při 20V410mW-55°C ~ 150°C (TJ)Montáž na povrch6-TSSOP, SC-88, SOT-3636-TSSOP
8-SO
DMP3085LSD-13
MOSFET 2P-CH 30V 3.9A 8SO
8,84000 Kč
62 725 - Okamžitý
Diodes IncorporatedDiodes Incorporated
1
DMP3085LSD-13DITR-ND
DMP3085LSD-13DICT-ND
DMP3085LSD-13DIDKR-ND
-
Páska a cívka (TR)
Řezaná páska (CT)
Digi-Reel®
Aktivní2 P-kanál (duální)Hradlo logické úrovně30V3,9A70mOhm při 5,3A, 10V3V při 250µA11nC při 10V563pF při 25V1,1W-55°C ~ 150°C (TJ)Montáž na povrch8-SOIC (0,154", 3,90mm šířka)8-SO
SOT-963
DMC31D5UDJ-7
MOSFET N/P-CH 30V SOT963
10,17000 Kč
23 266 - Okamžitý
760 000 - Výrobce
Diodes IncorporatedDiodes Incorporated
1
DMC31D5UDJ-7DITR-ND
DMC31D5UDJ-7DICT-ND
DMC31D5UDJ-7DIDKR-ND
-
Páska a cívka (TR)
Řezaná páska (CT)
Digi-Reel®
AktivníN a P-kanálHradlo logické úrovně30V220mA, 200mA1,5Ohm při 100mA, 4,5V1V při 250µA0,38nC při 4,5V22,6pF při 15V350mW-55°C ~ 150°C (TJ)Montáž na povrchSOT-963SOT-963
U-DFN2020-6
DMN1029UFDB-7
MOSFET 2N-CH 12V 5.6A 6UDFN
11,05000 Kč
50 364 - Okamžitý
Diodes IncorporatedDiodes Incorporated
1
DMN1029UFDB-7DITR-ND
DMN1029UFDB-7DICT-ND
DMN1029UFDB-7DIDKR-ND
-
Páska a cívka (TR)
Řezaná páska (CT)
Digi-Reel®
Aktivní2 N-kanál (duální)Standardní12V5,6A29mOhm při 5A, 4,5V1V při 250µA19,6nC při 8V914pF při 6V1,4W-55°C ~ 150°C (TJ)Montáž na povrch6-UDFN podložka pro odvod teplaU-DFN2020-6 (typ B)
UF6
SSM6L40TU,LF
X34 PB-F UF6 S-MOS (LF) TRANSIST
11,27000 Kč
0 - Okamžitý
Toshiba Semiconductor and StorageToshiba Semiconductor and Storage
1
SSM6L40TULFTR-ND
SSM6L40TULFCT-ND
SSM6L40TULFDKR-ND
-
Páska a cívka (TR)
Řezaná páska (CT)
Digi-Reel®
AktivníN a P-kanálHradlo logické úrovně, 4V pohon30V1,6A (Ta), 1,4A (Ta)122mOhm při 1A, 10V, 226mOhm při 1A, 10V2,6V při 1mA, 2V při 1mA5,1nC při 10V, 2,9nC při 10V180pF při 15V, 120pF při 15V500mW (Ta)150°CMontáž na povrch6-SMD, Ploché vodičeUF6
SOT-563
2N7002V
MOSFET 2N-CH 60V 280MA SOT563F
10,61000 Kč
88 065 - Okamžitý
onsemionsemi
1
2N7002VTR-ND
2N7002VCT-ND
2N7002VDKR-ND
-
Páska a cívka (TR)
Řezaná páska (CT)
Digi-Reel®
Aktivní2 N-kanál (duální)Hradlo logické úrovně60V280mA7,5Ohm při 50mA, 5V2,5V při 250µA-50pF při 25V250mW-55°C ~ 150°C (TJ)Montáž na povrchSOT-563, SOT-666SOT-563F
8-SO
DMG9926USD-13
MOSFET 2N-CH 20V 8A SOP8L
11,27000 Kč
229 - Okamžitý
Diodes IncorporatedDiodes Incorporated
1
DMG9926USD-13DITR-ND
DMG9926USD-13DICT-ND
DMG9926USD-13DIDKR-ND
-
Páska a cívka (TR)
