Pole FET, MOSFET

Výsledky : 5 684
Výrobce
Advanced Linear Devices Inc.Alpha & Omega Semiconductor Inc.Analog Devices Inc./Maxim IntegratedAnalog Power Inc.BruckewellCentral Semiconductor CorpComchip TechnologyDiodes IncorporatedDiotec SemiconductorEMO Inc.EPCEPC Space, LLC
Řada
-*AlphaDFN™AlphaMOSAlphaSGT™CC, CoolSiC™CAB425M12XM3CoolMOS™CoolSiC™CoolSiC™+DeepGATE™, STripFET™ H6
Balení
Digi-Reel®Hromadné baleníKrabiceNosičPásekPáska a cívka (TR)TrubiceŘezaná páska (CT)
Stav produktu
AktivníDatum posledního nákupuNení určeno pro nové konstrukceUkončeno ve společnosti Digi-KeyZastaralé
Technologie
-GaNFET (Galium nitrid)Karbid křemíku (SiC)MOSFET (oxid kovu)SiCFET (karbid křemíku)
Konfigurace
2 N a 2 P-kanál2 N a 2 P-kanál přizpůsobený pár2 N kanál (Dual Buck Chopper)2 N kanál (fázové rameno)2 N-kanál2 N-kanál (Cascoded)2 N-kanál (duální)2 N-kanál (duální) asymetrický2 N-kanál (duální) přizpůsobený pár2 N-kanál (duální) společný odtok2 N-kanál (duální) společný zdroj2 N-kanál (duální), P-kanál
Funkce tranzistoru FET
-Hradlo logické úrovněHradlo logické úrovně, 0,9V pohonHradlo logické úrovně, 1,2V pohonHradlo logické úrovně, 1,5V pohonHradlo logické úrovně, 1,8V pohonHradlo logické úrovně, 10V pohonHradlo logické úrovně, 2,5V pohonHradlo logické úrovně, 4,5V pohonHradlo logické úrovně, 4V pohonHradlo logické úrovně, 5V pohonKarbid křemíku (SiC)Režim spotřeby
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)
5,5V8V10V10,6V12V12V, 20V14V15V16V20V20V, 12V20V, 8V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C
12mA, 3mA40mA40mA, 16mA50mA (Ta)80mA100mA100mA (Ta)100mA, 200mA100mA, 5,5A115mA115mA (Ta)115mA (Ta), 130mA (Ta)
Rds zap (max) při Id, Vgs
0,46mOhm při 160A, 12V0,762mOhm při 160A, 12V0,765mOhm při 160A, 12V, 0,580mOhm při 160A, 12V0,765mOhm při 160A, 12V, 0,710mOhm při 160A, 12V0,8mOhm při 1200A, 10V0,88mOhm při 160A, 14V, 0,71mOhm při 160A, 14V0,88mOhm při 50A, 10V0,95mOhm při 30A, 10V0,95mOhm při 8A, 4,5V0,99mOhm při 80A, 10V, 1,35mOhm při 80A, 10V1,039mOhm při 160A, 12V, 762µOhm při 160A, 12V1,2mOhm při 800A, 10V
Vgs(th) (max) při Id
10mV při 10µA10mV při 1µA10mV při 20µA20mV při 10µA20mV při 1µA20mV při 20µA180mV při 1µA200mV při 2,8A, 200mV při 1,9A220mV při 1µA360mV při 1µA380mV při 1µA400mV při 250µA (min.)
