Pole FET, MOSFET

Výsledky : 5 477
Výrobce
Advanced Linear Devices Inc.Alpha & Omega Semiconductor Inc.Analog Devices Inc.Analog Devices Inc./Maxim IntegratedBruckewellCentral Semiconductor CorpComchip TechnologyDiodes IncorporatedDiotec SemiconductorEMO Inc.EPCEPC Space, LLC
Řada
-*AlphaDFN™AlphaMOSAlphaSGT™C, CoolSiC™CAB425M12XM3CoolMOS™CoolSiC™CoolSiC™+DeepGATE™, STripFET™ H6DeepGATE™, STripFET™ VI
Balení
Digi-Reel®Hromadné baleníKrabiceNosičPásekPáska a cívka (TR)TrubiceŘezaná páska (CT)
Stav produktu
AktivníDatum posledního nákupuNení určeno pro nové konstrukceUkončeno ve společnosti Digi-KeyZastaralé
Technologie
-GaNFET (Galium nitrid)Karbid křemíku (SiC)MOSFET (oxid kovu)
Konfigurace
2 N a 2 P-kanál přizpůsobený pár2 N a 2 P-kanál2 N kanál (Dual Buck Chopper)2 N kanál (fázové rameno)2 N-Channel, Common Drain2 N-kanál (Cascoded)2 N-kanál (duální) asymetrický2 N-kanál (duální) přizpůsobený pár2 N-kanál (duální) společný odtok2 N-kanál (duální) společný zdroj2 N-kanál (duální)2 N-kanál (duální), P-kanál
Funkce tranzistoru FET
-GaNFET (Galium nitrid)Hradlo logické úrovněHradlo logické úrovně, 0,9V pohonHradlo logické úrovně, 1,2V pohonHradlo logické úrovně, 1,5V pohonHradlo logické úrovně, 1,8V pohonHradlo logické úrovně, 10V pohonHradlo logické úrovně, 2,5V pohonHradlo logické úrovně, 4,5V pohonHradlo logické úrovně, 4V pohonHradlo logické úrovně, 5V pohonKarbid křemíku (SiC)Režim spotřeby
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)
5,5V8V10V10,6V12V12V, 20V14V15V16V20V20V, 12V20V, 8V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C
12mA, 3mA40mA40mA, 16mA50mA (Ta)80mA100mA (Ta)100mA100mA, 200mA100mA, 5,5A115mA (Ta)115mA (Ta), 130mA (Ta)115mA (Tc)
Rds zap (max) při Id, Vgs
0,46mOhm při 160A, 12V0,762mOhm při 160A, 12V0,8mOhm při 1200A, 10V0,95mOhm při 30A, 10V0,95mOhm při 8A, 4,5V1,2mOhm při 10A, 10V1,2mOhm při 800A, 10V1,25mOhm při 35A, 10V1,3mOhm při 100A, 10V1,35mOhm při 10A, 4,5V1,37mOhm při 15A, 10V1,4mOhm při 6A, 10V
Vgs(th) (max) při Id
10mV při 10µA10mV při 1µA10mV při 20µA20mV při 10µA20mV při 1µA20mV při 20µA180mV při 1µA200mV při 2,8A, 200mV při 1,9A220mV při 1µA360mV při 1µA380mV při 1µA400mV při 250µA (min.)
