Parametrický ekvivalent

DMWSH120H28SCT7Q | |
|---|---|
Číslo produktu DigiKey | 31-DMWSH120H28SCT7Q-ND |
Výrobce | |
Číslo produktu výrobce | DMWSH120H28SCT7Q |
Popis | SIC MOSFET BVDSS: >1000V TO263-7 |
Standardní dodací lhůta výrobce | 40 týdnů |
Referenční číslo zákazníka | |
Podrobný popis | N-kanál 1200 V 85,5A (Tj) 312W (Tc) Montáž na povrch TO-263-7 |
Katalogový list | Katalogový list |
Kategorie | Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 184 nC @ 15 V |
Mfr | Vgs (max) +19V, -8V |
Balení Trubice | Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 3864 pF @ 1000 V |
Stav součásti Aktivní | Rozptylový výkon (Max) 312W (Tc) |
Typ tranzistoru FET | Provozní teplota -55°C ~ 175°C (TJ) |
Technologie | Třída Automobilový průmysl |
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 1200 V | Kvalifikace AEC-Q101 |
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C | Způsob montáže Montáž na povrch |
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 15V | Dodávaná velikost pouzdra TO-263-7 |
Rds zap (max) při Id, Vgs 28.5mOhm při 50A, 15V | Pouzdro |
Vgs(th) (max) při Id 3,6V při 17,7mA |
| Objednací číslo | Výrobce | DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ | Číslo produktu DigiKey | Jednotková cena | Typ náhrady |
|---|---|---|---|---|---|
| DMWSH120H28SCT7Q-13 | Diodes Incorporated | 0 | 31-DMWSH120H28SCT7Q-13TR-ND | 410,59266 Kč | Parametrický ekvivalent |
| Množství | Jednotková cena | Celk. cena |
|---|---|---|
| 50 | 505,85020 Kč | 25 292,51 Kč |
| Jednotková cena bez DPH: | 505,85020 Kč |
|---|---|
| Jednotková cena s DPH: | 612,07874 Kč |