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs
0,4pC při 4,5V, 7,3nC při 4,5V0,45pC při 4,5V0,16nC při 5V, 0,044nC při 5V0,22nC při 5V, 0,044nC při 5V0,26nC při 2,5V0,28nC při 4,5V0,28nC při 4,5V, 0,3nC při 4,5V0,3nC při 4,5V0,3nC při 4,5V, 0,28nC při 4,5V0,304nC při 4,5V0,31nC při 4,5V0,32nC při 4,5V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds
2,5pF při 5V3pF při 5V5pF při 3V6pF při 3V6,2pF při 10V6,6pF při 10V7pF při 10V7pF při 3V7,1pF při 10V7,4pF při 10V7,5pF při 10V8,5pF při 3V
Výkon - max
490µW500µW (Ta)10mW20mW120mW125mW125mW (Ta)140mW150mW150mW (Ta)180mW200mW
Provozní teplota
-65°C ~ 150°C (TJ)-55°C ~ 125°C-55°C ~ 150°C-55°C ~ 150°C (TA)-55°C ~ 150°C (Tc)-55°C ~ 150°C (TJ)-55°C ~ 155°C (TJ)-55°C ~ 175°C-55°C ~ 175°C (TA)-55°C ~ 175°C (TJ)-50°C ~ 150°C (TJ)-40°C ~ 125°C
Třída
-Automobilový průmyslVojenství
Kvalifikace
-AEC-Q100AEC-Q101MIL-PRF-19500/597MIL-PRF-19500/599
Způsob montáže
-Montáž na povrchMontáž na povrch, Smáčitelný bokMontáž na šasiPrůchozí otvor
Pouzdro
4-SMD, Bez přívodů4-UFBGA, WLBGA4-UFBGA, WLCSP4-UFLGA4-VDFN4-VFDFN podložka pro odvod tepla4-XBGA, 4-FCBGA4-XDFN4-XFBGA4-XFBGA, DSBGA4-XFBGA, FCBGA4-XFBGA, WLBGA
Dodávaná velikost pouzdra
4-AlphaDFN (0,97x0,97)4-AlphaDFN (1,2 x 1,2)4-AlphaDFN (1,9x1,3)4-BGA (1x1)4-CSP (0,8x0,8)4-CSP (1,11x1,11)4-CSP (1,1x1,1)4-CSP (1,29x1,29)4-CSP (1,74x1,74)4-DFN (1,5x1,5)4-DFN (1,7x1,7)4-EFCP (1,01x1,01)
Skladové možnosti
Možnosti ochrany životního prostředí
Média
PRODUKT SLUŽBY MARKETPLACE
5 684Výsledky

Zobrazuje se
z 5 684
Porovnat
Objednací č. Mfr
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
Cena
Řada
Balení
Stav produktu
Technologie
Konfigurace
Funkce tranzistoru FET
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C
Rds zap (max) při Id, Vgs
Vgs(th) (max) při Id
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds
Výkon - max
Provozní teplota
Třída
Kvalifikace
Způsob montáže
Pouzdro
Dodávaná velikost pouzdra
27 447
Skladem
1 : 5,29000 Kč
Řezaná páska (CT)
3 000 : 0,89662 Kč
Páska a cívka (TR)
-
Páska a cívka (TR)
Řezaná páska (CT)
Digi-Reel®
Aktivní
MOSFET (oxid kovu)
2 N-kanál (duální)
-
60V
300mA
1,5Ohm při 100mA, 10V
2,1V při 250µA
0,6nC při 4,5V
40pF při 10V
285mW
150°C (TJ)
-
-
Montáž na povrch
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
US6
UMT6
UM6K33NTN
MOSFET 2N-CH 50V 0.2A UMT6
Rohm Semiconductor
776 266
Skladem
1 : 5,98000 Kč
Řezaná páska (CT)
3 000 : 1,31537 Kč
Páska a cívka (TR)
-
Páska a cívka (TR)
Řezaná páska (CT)
Digi-Reel®
Aktivní
MOSFET (oxid kovu)
2 N-kanál (duální)
Hradlo logické úrovně, 1,2V pohon
50V
200mA
2,2Ohm při 200mA, 4,5V
1V při 1mA
-
25pF při 10V
120mW
150°C (TJ)
-
-
Montáž na povrch
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
UMT6
UMT6
UM6K34NTCN
MOSFET 2N-CH 50V 0.2A UMT6
Rohm Semiconductor
354 398
Skladem
1 : 5,98000 Kč
Řezaná páska (CT)
3 000 : 1,34458 Kč
Páska a cívka (TR)
-
Páska a cívka (TR)
Řezaná páska (CT)
Digi-Reel®
Aktivní
MOSFET (oxid kovu)
2 N-kanál (duální)
Hradlo logické úrovně, 0,9V pohon
50V
200mA
2,2Ohm při 200mA, 4,5V