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs
0,4pC při 4,5V, 7,3nC při 4,5V0,45pC při 4,5V0,16nC při 5V, 0,044nC při 5V0,22nC při 5V, 0,044nC při 5V0,26nC při 2,5V280pC při 4,5V0,28nC při 4,5V0,28nC při 4,5V, 0,3nC při 4,5V0,3nC při 4,5V0,3nC při 4,5V, 0,28nC při 4,5V0,304nC při 4,5V0,31nC při 4,5V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds
2,5pF při 5V3pF při 5V5pF při 3V6pF při 3V6,2pF při 10V6,6pF při 10V7pF při 10V7pF při 3V7,1pF při 10V7,4pF při 10V7,5pF při 10V8,5pF při 3V
Výkon - max
490µW500µW (Ta)10mW20mW120mW125mW (Ta)125mW140mW150mW (Ta)150mW180mW200mW (Ta)
Provozní teplota
-65°C ~ 150°C (TJ)-55°C ~ 125°C-55°C ~ 150°C (TA)-55°C ~ 150°C (TJ)-55°C ~ 150°C (Tc)-55°C ~ 150°C-55°C ~ 155°C (TJ)-55°C ~ 175°C (TA)-55°C ~ 175°C (TJ)-55°C ~ 175°C-50°C ~ 150°C (TJ)-40°C ~ 125°C (TA)
Třída
-Automobilový průmyslVojenství
Kvalifikace
-AEC-Q100AEC-Q101MIL-PRF-19500/597MIL-PRF-19500/599
Způsob montáže
-Montáž na povrchMontáž na povrch, Smáčitelný bokMontáž na šasiPrůchozí otvor
Pouzdro
4-SMD, Bez přívodů4-UFBGA, WLBGA4-UFBGA, WLCSP4-UFLGA4-VDFN4-VFDFN podložka pro odvod tepla4-XBGA, 4-FCBGA4-XDFN4-XFBGA4-XFBGA, DSBGA4-XFBGA, FCBGA4-XFBGA, WLBGA
Dodávaná velikost pouzdra
4-AlphaDFN (0,97x0,97)4-AlphaDFN (1,2 x 1,2)4-AlphaDFN (1,9x1,3)4-BGA (1x1)4-CSP (0,8x0,8)4-CSP (1,11x1,11)4-CSP (1,1x1,1)4-CSP (1,29x1,29)4-CSP (1.74x1.74)4-DFN (1,5x1,5)4-DFN (1,7x1,7)4-EFCP (1,01x1,01)
Skladové možnosti
Možnosti ochrany životního prostředí
Média
PRODUKT SLUŽBY MARKETPLACE
5 477Výsledky
Zobrazuje se
z 5 477
Porovnat
Objednací č. Mfr
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
Cena
Řada
Balení
Stav produktu
Technologie
Konfigurace
Funkce tranzistoru FET
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C
Rds zap (max) při Id, Vgs
Vgs(th) (max) při Id
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds
Výkon - max
Provozní teplota
Třída
Kvalifikace
Způsob montáže
Pouzdro
Dodávaná velikost pouzdra
US6
SSM6N7002KFU,LF
MOSFET 2N-CH 60V 0.3A US6
Toshiba Semiconductor and Storage
546 781
Skladem
1 : 5,33000 Kč
Řezaná páska (CT)
3 000 : 0,89273 Kč
Páska a cívka (TR)
-
Páska a cívka (TR)
Řezaná páska (CT)
Digi-Reel®
AktivníMOSFET (oxid kovu)2 N-kanál (duální)-60V300mA1,5Ohm při 100mA, 10V2,1V při 250µA0,6nC při 4,5V40pF při 10V285mW150°C (TJ)--Montáž na povrch6-TSSOP, SC-88, SOT-363US6
SOT 363
NTJD5121NT1G
MOSFET 2N-CH 60V 0.295A SC88
onsemi
44 925
Skladem
1 : 8,00000 Kč
Řezaná páska (CT)
3 000 : 1,33416 Kč
Páska a cívka (TR)
-
Páska a cívka (TR)
Řezaná páska (CT)
Digi-Reel®
AktivníMOSFET (oxid kovu)2 N-kanál (duální)Hradlo logické úrovně60V295mA1,6Ohm při 500mA, 10V2,5V při 250µA0,9nC při 4,5V26pF při 20V250mW-55°C ~ 150°C (TJ)--Montáž na povrch6-TSSOP, SC-88, SOT-363SC-88/SC70-6/SOT-363
SOT-363
2N7002DW-7-F
MOSFET 2N-CH 60V 0.23A SOT363
Diodes Incorporated
247 898
Skladem
1 : 7,55000 Kč
Řezaná páska (CT)
