Parametrický ekvivalent
Parametrický ekvivalent

SCT019H120G3AG | |
|---|---|
Číslo produktu DigiKey | 497-SCT019H120G3AG-ND |
Výrobce | |
Číslo produktu výrobce | SCT019H120G3AG |
Popis | SIC MOSFET |
Standardní dodací lhůta výrobce | 21 týdnů |
Referenční číslo zákazníka | |
Podrobný popis | N-kanál 1200 V 100A (Tc) 555W (Tc) Montáž na povrch HU3PAK |
Katalogový list | Katalogový list |
Modely EDA/CAD | SCT019H120G3AG Modely |
Kategorie | Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 121 nC @ 18 V |
Mfr | Vgs (max) +18V, -5V |
Balení Hromadné balení | Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 3465 pF @ 800 V |
Stav součásti Aktivní | Rozptylový výkon (Max) 555W (Tc) |
Typ tranzistoru FET | Provozní teplota -55°C ~ 175°C (TJ) |
Technologie | Třída Automobilový průmysl |
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 1200 V | Kvalifikace AEC-Q101 |
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C | Způsob montáže Montáž na povrch |
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 15V, 18V | Dodávaná velikost pouzdra HU3PAK |
Rds zap (max) při Id, Vgs 28mOhm při 50A, 18V | Pouzdro |
Vgs(th) (max) při Id 4,2V při 2,3mA |
| Objednací číslo | Výrobce | DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ | Číslo produktu DigiKey | Jednotková cena | Typ náhrady |
|---|---|---|---|---|---|
| SCT020H120G3AG | STMicroelectronics | 0 | 497-SCT020H120G3AG-ND | 253,72801 Kč | Parametrický ekvivalent |
| SCT020HU120G3AG | STMicroelectronics | 0 | 497-SCT020HU120G3AGCT-ND | 448,39000 Kč | Parametrický ekvivalent |
| Množství | Jednotková cena | Celk. cena |
|---|---|---|
| 1 000 | 241,52337 Kč | 241 523,37 Kč |
| Jednotková cena bez DPH: | 241,52337 Kč |
|---|---|
| Jednotková cena s DPH: | 292,24328 Kč |