800mV při 1mA
-
26pF při 10V
120mW
150°C (TJ)
-
-
Montáž na povrch
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
UMT6
8 SO
DMP3085LSD-13
MOSFET 2P-CH 30V 3.9A 8SO
Diodes Incorporated
242 965
Skladem
385 000
Továrna
1 : 5,98000 Kč
Řezaná páska (CT)
2 500 : 1,81130 Kč
Páska a cívka (TR)
-
Páska a cívka (TR)
Řezaná páska (CT)
Digi-Reel®
Aktivní
MOSFET (oxid kovu)
2 P-kanál (duální)
Hradlo logické úrovně
30V
3,9A
70mOhm při 5,3A, 10V
3V při 250µA
11nC při 10V
563pF při 25V
1,1W
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montáž na povrch
8-SOIC (0,154", 3,90mm šířka)
8-SO
SOT 26
DMP2240UDM-7
MOSFET 2P-CH 20V 2A SOT26
Diodes Incorporated
192 238
Skladem
342 000
Továrna
1 : 6,67000 Kč
Řezaná páska (CT)
3 000 : 2,71691 Kč
Páska a cívka (TR)
-
Páska a cívka (TR)
Řezaná páska (CT)
Digi-Reel®
Aktivní
MOSFET (oxid kovu)
2 P-kanál (duální)
Hradlo logické úrovně
20V
2A
150mOhm při 2A, 4,5V
1V při 250µA
-
320pF při 16V
600mW
-65°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montáž na povrch
SOT-23-6
SOT-26
SOT 26
DMN2004DMK-7
MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT26
Diodes Incorporated
147 885
Skladem
78 000
Továrna
1 : 6,67000 Kč
Řezaná páska (CT)
3 000 : 2,71691 Kč
Páska a cívka (TR)
-
Páska a cívka (TR)
Řezaná páska (CT)
Digi-Reel®
Aktivní
MOSFET (oxid kovu)
2 N-kanál (duální)
Hradlo logické úrovně
20V
540mA
550mOhm při 540mA, 4,5V
1V při 250µA
-
150pF při 16V
225mW
-65°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montáž na povrch
SOT-23-6
SOT-26
8-SOIC
AO4629
MOSFET N/P-CH 30V 6A/5.5A 8SOIC
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
170 197
Skladem
1 : 6,90000 Kč
Řezaná páska (CT)
3 000 : 2,76000 Kč
Páska a cívka (TR)
-
Páska a cívka (TR)
Řezaná páska (CT)
Digi-Reel®
Aktivní
MOSFET (oxid kovu)
N a P-kanál, Společný odtok
Hradlo logické úrovně
30V
6A, 5,5A
30mOhm při 6A, 10V
2,4V při 250µA
6,3nC při 10V
310pF při 15V
2W
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montáž na povrch
8-SOIC (0,154", 3,90mm šířka)
8-SOIC
SOT 363
2N7002DW-7-F
MOSFET 2N-CH 60V 0.23A SOT363
Diodes Incorporated
155 957
Skladem
1 : 7,82000 Kč
Řezaná páska (CT)
3 000 : 1,41596 Kč
Páska a cívka (TR)
-
Páska a cívka (TR)
Řezaná páska (CT)
Digi-Reel®
Aktivní
MOSFET (oxid kovu)
2 N-kanál (duální)
-
60V
230mA
7,5Ohm při 50mA, 5V
2V při 250µA
-
50pF při 25V
310mW
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montáž na povrch
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
SOT-363
Pkg 5880
SI1034CX-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 20V 0.61A SC89
Vishay Siliconix
70 555
Skladem
1 : 8,05000 Kč
Řezaná páska (CT)
3 000 : 2,18132 Kč
Páska a cívka (TR)
Páska a cívka (TR)
Řezaná páska (CT)
Digi-Reel®
Aktivní
MOSFET (oxid kovu)
2 N-kanál (duální)
Hradlo logické úrovně
20V
610mA (Ta)
396mOhm při 500mA, 4,5V
1V při 250µA
2nC při 8V
43pF při 10V
220mW
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montáž na povrch
SOT-563, SOT-666
SC-89 (SOT-563F)
SOT363
2N7002PS,115
MOSFET 2N-CH 60V 0.32A 6TSSOP
Nexperia USA Inc.