Řezaná páska (CT)
Digi-Reel®
Aktivní2 N-kanál (duální)Hradlo logické úrovně20V8A24mOhm při 8,2A, 4,5V900mV při 250µA8,8nC při 4,5V867pF při 15V1,3W-55°C ~ 150°C (TJ)Montáž na povrch8-SOIC (0,154", 3,90mm šířka)8-SO
Pkg 5880
SI1025X-T1-GE3
MOSFET 2P-CH 60V 0.19A SC-89
11,71000 Kč
660 - Okamžitý
Vishay SiliconixVishay Siliconix
1
SI1025X-T1-GE3TR-ND
SI1025X-T1-GE3CT-ND
SI1025X-T1-GE3DKR-ND
TrenchFET®
Páska a cívka (TR)
Řezaná páska (CT)
Digi-Reel®
Aktivní2 P-kanál (duální)Hradlo logické úrovně60V190mA4Ohm při 500mA, 10V3V při 250µA1,7nC při 15V23pF při 25V250mW-55°C ~ 150°C (TJ)Montáž na povrchSOT-563, SOT-666SC-89 (SOT-563F)
SOT 26
DMG9926UDM-7
MOSFET 2N-CH 20V 4.2A SOT-26
12,38000 Kč
22 139 - Okamžitý
Diodes IncorporatedDiodes Incorporated
1
DMG9926UDMDITR-ND
DMG9926UDMDICT-ND
DMG9926UDMDIDKR-ND
-
Páska a cívka (TR)
Řezaná páska (CT)
Digi-Reel®
Aktivní2 N-kanál (duální) společný odtokHradlo logické úrovně20V4,2A28mOhm při 8,2A, 4,5V900mV při 250µA8,3nC při 4,5V856pF při 10V980mW-55°C ~ 150°C (TJ)Montáž na povrchSOT-23-6SOT-26
SC-70-6
SI1900DL-T1-E3
MOSFET 2N-CH 30V 0.59A SC70-6
13,92000 Kč
16 489 - Okamžitý
Vishay SiliconixVishay Siliconix
1
SI1900DL-T1-E3TR-ND
SI1900DL-T1-E3CT-ND
SI1900DL-T1-E3DKR-ND
TrenchFET®
Páska a cívka (TR)
Řezaná páska (CT)
Digi-Reel®
Aktivní2 N-kanál (duální)Hradlo logické úrovně30V590mA480mOhm při 590mA, 10V3V při 250µA1,4nC při 10V-270mW-55°C ~ 150°C (TJ)Montáž na povrch6-TSSOP, SC-88, SOT-363SC-70-6
TUMT6_TUMT6 Pkg
US6M2TR
MOSFET N/P-CH 30V/20V TUMT6
15,69000 Kč
18 958 - Okamžitý
Rohm SemiconductorRohm Semiconductor
1
US6M2TR-ND
US6M2CT-ND
US6M2DKR-ND
-
Páska a cívka (TR)
Řezaná páska (CT)
Digi-Reel®
AktivníN a P-kanálStandardní30V, 20V1,5A, 1A240mOhm při 1,5A, 4,5V1,5V při 1mA2,2nC při 4,5V80pF při 10V1W150°C (TJ)Montáž na povrch6-SMD, Ploché vodičeTUMT6
8-SOIC
SI9933CDY-T1-GE3
MOSFET 2P-CH 20V 4A 8-SOIC
14,59000 Kč
225 - Okamžitý
Vishay SiliconixVishay Siliconix
1
SI9933CDY-T1-GE3TR-ND
SI9933CDY-T1-GE3CT-ND
SI9933CDY-T1-GE3DKR-ND
TrenchFET®
Páska a cívka (TR)
Řezaná páska (CT)
Digi-Reel®
Aktivní2 P-kanál (duální)Hradlo logické úrovně20V4A58mOhm při 4,8A, 4,5V1,4V při 250µA26nC při 10V665pF při 10V3,1W-50°C ~ 150°C (TJ)Montáž na povrch8-SOIC (0,154", 3,90mm šířka)8-SOIC
8-SOIC
AOSD21311C
MOSFET 2P-CH 8-SOIC
15,69000 Kč
51 080 - Okamžitý
Alpha & Omega Semiconductor Inc.Alpha & Omega Semiconductor Inc.
