Name: QH8ME5TCR
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: 846-QH8ME5TCRTR-ND
Price: 30.5646 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

QH8ME5TCR
Číslo produktu DigiKey	846-QH8ME5TCRTR-ND - Páska a cívka (TR) 846-QH8ME5TCRCT-ND - Řezaná páska (CT) 846-QH8ME5TCRDKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Rohm Semiconductor
Číslo produktu výrobce	QH8ME5TCR
Popis	MOSFET N/P-CH 100V 2A TSMT8
Standardní dodací lhůta výrobce	16 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	Pole MOSFET 100V 2A (Ta) 1,1W (Ta) Montáž na povrch TSMT8
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Pole FET, MOSFET
Výrobce	Rohm Semiconductor
Řada	-
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Konfigurace	N a P-kanál
Funkce tranzistoru FET	-
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	100V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	2A (Ta)
Rds zap (max) při Id, Vgs	202mOhm při 2A, 10V, 270mOhm při 2A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	2,5V při 1mA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	2,8nC při 10V, 19,7nC při 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	90pF při 50V, 590pF při 50V
Výkon - max	1,1W (Ta)
Provozní teplota	150°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Montáž na povrch
Pouzdro	8-SMD, Ploché vodiče
Dodávaná velikost pouzdra	TSMT8