3 000 : 1,36794 Kč
Páska a cívka (TR)
-
Páska a cívka (TR)
Řezaná páska (CT)
Digi-Reel®
AktivníMOSFET (oxid kovu)2 N-kanál (duální)-60V230mA7,5Ohm při 50mA, 5V2V při 250µA-50pF při 25V310mW-55°C ~ 150°C (TJ)--Montáž na povrch6-TSSOP, SC-88, SOT-363SOT-363
SOT-563
SSM6L56FE,LM
MOSFET N/P-CH 20V 0.8A ES6
Toshiba Semiconductor and Storage
45 878
Skladem
1 : 8,00000 Kč
Řezaná páska (CT)
4 000 : 1,43302 Kč
Páska a cívka (TR)
-
Páska a cívka (TR)
Řezaná páska (CT)
Digi-Reel®
AktivníMOSFET (oxid kovu)N a P-kanálHradlo logické úrovně, 1,5V pohon20V800mA (Ta)235mOhm při 800mA, 4,5V, 390mOhm při 800mA, 4,5V1V při 1mA1nC při 10V55pF při 10V, 100pF při 10V150mW (Ta)150°C--Montáž na povrchSOT-563, SOT-666ES6
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
SSM6N37FU,LF
MOSFET 2N-CH 20V 0.25A US6
Toshiba Semiconductor and Storage
414 400
Skladem
1 : 8,22000 Kč
Řezaná páska (CT)
3 000 : 1,47644 Kč
Páska a cívka (TR)
-
Páska a cívka (TR)
Řezaná páska (CT)
Digi-Reel®
AktivníMOSFET (oxid kovu)2 N-kanál (duální)Hradlo logické úrovně, 1,5V pohon20V250mA (Ta)2,2Ohm při 100mA, 4,5V1V při 1mA-12pF při 10V300mW150°C--Montáž na povrch6-TSSOP, SC-88, SOT-363US6
MMDT2907A-TP
2N7002DW-TP
MOSFET 2N-CH 60V 0.115A SOT363
Micro Commercial Co
1 228 273
Skladem
1 : 8,44000 Kč
Řezaná páska (CT)
3 000 : 1,51992 Kč
Páska a cívka (TR)
-
Páska a cívka (TR)
Řezaná páska (CT)
Digi-Reel®
AktivníMOSFET (oxid kovu)2 N-kanál (duální)-60V115mA7,5Ohm při 50mA, 5V2V při 250µA-50pF při 25V200mW-55°C ~ 150°C (TJ)--Montáž na povrch6-TSSOP, SC-88, SOT-363SOT-363
SOT 563
DMC2400UV-7
MOSFET N/P-CH 20V SOT563
Diodes Incorporated
207 114
Skladem
4 908 000
Továrna
1 : 8,89000 Kč
Řezaná páska (CT)
3 000 : 1,59806 Kč
Páska a cívka (TR)
-
Páska a cívka (TR)
Řezaná páska (CT)
Digi-Reel®
AktivníMOSFET (oxid kovu)N a P-kanálHradlo logické úrovně20V1,03A, 700mA480mOhm při 200mA, 5V900mV při 250µA0,5nC při 4,5V37,1pF při 10V450mW-55°C ~ 150°C (TJ)--Montáž na povrchSOT-563, SOT-666SOT-563
SOT 26
DMC2700UDM-7
MOSFET N/P-CH 20V SOT26
Diodes Incorporated
1 233 106
Skladem
2 940 000
Továrna
1 : 8,89000 Kč
Řezaná páska (CT)
3 000 : 1,61976 Kč
Páska a cívka (TR)
-
Páska a cívka (TR)
Řezaná páska (CT)
Digi-Reel®
AktivníMOSFET (oxid kovu)N a P-kanálHradlo logické úrovně20V1,34A, 1,14A400mOhm při 600mA, 4,5V1V při 250µA0,74nC při 4,5V60,67pF při 16V1,12W-55°C ~ 150°C (TJ)--Montáž na povrchSOT-23-6SOT-26
SOT363
BSS138PS,115
MOSFET 2N-CH 60V 0.32A 6TSSOP
Nexperia USA Inc.
372 988
Skladem
1 : 9,33000 Kč
Řezaná páska (CT)
3 000 : 1,66798 Kč
Páska a cívka (TR)
Páska a cívka (TR)
Řezaná páska (CT)
Digi-Reel®
AktivníMOSFET (oxid kovu)2 N-kanál (duální)Hradlo logické úrovně60V320mA1,6Ohm při 300mA, 10V1,5V při 250µA0,8nC při 4,5V50pF při 10V420mW150°C (TJ)Automobilový průmyslAEC-Q101Montáž na povrch6-TSSOP, SC-88, SOT-3636-TSSOP
SOT363
2N7002BKS,115
MOSFET 2N-CH 60V 0.3A 6TSSOP
Nexperia USA Inc.
