Hradlové řadiče

Výsledky : 50
Skladové možnosti
Možnosti ochrany životního prostředí
Média
Vyloučit
50Výsledky

Zobrazuje se
z 50
Objednací č. Mfr
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
Cena
Řada
Balení
Stav produktu
Možnost naprogramování ve společnosti DigiKey
Konfigurace při buzení
Typ kanálu
Počet ovladačů
Typ hradla
Napájecí napětí
Logické napětí - VIL, VIH
Výstupní špičkový proud (zdroj, aktivní zátěž)
Typ vstupu
Napětí v horní části mostu - max (bootstrap)
Doba náběhu/doběhu (typická hodnota)
Provozní teplota
Třída
Kvalifikace
Způsob montáže
Pouzdro
Dodávaná velikost pouzdra
32 SOIC
MGD3160AM315EKT
IC GATE DRVR HIGH-SIDE 32SOIC
NXP USA Inc.
176
Skladem
1 : 164,91000 Kč
Nosič
-
Nosič
Aktivní
-
Horní-strana
Jednoduchý
1
IGBT, SiC MOSFET
4,5V ~ 40V
-
15A, 15A
Neinverzní
-
-
-40°C ~ 125°C (TA)
Automobilový průmysl
AEC-Q100
Montáž na povrch
32-BSSOP (0,295", 7,50mm šířka)
32-SOIC
32 SOIC
MGD3160AM535EKT
IC GATE DRVR HIGH-SIDE 32SOIC
NXP USA Inc.
291
Skladem
1 : 206,19000 Kč
Nosič
-
Nosič
Aktivní
-
Horní-strana
Jednoduchý
1
IGBT, SiC MOSFET
4,5V ~ 40V
-
15A, 15A
Neinverzní
-
-
-40°C ~ 125°C (TA)
Automobilový průmysl
AEC-Q100
Montáž na povrch
32-BSSOP (0,295", 7,50mm šířka)
32-SOIC
32 SOIC
MGD3160AM335EKT
IC GATE DRVR HIGH-SIDE 32SOIC
NXP USA Inc.
176
Skladem
1 : 206,19000 Kč
Nosič
-
Nosič
Aktivní
-
Horní-strana
Jednoduchý
1
IGBT, SiC MOSFET
4,5V ~ 40V
-
15A, 15A
Neinverzní
-
-
-40°C ~ 125°C (TA)
Automobilový průmysl
AEC-Q100
Montáž na povrch
32-BSSOP (0,295", 7,50mm šířka)
32-SOIC
32 SOIC
MC33GD3100A3EK
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 32SOIC
NXP USA Inc.
1 919
Skladem
1 : 258,86000 Kč
Trubice
-
Trubice
Zastaralé
Neověřeno
Polomůstkový
Jednoduchý
1
IGBT, MOSFET (N-kanál)
3,3V
-
15A, 15A
-
-
-
-40°C ~ 125°C (TA)
Automobilový průmysl
AEC-Q100
Montáž na povrch
32-BSSOP (0,295", 7,50mm šířka)
32-SOIC
32 SOIC
MC33GD3100BEK
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 32SOIC
NXP USA Inc.
42
Skladem
1 : 164,91000 Kč
Trubice
-
Trubice
Aktivní
-
Polomůstkový
Jednoduchý
1
IGBT, MOSFET (N-kanál)
5V
-
15A, 15A
-
-
-
-40°C ~ 125°C (TA)
Automobilový průmysl
AEC-Q100
Montáž na povrch
32-BSSOP (0,295", 7,50mm šířka)
32-SOIC
32 SOIC
MC33GD3100B3EK
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 32SOIC
NXP USA Inc.
42
Skladem
1 : 164,91000 Kč
Trubice
-
Trubice
Aktivní
-
Polomůstkový
Jednoduchý
1
IGBT, MOSFET (N-kanál)
3,3V
-
15A, 15A
-
-
-
-40°C ~ 125°C (TA)
Automobilový průmysl
AEC-Q100
Montáž na povrch
32-BSSOP (0,295", 7,50mm šířka)
32-SOIC
32 SOIC
MGD3100BM38EK
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 32BSSOP
NXP USA Inc.
42
Skladem
1 : 215,65000 Kč
Trubice
-
Trubice
Aktivní
-
Polomůstkový
Jednoduchý
1
IGBT, MOSFET (N-kanál)
3,3V
-
15A, 15A
-
-
-
-40°C ~ 125°C (TA)
Automobilový průmysl
AEC-Q100
Montáž na povrch
32-BSSOP (0,295", 7,50mm šířka)
32-SOIC
32 SOIC
MGD3100BM58EK
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 32BSSOP
NXP USA Inc.