23 264
Skladem
1 : 8,05000 Kč
Řezaná páska (CT)
3 000 : 1,44563 Kč
Páska a cívka (TR)
-
Páska a cívka (TR)
Řezaná páska (CT)
Digi-Reel®
Není určeno pro nové konstrukce
MOSFET (oxid kovu)
2 N-kanál (duální)
Hradlo logické úrovně
60V
320mA
1,6Ohm při 500mA, 10V
2,4V při 250µA
0,8nC při 4,5V
50pF při 10V
420mW
150°C (TJ)
Automobilový průmysl
AEC-Q100
Montáž na povrch
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
6-TSSOP
274 201
Skladem
1 : 8,28000 Kč
Řezaná páska (CT)
3 000 : 1,48289 Kč
Páska a cívka (TR)
-
Páska a cívka (TR)
Řezaná páska (CT)
Digi-Reel®
Aktivní
MOSFET (oxid kovu)
2 N-kanál (duální)
Hradlo logické úrovně, 1,5V pohon
20V
250mA (Ta)
2,2Ohm při 100mA, 4,5V
1V při 1mA
-
12pF při 10V
300mW
150°C
-
-
Montáž na povrch
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
US6
SOT-363
NTJD5121NT1G
MOSFET 2N-CH 60V 0.295A SC88
onsemi
139 761
Skladem
1 : 8,28000 Kč
Řezaná páska (CT)
3 000 : 1,38100 Kč
Páska a cívka (TR)
-
Páska a cívka (TR)
Řezaná páska (CT)
Digi-Reel®
Aktivní
MOSFET (oxid kovu)
2 N-kanál (duální)
Hradlo logické úrovně
60V
295mA
1,6Ohm při 500mA, 10V
2,5V při 250µA
0,9nC při 4,5V
26pF při 20V
250mW
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montáž na povrch
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
SC-88/SC70-6/SOT-363
SOT-363
NTJD4001NT1G
MOSFET 2N-CH 30V 0.25A SC88
onsemi
121 432
Skladem
1 : 8,28000 Kč
Řezaná páska (CT)
3 000 : 2,21766 Kč
Páska a cívka (TR)
-
Páska a cívka (TR)
Řezaná páska (CT)
Digi-Reel®
Aktivní
MOSFET (oxid kovu)
2 N-kanál (duální)
-
30V
250mA
1,5Ohm při 10mA, 4V
1,5V při 100µA
1,3nC při 5V
33pF při 5V
272mW
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montáž na povrch
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
SC-88/SC70-6/SOT-363
SOT-363 PKG
BSD235NH6327XTSA1
MOSFET 2N-CH 20V 0.95A SOT363
Infineon Technologies
20 618
Skladem
1 : 8,28000 Kč
Řezaná páska (CT)
3 000 : 2,25768 Kč
Páska a cívka (TR)
Páska a cívka (TR)
Řezaná páska (CT)
Digi-Reel®
Aktivní
MOSFET (oxid kovu)
2 N-kanál (duální)
Hradlo logické úrovně
20V
950mA
350mOhm při 950mA, 4,5V
1,2V při 1,6µA
0,32nC při 4,5V
63pF při 10V
500mW
-55°C ~ 150°C (TJ)
Automobilový průmysl
AEC-Q101
Montáž na povrch
6-VSSOP, SC-88, SOT-363
PG-SOT363-PO
TSOT-26
DMG6602SVTQ-7
MOSFET N/P-CH 30V 3.4A TSOT26
Diodes Incorporated
94 009
Skladem
1 299 000
Továrna
1 : 8,51000 Kč
Řezaná páska (CT)
3 000 : 2,29034 Kč
Páska a cívka (TR)
-
Páska a cívka (TR)
Řezaná páska (CT)
Digi-Reel®
Aktivní
MOSFET (oxid kovu)
N a P-kanál
-
30V
3,4A, 2,8A
60mOhm při 3,1A, 10V
2,3V při 250µA
13nC při 10V
400pF při 15V
840mW
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montáž na povrch
SOT-23-6 tenký, TSOT-23-6
TSOT-26
6DFN
PMCXB900UEZ
MOSFET N/P-CH 20V 0.6A 6DFN
Nexperia USA Inc.