404 355
Skladem
1 : 9,33000 Kč
Řezaná páska (CT)
3 000 : 1,69576 Kč
Páska a cívka (TR)
Páska a cívka (TR)
Řezaná páska (CT)
Digi-Reel®
AktivníMOSFET (oxid kovu)2 N-kanál (duální)Hradlo logické úrovně60V300mA (Ta)1,6Ohm při 500mA, 10V2,1V při 250µA0,6nC při 4,5V50pF při 10V295mW150°C (TJ)Automobilový průmyslAEC-Q101Montáž na povrch6-TSSOP, SC-88, SOT-3636-TSSOP
SOT363
BSS84AKS,115
MOSFET 2P-CH 50V 0.16A 6TSSOP
Nexperia USA Inc.
55 363
Skladem
1 : 9,55000 Kč
Řezaná páska (CT)
3 000 : 1,71968 Kč
Páska a cívka (TR)
Páska a cívka (TR)
Řezaná páska (CT)
Digi-Reel®
AktivníMOSFET (oxid kovu)2 P-kanál (duální)Hradlo logické úrovně50V160mA7,5Ohm při 100A, 10V2,1V při 250µA0,35nC při 5V36pF při 25V445mW-55°C ~ 150°C (TJ)Automobilový průmyslAEC-Q101Montáž na povrch6-TSSOP, SC-88, SOT-3636-TSSOP
SOT-563
SSM6L36FE,LM
MOSFET N/P-CH 20V 0.5A ES6
Toshiba Semiconductor and Storage
29 076
Skladem
1 : 9,55000 Kč
Řezaná páska (CT)
4 000 : 1,73705 Kč
Páska a cívka (TR)
-
Páska a cívka (TR)
Řezaná páska (CT)
Digi-Reel®
AktivníMOSFET (oxid kovu)N a P-kanálHradlo logické úrovně20V500mA, 330mA630mOhm při 200mA, 5V1V při 1mA1,23nC při 4V46pF při 10V150mW150°C (TJ)--Montáž na povrchSOT-563, SOT-666ES6
EMT6_EMT6 PKg
EM6K34T2CR
MOSFET 2N-CH 50V 0.2A EMT6
Rohm Semiconductor
124 109
Skladem
1 : 8,44000 Kč
Řezaná páska (CT)
8 000 : 1,80660 Kč
Páska a cívka (TR)
-
Páska a cívka (TR)
Řezaná páska (CT)
Digi-Reel®
AktivníMOSFET (oxid kovu)2 N-kanál (duální)Hradlo logické úrovně, 0,9V pohon50V200mA2,2Ohm při 200mA, 4,5V800mV při 1mA-26pF při 10V120mW150°C (TJ)--Montáž na povrchSOT-563, SOT-666EMT6
UMT6
UM6K33NTN
MOSFET 2N-CH 50V 0.2A UMT6
Rohm Semiconductor
870 885
Skladem
1 : 8,22000 Kč
Řezaná páska (CT)
3 000 : 1,80775 Kč
Páska a cívka (TR)
-
Páska a cívka (TR)
Řezaná páska (CT)
Digi-Reel®
AktivníMOSFET (oxid kovu)2 N-kanál (duální)Hradlo logické úrovně, 1,2V pohon50V200mA2,2Ohm při 200mA, 4,5V1V při 1mA-25pF při 10V120mW150°C (TJ)--Montáž na povrch6-TSSOP, SC-88, SOT-363UMT6
SOT-363
DMG1016UDW-7
MOSFET N/P-CH 20V SOT363
Diodes Incorporated
122 573
Skladem
1 707 000
Továrna
1 : 10,22000 Kč
Řezaná páska (CT)
3 000 : 1,82389 Kč
Páska a cívka (TR)
-
Páska a cívka (TR)
Řezaná páska (CT)
Digi-Reel®
AktivníMOSFET (oxid kovu)N a P-kanálHradlo logické úrovně20V1,07A, 845mA450mOhm při 600mA, 4,5V1V při 250µA0,74nC při 4,5V60,67pF při 10V330mW-55°C ~ 150°C (TJ)--Montáž na povrch6-TSSOP, SC-88, SOT-363SOT-363
448; PPG-SOT363-PO; ; 6
2N7002DWH6327XTSA1
MOSFET 2N-CH 60V 0.3A SOT363
Infineon Technologies
115 505
Skladem
1 : 10,22000 Kč
Řezaná páska (CT)
3 000 : 1,82389 Kč
Páska a cívka (TR)
Páska a cívka (TR)
Řezaná páska (CT)
Digi-Reel®
AktivníMOSFET (oxid kovu)2 N-kanál (duální)Hradlo logické úrovně60V300mA3Ohm při 500mA, 10V2,5V při 250µA0,6nC při 10V20pF při 25V500mW-55°C ~ 150°C (TJ)--Montáž na povrch6-VSSOP, SC-88, SOT-363PG-SOT363-PO
SOT363
BSS138BKS,115
MOSFET 2N-CH 60V 0.32A 6TSSOP
Nexperia USA Inc.
