IPA60R280P7SE8228XKSA1 Infineon Technologies | Diskrétní polovodičové produkty

IPA60R280P7SE8228XKSA1 je zastaralá a již se nevyrábí.

Dostupné náhrady:

Parametrický ekvivalent

Infineon Technologies

Skladem : 0

Jednotková cena : 1,55000 Kč

Parametrický ekvivalent

Infineon Technologies

Skladem : 0

Jednotková cena : 0,53531 Kč

Parametrický ekvivalent

Rochester Electronics, LLC

Skladem : 551

Jednotková cena : 0,79462 Kč

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

IPA60R280P7SE8228XKSA1
Číslo produktu DigiKey	448-IPA60R280P7SE8228XKSA1-ND
Výrobce	Infineon Technologies
Číslo produktu výrobce	IPA60R280P7SE8228XKSA1
Popis	MOSFET N-CH 600V 12A TO220
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 600 V 12A (Tc) 24W (Tc) Průchozí otvor PG-TO220-FP
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Infineon Technologies
Řada	CoolMOS™ P7
Balení	Trubice
Stav součásti	Zastaralé
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	600 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	12A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	10V
Rds zap (max) při Id, Vgs	280mOhm při 3,8A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	4V při 190µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	18 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	761 pF @ 400 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	24W (Tc)
Provozní teplota	-40°C ~ 150°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Průchozí otvor
Dodávaná velikost pouzdra	PG-TO220-FP
Pouzdro	Plná výzbroj TO-220-3
Základní číslo produktu	IPA60R280