107 784
Skladem
1 : 8,74000 Kč
Řezaná páska (CT)
5 000 : 2,26145 Kč
Páska a cívka (TR)
Páska a cívka (TR)
Řezaná páska (CT)
Digi-Reel®
Aktivní
MOSFET (oxid kovu)
N a P-kanál doplňkový
Hradlo logické úrovně
20V
600mA, 500mA
620mOhm při 600mA, 4,5V
950mV při 250µA
0,7nC při 4,5V
21,3pF při 10V
265mW
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montáž na povrch
6-XFDFN podložka pro odvod tepla
DFN1010B-6
SOT-563-6_463A
NTZD3155CT1G
MOSFET N/P-CH 20V SOT563
onsemi
85 829
Skladem
1 : 8,97000 Kč
Řezaná páska (CT)
4 000 : 2,42851 Kč
Páska a cívka (TR)
-
Páska a cívka (TR)
Řezaná páska (CT)
Digi-Reel®
Aktivní
MOSFET (oxid kovu)
N a P-kanál
Hradlo logické úrovně
20V
540mA, 430mA
550mOhm při 540mA, 4,5V
1V při 250µA
2,5nC při 4,5V
150pF při 16V
250mW
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montáž na povrch
SOT-563, SOT-666
SOT-563
TSOT-26
DMG6601LVT-7
MOSFET N/P-CH 30V 3.8A TSOT26
Diodes Incorporated
51 999
Skladem
1 038 000
Továrna
1 : 8,97000 Kč
Řezaná páska (CT)
3 000 : 1,96681 Kč
Páska a cívka (TR)
-
Páska a cívka (TR)
Řezaná páska (CT)
Digi-Reel®
Aktivní
MOSFET (oxid kovu)
N a P-kanál
Hradlo logické úrovně
30V
3,8A, 2,5A
55mOhm při 3,4A, 10V
1,5V při 250µA
12,3nC při 10V
422pF při 15V
850mW
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montáž na povrch
SOT-23-6 tenký, TSOT-23-6
TSOT-26
SOT 563
DMG1029SV-7
MOSFET N/P-CH 60V 0.5A SOT563
Diodes Incorporated
435 029
Skladem
1 890 000
Továrna
1 : 9,20000 Kč
Řezaná páska (CT)
3 000 : 2,48308 Kč
Páska a cívka (TR)
-
Páska a cívka (TR)
Řezaná páska (CT)
Digi-Reel®
Aktivní
MOSFET (oxid kovu)
N a P-kanál
Hradlo logické úrovně
60V
500mA, 360mA
1,7Ohm při 500mA, 10V
2,5V při 250µA
0,3nC při 4,5V
30pF při 25V, 25pF při 25V
450mW
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montáž na povrch
SOT-563, SOT-666
SOT-563
89 773
Skladem
1 : 9,20000 Kč
Řezaná páska (CT)
4 000 : 1,65738 Kč
Páska a cívka (TR)
-
Páska a cívka (TR)
Řezaná páska (CT)
Digi-Reel®
Aktivní
MOSFET (oxid kovu)
2 N-kanál (duální)
Hradlo logické úrovně
30V
100mA
4Ohm při 10mA, 4V
1,5V při 100µA
-
8,5pF při 3V
150mW
150°C (TJ)
-
-
Montáž na povrch
SOT-563, SOT-666
ES6
SOT 563
2N7002VC-7
MOSFET 2N-CH 60V 0.28A SOT563
Diodes Incorporated
64 709
Skladem
1 : 9,20000 Kč
Řezaná páska (CT)
3 000 : 2,48308 Kč
Páska a cívka (TR)
-
Páska a cívka (TR)
Řezaná páska (CT)
Digi-Reel®
Aktivní
MOSFET (oxid kovu)
2 N-kanál (duální)
-
60V
280mA
7,5Ohm při 50mA, 5V
2,5V při 250µA
-
50pF při 25V
150mW