452 452
Skladem
1 : 10,22000 Kč
Řezaná páska (CT)
3 000 : 1,84515 Kč
Páska a cívka (TR)
Páska a cívka (TR)
Řezaná páska (CT)
Digi-Reel®
AktivníMOSFET (oxid kovu)2 N-kanál (duální)Hradlo logické úrovně60V320mA1,6Ohm při 320mA, 10V1,6V při 250µA0,7nC při 4,5V56pF při 10V445mW-55°C ~ 150°C (TJ)Automobilový průmyslAEC-Q101Montáž na povrch6-TSSOP, SC-88, SOT-3636-TSSOP
TSOT-26
DMG6602SVT-7
MOSFET N/P-CH 30V 3.4A TSOT26
Diodes Incorporated
187 942
Skladem
3 108 000
Továrna
1 : 8,44000 Kč
Řezaná páska (CT)
3 000 : 1,87196 Kč
Páska a cívka (TR)
-
Páska a cívka (TR)
Řezaná páska (CT)
Digi-Reel®
Není určeno pro nové konstrukceMOSFET (oxid kovu)N a P-kanálHradlo logické úrovně, 4,5V pohon30V3,4A, 2,8A60mOhm při 3,1A, 10V2,3V při 250µA13nC při 10V400pF při 15V840mW-55°C ~ 150°C (TJ)--Montáž na povrchSOT-23-6 tenký, TSOT-23-6TSOT-26
TSOT-26
DMG6601LVT-7
MOSFET N/P-CH 30V 3.8A TSOT26
Diodes Incorporated
73 888
Skladem
1 : 8,67000 Kč
Řezaná páska (CT)
3 000 : 1,90011 Kč
Páska a cívka (TR)
-
Páska a cívka (TR)
Řezaná páska (CT)
Digi-Reel®
AktivníMOSFET (oxid kovu)N a P-kanálHradlo logické úrovně30V3,8A, 2,5A55mOhm při 3,4A, 10V1,5V při 250µA12,3nC při 10V422pF při 15V850mW-55°C ~ 150°C (TJ)--Montáž na povrchSOT-23-6 tenký, TSOT-23-6TSOT-26
SOT363
NX3008NBKS,115
MOSFET 2N-CH 30V 0.35A 6TSSOP
Nexperia USA Inc.
916 914
Skladem
1 : 10,67000 Kč
Řezaná páska (CT)
3 000 : 1,91070 Kč
Páska a cívka (TR)
Páska a cívka (TR)
Řezaná páska (CT)
Digi-Reel®
AktivníMOSFET (oxid kovu)2 N-kanál (duální)Hradlo logické úrovně30V350mA1,4Ohm při 350mA, 4,5V1,1V při 250µA0,68nC při 4,5V50pF při 15V445mW-55°C ~ 150°C (TJ)Automobilový průmyslAEC-Q101Montáž na povrch6-TSSOP, SC-88, SOT-3636-TSSOP
SOT363
NX3008CBKS,115
MOSFET N/P-CH 30V 0.35A 6TSSOP
Nexperia USA Inc.