42
Skladem
1 : 215,65000 Kč
Trubice
-
Trubice
Aktivní
-
Polomůstkový
Jednoduchý
1
IGBT, MOSFET (N-kanál)
5V
-
15A, 15A
-
-
-
-40°C ~ 125°C (TA)
Automobilový průmysl
AEC-Q100
Montáž na povrch
32-BSSOP (0,295", 7,50mm šířka)
32-SOIC
38-TSSOP_SOT510-1 PKG
PHD45NQ15T,118
IC GATE DRVR HDMI 38TSSOP
NXP USA Inc.
0
Skladem
2 500 : 18,27388 Kč
Páska a cívka (TR)
-
Páska a cívka (TR)
Zastaralé
Neověřeno
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Montáž na povrch
38-TFSOP (0,173", 4,40mm šířka)
38-TSSOP
38-TSSOP_SOT510-1 PKG
PHD33NQ20T,118
IC GATE DRVR HDMI 38TSSOP
NXP USA Inc.
0
Skladem
2 500 : 18,56585 Kč
Páska a cívka (TR)
-
Páska a cívka (TR)
Zastaralé
Neověřeno
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Montáž na povrch
38-TFSOP (0,173", 4,40mm šířka)
38-TSSOP
MC9S08PA4AVSC
MCZ33198EFR2
IC GATE DRVR HIGH-SIDE 8SOIC
NXP USA Inc.
0
Skladem
2 500 : 22,64466 Kč
Páska a cívka (TR)
-
Páska a cívka (TR)
Zastaralé
Neověřeno
Horní-strana
Jednoduchý
1
MOSFET (N-kanál)
7V ~ 20V
1,5V, 3,5V
-
Neinverzní
-
10µs, 280µs
-40°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montáž na povrch
8-SOIC (0,154", 3,90mm šířka)
8-SOIC
MC9S08PA4AVSC
MC33285D
IC GATE DRVR HIGH-SIDE 8SOIC
NXP USA Inc.
0
Skladem
98 : 25,67061 Kč
Trubice
-
Trubice
Zastaralé
Neověřeno
Horní-strana
Synchronní
2
MOSFET (N-kanál)
7V ~ 40V
0,7V, 1,7V
-
Neinverzní
-
-
-40°C ~ 125°C (TA)
-
-
Montáž na povrch
8-SOIC (0,154", 3,90mm šířka)
8-SOIC
MC9S08PA4AVSC
MCZ33198EF
IC GATE DRVR HIGH-SIDE 8SOIC
NXP USA Inc.
0
Skladem
98 : 26,67102 Kč
Trubice
-
Trubice
Zastaralé
Neověřeno
Horní-strana
Jednoduchý
1
MOSFET (N-kanál)
7V ~ 20V
1,5V, 3,5V
-
Neinverzní
-
10µs, 280µs
-40°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montáž na povrch
8-SOIC (0,154", 3,90mm šířka)
8-SOIC
0
Skladem
Zkontrolovat dodací lhůtu
2 500 : 34,38289 Kč
Páska a cívka (TR)
-
Páska a cívka (TR)
Aktivní
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
20 SOIC
MC33883DWR2
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 20SOIC
NXP USA Inc.
0
Skladem
1 000 : 61,21932 Kč
Páska a cívka (TR)
-
Páska a cívka (TR)
Zastaralé
Neověřeno
Polomůstkový
Nezávislé
4
MOSFET (N-kanál)
5,5V ~ 28V
0,8V, 2V
1A, 1A
Neinverzní
55 V
80ns, 80ns
-40°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montáž na povrch
20-SOIC (0,295", 7,50mm šířka)
20-SOIC
20 SOIC
MCZ33883EGR2
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 20SOIC
NXP USA Inc.
0
Skladem
1 000 : 61,21932 Kč
Páska a cívka (TR)
-
Páska a cívka (TR)
Zastaralé
Neověřeno
Polomůstkový
Nezávislé
4
MOSFET (N-kanál)
5,5V ~ 55V
0,8V, 2V
1A, 1A
Neinverzní
-
-
-40°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montáž na povrch
20-SOIC (0,295", 7,50mm šířka)
20-SOIC
20 SOIC
MC33883DW
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 20SOIC
NXP USA Inc.
0
Skladem
38 : 72,83974 Kč
Trubice
-
Trubice
Zastaralé
Neověřeno
Polomůstkový
Nezávislé
4
MOSFET (N-kanál)
5,5V ~ 28V
0,8V, 2V
1A, 1A
Neinverzní
55 V
80ns, 80ns
-40°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montáž na povrch
20-SOIC (0,295", 7,50mm šířka)
20-SOIC
20 SOIC
MCZ33883EG
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 20SOIC
NXP USA Inc.