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montáž na povrch
SOT-563, SOT-666
SOT-563
MCM2301-TP
MCM3400A-TP
MOSFET 2N-CH 30V 5A 6DFN
Micro Commercial Co
42 332
Skladem
1 : 9,20000 Kč
Řezaná páska (CT)
3 000 : 2,47940 Kč
Páska a cívka (TR)
-
Páska a cívka (TR)
Řezaná páska (CT)
Digi-Reel®
Aktivní
MOSFET (oxid kovu)
2 N-kanál
-
30V
5A
32mOhm při 5,8A, 10V
1,5V při 250µA
-
1155pF při 15V
1,4W
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montáž na povrch
6-VDFN podložka pro odvod tepla
DFN2020-6L
6DFN
PMDXB550UNEZ
MOSFET 2N-CH 30V 0.59A 6DFN
Nexperia USA Inc.
31 798
Skladem
1 : 9,20000 Kč
Řezaná páska (CT)
5 000 : 2,38059 Kč
Páska a cívka (TR)
-
Páska a cívka (TR)
Řezaná páska (CT)
Digi-Reel®
Aktivní
MOSFET (oxid kovu)
2 N-kanál (duální)
-
30V
590mA
670mOhm při 590mA, 4,5V
950mV při 250µA
1,05nC při 4,5V
30,3pF při 15V
285mW
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montáž na povrch
6-XFDFN podložka pro odvod tepla
DFN1010B-6
U-DFN2020-6
DMN3032LFDB-7
MOSFET 2N-CH 30V 6.2A 6UDFN
Diodes Incorporated
10 655
Skladem
219 000
Továrna
1 : 9,20000 Kč
Řezaná páska (CT)
3 000 : 3,13176 Kč
Páska a cívka (TR)
-
Páska a cívka (TR)
Řezaná páska (CT)
Digi-Reel®
Aktivní
MOSFET (oxid kovu)
2 N-kanál (duální)
-
30V
6,2A
30mOhm při 5,8A, 10V
2V při 250µA
10,6nC při 10V
500pF při 15V
1W
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montáž na povrch
6-UDFN podložka pro odvod tepla
U-DFN2020-6 (typ B)
448; PPG-SOT363-PO; ; 6
2N7002DWH6327XTSA1
MOSFET 2N-CH 60V 0.3A SOT363
Infineon Technologies
93 590
Skladem
1 : 9,43000 Kč
Řezaná páska (CT)
3 000 : 1,69909 Kč
Páska a cívka (TR)
Páska a cívka (TR)
Řezaná páska (CT)
Digi-Reel®
Aktivní
MOSFET (oxid kovu)
2 N-kanál (duální)
Hradlo logické úrovně
60V
300mA
3Ohm při 500mA, 10V
2,5V při 250µA
0,6nC při 10V
20pF při 25V
500mW
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montáž na povrch
6-VSSOP, SC-88, SOT-363
PG-SOT363-PO
Zobrazuje se
z 5 684

Pole FET, MOSFET


Tranzistory řízené polem (FET) jsou elektronické součástky, které k řízení toku proudu používají elektrické pole. Přivedením napětí na svorku hradla se mění vodivost mezi odtokovou a zdrojovou svorkou. Tranzistory FET jsou známé také jako unipolární tranzistory, protože pracují s jedním typem nosiče. Znamená to, že tranzistory FET používají během provozu jako nosiče náboje elektrony nebo díry, nikoli však obojí. Tranzistory řízené polem obvykle vykazují velmi nízkou vstupní impedanci na nízkých kmitočtech.