24 200
Skladem
1 : 10,67000 Kč
Řezaná páska (CT)
3 000 : 1,91070 Kč
Páska a cívka (TR)
Páska a cívka (TR)
Řezaná páska (CT)
Digi-Reel®
AktivníMOSFET (oxid kovu)N a P-kanálHradlo logické úrovně30V350mA, 200mA1,4Ohm při 350mA, 4,5V1,1V při 250µA0,68nC při 4,5V50pF při 15V445mW-55°C ~ 150°C (TJ)Automobilový průmyslAEC-Q101Montáž na povrch6-TSSOP, SC-88, SOT-3636-TSSOP
SOT363
PMGD290XN,115
MOSFET 2N-CH 20V 0.86A 6TSSOP
Nexperia USA Inc.
88 423
Skladem
1 : 9,33000 Kč
Řezaná páska (CT)
3 000 : 2,06883 Kč
Páska a cívka (TR)
Páska a cívka (TR)
Řezaná páska (CT)
Digi-Reel®
Není určeno pro nové konstrukceMOSFET (oxid kovu)2 N-kanál (duální)Hradlo logické úrovně20V860mA350mOhm při 200mA, 4,5V1,5V při 250µA0,72nC při 4,5V34pF při 20V410mW-55°C ~ 150°C (TJ)--Montáž na povrch6-TSSOP, SC-88, SOT-3636-TSSOP
TSOT-26
DMC2038LVT-7
MOSFET N/P-CH 20V TSOT26
Diodes Incorporated
73 454
Skladem
858 000
Továrna
1 : 9,33000 Kč
Řezaná páska (CT)
3 000 : 2,06883 Kč
Páska a cívka (TR)
-
Páska a cívka (TR)
Řezaná páska (CT)
Digi-Reel®
Není určeno pro nové konstrukceMOSFET (oxid kovu)N a P-kanálHradlo logické úrovně20V3,7A, 2,6A35mOhm při 4A, 4,5V1V při 250µA17nC při 10V530pF při 10V800mW-55°C ~ 150°C (TJ)--Montáž na povrchSOT-23-6 tenký, TSOT-23-6TSOT-26
Pkg 5880
SI1034CX-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 20V 0.61A SC89
Vishay Siliconix
149 687
Skladem
1 : 7,78000 Kč
Řezaná páska (CT)
3 000 : 2,10734 Kč
Páska a cívka (TR)
Páska a cívka (TR)
Řezaná páska (CT)
Digi-Reel®
AktivníMOSFET (oxid kovu)2 N-kanál (duální)Hradlo logické úrovně20V610mA (Ta)396mOhm při 500mA, 4,5V1V při 250µA2nC při 8V43pF při 10V220mW-55°C ~ 150°C (TJ)--Montáž na povrchSOT-563, SOT-666SC-89 (SOT-563F)
SOT 363
NTJD4001NT1G
MOSFET 2N-CH 30V 0.25A SC88
onsemi
28 313
Skladem
1 : 8,00000 Kč
Řezaná páska (CT)
3 000 : 2,14245 Kč
Páska a cívka (TR)
-
Páska a cívka (TR)
Řezaná páska (CT)
Digi-Reel®
AktivníMOSFET (oxid kovu)2 N-kanál (duální)-30V250mA1,5Ohm při 10mA, 4V1,5V při 100µA1,3nC při 5V33pF při 5V272mW-55°C ~ 150°C (TJ)--Montáž na povrch6-TSSOP, SC-88, SOT-363SC-88/SC70-6/SOT-363
Zobrazuje se
z 5 477

Pole FET, MOSFET

Tranzistory řízené polem (FET) jsou elektronické součástky, které k řízení toku proudu používají elektrické pole. Přivedením napětí na svorku hradla se mění vodivost mezi odtokovou a zdrojovou svorkou. Tranzistory FET jsou známé také jako unipolární tranzistory, protože pracují s jedním typem nosiče. Znamená to, že tranzistory FET používají během provozu jako nosiče náboje elektrony nebo díry, nikoli však obojí. Tranzistory řízené polem obvykle vykazují velmi nízkou vstupní impedanci na nízkých kmitočtech.