0
Skladem
38 : 72,83974 Kč
Trubice
-
Trubice
Zastaralé
Neověřeno
Polomůstkový
Nezávislé
4
MOSFET (N-kanál)
5,5V ~ 55V
0,8V, 2V
1A, 1A
Neinverzní
-
-
-40°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montáž na povrch
20-SOIC (0,295", 7,50mm šířka)
20-SOIC
32 SOIC
MC33395TEWR2
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 32SOIC
NXP USA Inc.
0
Skladem
1 000 : 87,72753 Kč
Páska a cívka (TR)
-
Páska a cívka (TR)
Zastaralé
Neověřeno
Polomůstkový
3-fázový
6
MOSFET (N-kanál)
5,5V ~ 24V
-
-
Neinverzní
-
350ns, 250ns
-40°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montáž na povrch
32-BSSOP (0,295", 7,50mm šířka)
32-SOIC
32 SOIC
MC33395TDWBR2
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 32SOIC
NXP USA Inc.
0
Skladem
1 000 : 91,20967 Kč
Páska a cívka (TR)
-
Páska a cívka (TR)
Zastaralé
Neověřeno
Polomůstkový
3-fázový
6
MOSFET (N-kanál)
5,5V ~ 24V
-
-
Neinverzní
-
350ns, 250ns
-40°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montáž na povrch
32-BSSOP (0,295", 7,50mm šířka)
32-SOIC
32 SOIC
MC33395TEW
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 32SOIC
NXP USA Inc.
0
Skladem
42 : 102,61143 Kč
Trubice
-
Trubice
Zastaralé
Neověřeno
Polomůstkový
3-fázový
6
MOSFET (N-kanál)
5,5V ~ 24V
-
-
Neinverzní
-
350ns, 250ns
-40°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montáž na povrch
32-BSSOP (0,295", 7,50mm šířka)
32-SOIC
32 SOIC
MC33395DWB
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 32SOIC
NXP USA Inc.
0
Skladem
42 : 106,57357 Kč
Trubice
-
Trubice
Zastaralé
Neověřeno
Polomůstkový
3-fázový
6
MOSFET (N-kanál)
5,5V ~ 24V
-
-
Neinverzní
-
350ns, 250ns
-40°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montáž na povrch
32-BSSOP (0,295", 7,50mm šířka)
32-SOIC
32 SOIC
MGD3160AM518EKR2
IC GATE DRVR HIGH-SIDE 32SOIC
NXP USA Inc.
0
Skladem
Zkontrolovat dodací lhůtu
1 000 : 124,18873 Kč
Páska a cívka (TR)
-
Páska a cívka (TR)
Aktivní
-
Horní-strana
Jednoduchý
1
IGBT, SiC MOSFET
4,5V ~ 40V
-
15A, 15A
Neinverzní
-
-
-40°C ~ 125°C (TA)
Automobilový průmysl
AEC-Q100
Montáž na povrch
32-BSSOP (0,295", 7,50mm šířka)
32-SOIC
32 SOIC
MGD3160AM338EKR2
IC GATE DRVR HIGH-SIDE 32SOIC
NXP USA Inc.
0
Skladem
Zkontrolovat dodací lhůtu
1 000 : 124,18873 Kč
Páska a cívka (TR)
-
Páska a cívka (TR)
Aktivní
-
Horní-strana
Jednoduchý
1
IGBT, SiC MOSFET
4,5V ~ 40V
-
15A, 15A
Neinverzní
-
-
-40°C ~ 125°C (TA)
Automobilový průmysl
AEC-Q100
Montáž na povrch
32-BSSOP (0,295", 7,50mm šířka)
32-SOIC
32 SOIC
MGD3160AM538EKR2
IC GATE DRVR HIGH-SIDE 32SOIC
NXP USA Inc.
0
Skladem
Zkontrolovat dodací lhůtu
1 000 : 124,18873 Kč
Páska a cívka (TR)
-
Páska a cívka (TR)
Aktivní
-
Horní-strana
Jednoduchý
1
IGBT, SiC MOSFET
4,5V ~ 40V
-
15A, 15A
Neinverzní
-
-
-40°C ~ 125°C (TA)
Automobilový průmysl
AEC-Q100
Montáž na povrch
32-BSSOP (0,295", 7,50mm šířka)
32-SOIC
Zobrazuje se
z 50

Hradlové řadiče


IO pro řízení napájení (PMIC) s hradlovým budičem jsou součástky poskytující izolaci, zesílení, referenční posun, bootstrapping nebo další funkce potřebné k přivedení signálů z řídicí jednotky v aplikaci na převod energie do polovodičových součástek (obvykle tranzistorů FET nebo IGBT), kterými prochází řízená energie. Přesné funkce nabízené konkrétními součástkami jsou různé, avšak odpovídají polovodičové konfiguraci, pro jejíž buzení jsou přizpůsobeny.