Name: RJP020N06T100
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: RJP020N06T100TR-ND
Price: 35.5014 CZK
Availability: InStock

Potřebujete pomoc?

Zpětná vazba

O společnosti DigiKey Marketplace Prodávat na DigiKey.com Kariéra Mapa stránek Digitální řešení Tiskové centrum

Nápověda a podpora Stav objednávky Ceny a∘možnosti dopravy Vrácení zboží a∘potíže s∘objednávkou

(+420) 225 296 620 eu.support@digikey.com

RJP020N06T100
Číslo produktu DigiKey	RJP020N06T100TR-ND - Páska a cívka (TR) RJP020N06T100CT-ND - Řezaná páska (CT) RJP020N06T100DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Rohm Semiconductor
Číslo produktu výrobce	RJP020N06T100
Popis	MOSFET N-CH 60V 2A MPT3
Standardní dodací lhůta výrobce	21 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 60 V 2A (Ta) 500mW (Ta) Montáž na povrch MPT3
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	RJP020N06T100 Modely

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Rohm Semiconductor
Řada	-
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	60 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	2A (Ta)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	2,5V, 4,5V
Rds zap (max) při Id, Vgs	240mOhm při 2A, 4,5V
Vgs(th) (max) při Id	1,5V při 1mA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	10 nC @ 4 V
Vgs (max)	±12V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	160 pF @ 10 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	500mW (Ta)
Provozní teplota	150°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	MPT3
Pouzdro	TO-243AA
Základní číslo produktu	RJP020

Jednotková cena bez DPH:	29,34000 Kč
Jednotková cena s DPH:	35,50140 Kč

RJP020N06T100