1
785-AOSD21311CTR-ND
785-AOSD21311CCT-ND
785-AOSD21311CDKR-ND
-
Páska a cívka (TR)
Řezaná páska (CT)
Digi-Reel®
Aktivní2 P-kanál (duální)Standardní30V5A (Ta)42mOhm při 5A, 10V2,2V při 250µA23nC při 10V720pF při 15V1,7W-55°C ~ 150°C (TJ)Montáž na povrch8-SOIC (0,154", 3,90mm šířka)8-SOIC
SOT-963
NTUD3174NZT5G
MOSFET 2N-CH 20V 220MA SOT963
14,81000 Kč
29 759 - Okamžitý
onsemionsemi
1
NTUD3174NZT5GOSTR-ND
NTUD3174NZT5GOSCT-ND
NTUD3174NZT5GOSDKR-ND
-
Páska a cívka (TR)
Řezaná páska (CT)
Digi-Reel®
Aktivní2 N-kanál (duální)Standardní20V220mA (Ta)1,5Ohm při 100mA, 4,5V1V při 100µA-12,5pF při 15V125mW (Ta)-55°C ~ 150°C (TJ)Montáž na povrchSOT-963SOT-963
8-SOIC
AO4840
MOSFET 2N-CH 40V 6A 8-SOIC
16,35000 Kč
55 558 - Okamžitý
Alpha & Omega Semiconductor Inc.Alpha & Omega Semiconductor Inc.
1
785-1063-2-ND
785-1063-1-ND
785-1063-6-ND
-
Páska a cívka (TR)
Řezaná páska (CT)
Digi-Reel®
Není určeno pro nové konstrukce2 N-kanál (duální)Hradlo logické úrovně40V6A30mOhm při 6A, 10V3V při 250µA10,8nC při 10V650pF při 20V2W-55°C ~ 150°C (TJ)Montáž na povrch8-SOIC (0,154", 3,90mm šířka)8-SOIC
8-SOIC
AO4882
MOSFET 2N-CH 40V 8A 8SOIC
17,68000 Kč
252 180 - Okamžitý
Alpha & Omega Semiconductor Inc.Alpha & Omega Semiconductor Inc.
1
785-1317-2-ND
785-1317-1-ND
785-1317-6-ND
-
Páska a cívka (TR)
Řezaná páska (CT)
Digi-Reel®
Aktivní2 N-kanál (duální)Hradlo logické úrovně40V8A19mOhm při 8A, 10V2,4V při 250µA12nC při 10V415pF při 20V2W-55°C ~ 150°C (TJ)Montáž na povrch8-SOIC (0,154", 3,90mm šířka)8-SOIC
FDMAxxxxxZ
FDMA3023PZ
MOSFET 2P-CH 30V 2.9A 6MICROFET
16,13000 Kč
5 230 - Okamžitý
18 000 - Výrobce
onsemionsemi
1
FDMA3023PZTR-ND
FDMA3023PZCT-ND
FDMA3023PZDKR-ND
PowerTrench®
Páska a cívka (TR)
Řezaná páska (CT)
Digi-Reel®
Aktivní2 P-kanál (duální)Hradlo logické úrovně30V2,9A90mOhm při 2,9A, 4,5V1V při 250µA11nC při 4,5V530pF při 15V700mW-55°C ~ 150°C (TJ)Montáž na povrch6-VDFN podložka pro odvod tepla6-MicroFET (2x2)
Počet výsledků na stránku
25
Page 1/204